Коненкова Елена Васильевна

Статья

Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Гущина Е.В., Львова Т.В., Пантелеев В.Н., Щеглов М.П. Гексагональные слои AlN, выращенные на сульфидированной Si(100)-подложке. Письма в Журнал технической физики. 2018. Т. 44. № 2. С. 96-103.

Статья

Bessolov V.N., Gushchina E.V., Konenkova E.V., L’Vova T.V., Panteleev V.N., Shcheglov M.P. Hexagonal AlN Layers Grown on Sulfided Si(100) Substrate. Technical Physics Letters. 2018. Vol. 44. No. 1. pp. 81-83.

Статья

Кукушкин С.А., Осипов А.В., Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Пантелеев В.Н. Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si. Физика твердого тела. 2017. Т. 59. № 4. С. 660-667.

Статья

Kukushkin S.A., Osipov A.V., Bessolov V.N., Konenkova E.V., Panteleev V.N. Misfit dislocation locking and rotation during gallium nitride growth on SiC/Si substrates. Physics of the solid state. 2017. Vol. 59. No. 4. pp. 674–681.

Статья

Bessolov V.N., Kalmykov A., Konenkov S., Konenkova E.V., Kukushkin S.A., Myasoedov A.V., Osipov A.V., Panteleev V.N. Semipolar AlN on Si(100): Technology and properties. Microelectronic Engineering. 2017. Vol. 178. pp. 34-37.