Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Гущина Е.В., Львова Т.В., Пантелеев В.Н., Щеглов М.П. Гексагональные слои AlN, выращенные на сульфидированной Si(100)-подложке. Письма в Журнал технической физики. 2018. Т. 44. № 2. С. 96-103.
Bessolov V.N., Gushchina E.V., Konenkova E.V., L’Vova T.V., Panteleev V.N., Shcheglov M.P. Hexagonal AlN Layers Grown on Sulfided Si(100) Substrate. Technical Physics Letters. 2018. Vol. 44. No. 1. pp. 81-83.
Кукушкин С.А., Осипов А.В., Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Пантелеев В.Н. Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si. Физика твердого тела. 2017. Т. 59. № 4. С. 660-667.
Kukushkin S.A., Osipov A.V., Bessolov V.N., Konenkova E.V., Panteleev V.N. Misfit dislocation locking and rotation during gallium nitride growth on SiC/Si substrates. Physics of the Solid State. 2017. Vol. 59. No. 4. pp. 674–681.
Bessolov V.N., Kalmykov A., Konenkov S., Konenkova E.V., Kukushkin S.A., Myasoedov A.V., Osipov A.V., Panteleev V.N. Semipolar AlN on Si(100): Technology and properties. Microelectronic Engineering. 2017. Vol. 178. pp. 34-37.
Российская Федерация, Санкт-Петербург
Российская Федерация, Санкт-Петербург