Влияние квантовых ям InGaAs на оптические свойства квантовых точек InGaP(As)
Kolodeznyi E.S., Babichev A.V., Kharin N.Y., Gladyshev A.G., Voznyuk G., Mitrofanov M.I., Slipchenko S., Lyutetskii A.V., Evtikhiev V.P., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Panevin V., Pikhtin N.A., Egorov A.Y. Quantum-cascade laser with increased ring radius. Proceedings - International Conference Laser Optics 2024, ICLO 2024. 2024. pp. 122.
Андрюшкин В.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Папылев Д.С., Колодезный Е.С., Карачинский Л.Я., Егоров А.Ю. Влияние химического состава окружающих слоев на оптические свойства квантовых точек InGaP(As). Физика и техника полупроводников. 2024. Т. 58. № 10. С. 529-532.
Papylev D.S., Blokhin S.A., Kovach Y.N., Gladyshev A.G., Novikov I.I., Kolodeznyi E.S., Babichev A.V., Voropaev K.O., Egorov A.Y., Karachinsky L.Y. 1550-nm VCSELs with p-type active layer doping for improved high-speed performance. Proceedings - International Conference Laser Optics 2024, ICLO 2024. 2024. pp. 126.
Kopytov P.E., Rochas S.S., Kolodeznyi E.S., Kovach J.N., Voropaev K.O., Novikov I.I., Blokhin S.A. Wafer-fused 1550-nm VCSELs with the active region based on InGaAlAs and InGaAs QWs. 2024 International Conference Laser Optics (ICLO). 2024. pp. 138.
Shiryaev D.S., Razzhivina K.R., Kundius A.A., Polukhin I.S., Kolodeznyi E.S. Visible light communication system based on RGBW LEDs. Proceedings - International Conference Laser Optics 2024, ICLO 2024. 2024. pp. 244.
Blokhin S.A., Kovach Y.N., Bobrov M.A., Blokhin A.A., Maleev N.A., Kuzmenkov A.G., Babichev A.V., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Voropaev K.O., Kulikov A.V., Egorov A.Y., Ustinov V.M. Emission Linewidth and alpha-Factor of 1.55 mu m-Range Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on InGaAs/InGaAlAs Quantum Wells. Optics and spectroscopy. 2024. Vol. 132. No. 2. pp. 111-117.
Makhov I.S., Kryzhanovskaya N.V., Dragunova A.S., Masyutin D.A., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Andryushkin V.V., Nevedomsky V.N., Uvarov A.V., Papylev D.S., Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Zhukov A.E. Photoluminescence of dense arrays of InGaPAs/InGaAs quantum dots formed by substitution of group V elements. Journal of Luminescence. 2024. Vol. 276. pp. 120819.
Андрюшкин В.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Папылев Д.С., Колодезный Е.С., Карачинский Л.Я., Егоров А.Ю. Оптические свойства квантовых точек InGaP(As) в гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaP/InGaAs. Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 6. С. 30-38.
Sapunov G., Tian S., Blokhin S., Kovach I., Papylev D., Rochas S., Andryushkin V., Kolodeznyi E., Babichev A., Gladyshev A., Novikov I., Blokhin A., Bobrov M., Maleev N., Voropaev K., Ustinov V., Ahamed M., Shugurov K., Egorov A., Karachinsky L., Bimberg D. High-speed MBE-grown 1550 nm wafer-fused VCSELs. Proceedings of SPIE. 2024. Vol. 12904. pp. 129040K.
Kopytov P.E., Rochas S.S., Kolodeznyi E.S., Kovach J.N., Voropaev K.O., Novikov I.I., Blokhin S.A. Wafer-fused 1550-nm VCSELs with the active region based on InGaAlAs and InGaAs QWs. Proceedings - International Conference Laser Optics 2024, ICLO 2024. 2024. pp. 138.
Копытов П.Е., Рочас С.С., Колодезный Е.С., Новиков И.И., Воропаев К.О. Мощный p-i-n фотодиод спектрального диапазона 1300–1550 нм с токовой чувствительностью 0,5 А/Вт при мощности оптического излучения 50 мВт. Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 12. С. 3-12.
Mitrofanov M.I., Beckman A.A., Kolodeznyi E.S., Payusov A.S., Voznyuk G., Evtikhiev V.P. Focused ion beam as a tool for prototyping new designs of semiconductor lasers. Proceedings - International Conference Laser Optics 2024, ICLO 2024. 2024. pp. 128.
Andryushkin V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Nevedomsky V., Papylev D.S., Kolodeznyi E.S., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Optical properties of InGaP(As) quantum dots in GaAs/AlGaAs/InGaP/InGaAs heterostructures. Journal of Optical Technology. 2024. Vol. 91. No. 6. pp. 378-382.
