Коненкова Елена Васильевна

Коненкова Елена Васильевна
кандидат физико-математических наук
доцент (квалификационная категория "доцент практики"), факультет прикладной оптики

Педагогический стаж

Общий стаж:
2 года

Публикации

5
Статья
2018 год

Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Гущина Е.В., Львова Т.В., Пантелеев В.Н., Щеглов М.П. Гексагональные слои AlN, выращенные на сульфидированной Si(100)-подложке. Письма в Журнал технической физики. 2018. Т. 44. № 2. С. 96-103.

Статья
2018 год

Bessolov V.N., Gushchina E.V., Konenkova E.V., L’Vova T.V., Panteleev V.N., Shcheglov M.P. Hexagonal AlN Layers Grown on Sulfided Si(100) Substrate. Technical Physics Letters. 2018. Vol. 44. No. 1. pp. 81-83.

Статья
2017 год

Кукушкин С.А., Осипов А.В., Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Пантелеев В.Н. Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si. Физика твердого тела. 2017. Т. 59. № 4. С. 660-667.

Статья
2017 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V., Bessolov V.N., Konenkova E.V., Panteleev V.N. Misfit dislocation locking and rotation during gallium nitride growth on SiC/Si substrates. Physics of the solid state. 2017. Vol. 59. No. 4. pp. 674–681.

Статья
2017 год

Bessolov V.N., Kalmykov A., Konenkov S., Konenkova E.V., Kukushkin S.A., Myasoedov A.V., Osipov A.V., Panteleev V.N. Semipolar AlN on Si(100): Technology and properties. Microelectronic Engineering. 2017. Vol. 178. pp. 34-37.

Повышение квалификации

Повышение квалификации
2018 год
Электронная информационно-образовательная среда Университета ИТМО

Российская Федерация, Санкт-Петербург

Повышение квалификации
2017 год
Разработка адаптированных образовательных программ высшего образования для обучающихся инвалидов и лиц с ограниченными возможностями здоровья

Российская Федерация, Санкт-Петербург