Ковач Я.Н., Блохин С.А., Бобров М.А., Блохин А.А., Малеев Н.А., Бабичев А.В., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Колодезный Е.С., Воропаев К.О., Устинов В.М., Егоров А.Ю. Анализ alpha-фактора вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1,55 мкм на основе квантовых ям InGaAs/InAlGaAs. Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 12. С. 24-34.
Бабичев А.В., Колодезный Е.С., Михайлов Д.А., Дюделев В.В., Гладышев А.Г., Слипченко С.О., Лютецкий А.В., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Соколовский Г.С., Пихтин Н.А., Егоров А.Ю. Квантово-каскадные лазеры на основе активной области с малой чувствительностью к флуктуации толщины слоев. Письма в Журнал технической физики. 2024. Т. 50. № 16. С. 18-21.
Kharin N.Y., Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Gladyshev A.G., Slipchenko S., Lyutetskii A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Panevin V.Y., Pikhtin N.A., Sokolovskii G.S., Egorov A.Y. Subthreshold electroluminescence from long-side-cleaved quantum-cascade laser. Proceedings - International Conference Laser Optics 2024, ICLO 2024. 2024. pp. 151.
Kolodeznyi E.S., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Mikhailov D.A., Dudelev V.V., Slipchenko S., Lyutetskii A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Pikhtin N.A., Sokolovskii G.S., Egorov A.Y. Quantum-cascade laser emitting at 8mum: epi-growth and characterization. Proceedings - International Conference Laser Optics 2024, ICLO 2024. 2024. pp. 155.
Ширяев Д.С., Разживина К.Р., Кундиус А.А., Беляков Н.А., Полухин И.С., Колодезный Е.С. Оптическая система распределения квантового ключа по атмосферному каналу связи. Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 8. С. 50-59.
Влияние состава матричного слоя на фотолюминесценцию квантовых точек InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
Andryushkin V.V., Blokhin S.A., Bobrov M.A., Blokhin A.A., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Voropaev K.O., Egorov A.Y. 1300 nm VCSELS with active region based on InGaAs/InGaAlAs superlattice for long-distance transmission. Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки = St.Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. S1.2. pp. 153-159.
Бабичев А.В., Колодезный Е.С., Гладышев А.Г., Харин Н.Ю., Петрук А.Д., Паневин В.Ю., Вознюк Г.В., Митрофанов М.И., Слипченко С.О., Лютецкий А.В., Евтихиев В.П., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Пихтин Н.А., Егоров А.Ю. Поверхностно-излучающие квантово-каскадные лазеры с дифракционной решеткой второго порядка и увеличенной величиной коэффициента связи. Известия Российской Академии наук. Серия физическая. 2023. Т. 87. № 6. С. 855-860.
Одномодовые вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм для оптических систем передачи данных
Effect of sulfide–polyamide passivation on dark currents of the InAlAs/InGaAs/InP avalanche photodiodes
Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Gladyshev A.G., Denisov D.V., Jollivet A., Quach P., Karachinsky L.Y., Nevedomsky V.N., Novikov I.I., Tchernycheva M..., Julien F.H., Egorov A.Y. Heterostructure of a 2.5 THz Range Quantum-Cascade Detector. Semiconductors. 2023. Vol. 57. No. 10. pp. 440-444.
Блохин С.А., Ковач Я.Н., Бобров М.А., Блохин А.А., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Бабичев А.В., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Воропаев К.О., Куликов А.В., Егоров А.Ю., Устинов В.М. Ширина линии излучения и alfa-фактор вертикально излучающих лазеров на основе квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 um. Оптика и спектроскопия. 2023. Т. 131. № 8. С. 1095-1100.
Ширяев Д.С., Кундиус А.А., Разживина К.Р., Беляков Н.А., Полухин И.С., Колодезный Е.С. Оптическая система для рассылки квантовых ключей по атмосферному каналу связи. Фотон-Экспресс. 2023. № 6(190). С. 501-502.
Влияние состава матрицы и режимов эпитаксиальных роста на оптические и структурные свойства квантовых точек InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
Высокочувствительный p-i-n фотодиод на основе InP
МЕТОДЫ ПАССИВАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ЛАВИННЫХ ФОТОДИОДОВ ALINAS/INGAAS С МЕЗА-СТРУКТУРОЙ
Характеристики источников лазерного и синхротронного излучения
Планарные технологии в оптоэлектронике
Babichev A.V., Blokhin S.A., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Blokhin A.A., Bobrov M.A., Maleev N.A., Andryushkin V.V., Kolodeznyi E.S., Denisov D.V., Kryzhanovskaya N.V., Voropaev K.O., Ustinov V.M., Egorov A.Y., Li H., Tian S., Han S., Sapunov G.A., Bimberg D. Single-Mode High-Speed 1550 nm Wafer Fused VCSELs for Narrow WDM Systems. IEEE Photonics Technology Letters. 2023. Vol. 35. No. 6. pp. 297-300.
Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Gladyshev A.G., Kharin N.Y., Petruk A., Panevin V., Voznyuk G.V., Mitrofanov M.I., Slipchenko S.O., Lyutetskii A.V., Evtikhiev V.P., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Pikhtin N.A., Egorov A.Y. Surface Emitting Quantum-Cascade Lasers with a Second-Order Grating and Elevated Coefficient of Coupling. Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2023. Vol. 87. No. 6. pp. 750-754.
Babichev A.V., Mikhailov D.A., Kolodeznyi E.S., Gladyshev A.G., Voznyuk G.V., Mitrofanov M.I., Denisov D.V., Slipchenko S., Lyutetskii A.V., Dudelev V.V., Evtikhiev V.P., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Sokolovskii G.S., Pikhtin N.A., Egorov A.Y. Surface-emitting quantum-cascade lasers with a grating formed by focused ion beam milling. Semiconductors. 2023. Vol. 57. No. 10. pp. 445-450.
Andryushkin V.V., Maleev N.A., Kuzmenkov A.G., Kulagina M.M., Guseva Y.A., Vasil’Ev A.P., Blochin S., Bobrov M.A., Troshkov S.I., Papylev D.S., Kolodeznyi E.S., Ustinov V.M. Effect of sulfide-polyamide passivation on dark currents of the InAlAs/InGaAs/InP avalanche photodiodes. Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки = St.Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. S3.1. pp. 352-356.
Бабичев А.В., Колодезный Е.С., Гладышев А.Г., Харин Н.Ю., Паневин В.Ю., Шалыгин В.А., Вознюк Г.В., Митрофанов М.И., Слипченко С.О., Лютецкий А.В., Евтихиев В.П., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Пихтин Н.А., Егоров А.Ю. Одночастотная генерация в квантово-каскадных лазерах с кольцевым резонатором. Оптический журнал. 2023. Т. 90. № 8. С. 3-16.
Ковач Я.Н., Блохин С.А., Бобров М.А., Блохин А.А., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Бабичев А.В., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Воропаев К.О., Егоров А.Ю., Устинов В.М. Ширина линии излучения одномодовых вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 um, реализованных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии и технологии спекания пластин. Оптика и спектроскопия. 2023. Т. 131. № 11. С. 1486.
Babichev A., Blokhin S., Gladyshev A., Karachinsky L., Novikov I., Blokhin A., Kovach Y., Kuzmenkov A., Nevedomsky V., Maleev N., Kolodeznyi E., Voropaev K., Vasilyev A., Ustinov V., Egorov A., Han S., Tian S., Bimberg D. Impact of Device Topology on the Performance of High-Speed 1550 nm Wafer-Fused VCSELs. Photonics. 2023. Vol. 10. No. 6. pp. 660.
Крыжановская Н.В., Блохин С.А., Махов И., Моисеев Э., Надточий А.М., Фоминых Н.А., Минтаиров С.А., Калюжный Н.А., Гусева Ю.А., Кулагина М.М., Зубов Ф.И., Колодезный Е.С., Максимов М.В., Жуков А.Е. Исследование p-i-n-фотодетектора с поглощающей средой на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек. Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 57. № 3. С. 202-206.
Babichev A.V., Mikhailov D.A., Chistyakov D.V., Kolodeznyi E.S., Gladyshev A.G., Voznyuk G.V., Mitrofanov M.I., Denisov D.V., Slipchenko S., Lyutetskii A.V., Dudelev V.V., Evtikhiev V.P., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Pikhtin N., Egorov A.Y., Sokolovskii G.S. Study of the Spatial Characteristics of Emission of Surface-Emitting Ring Quantum-Cascade Lasers. Semiconductors. 2023. Vol. 57. No. 9. pp. 377–382.
Kolodeznyi E.S., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kharin N.Y., Panevin V.Y., Dudelev V.V., Slipchenko S., Lyutetskii A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Pikhtin N.A., Egorov A.Y., Sokolovskii G.S. Fabrication and Characterization of 5.2 um Quantum-Cascade Lasers Grown by Molecular-Beam Epitaxy. Proceedings of the 2023 International Conference on Electrical Engineering and Photonics, EExPolytech 2023. 2023. pp. 390-393.
Babichev A., Kolodeznyi E., Gladyshev A., Kharin N., Panevin V., Shalygin V., Voznyuk G., Mitrofanov M., Slipchenko S., Lyutetskii A., Evtikhiev V., Karachinsky L., Novikov I., Pikhtin N., Egorov A. Single-mode lasing in ring-cavity surface-emitting lasers. Journal of Optical Technology. 2023. Vol. 90. No. 8. pp. 422-427.
Kryzhanovskaya N.V., Blokhin S.A., Makhov I.S., Moiseev E.I., Nadtochiy A.M., Fominykh N.A., Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A., Guseva Y.A., Kulagina M.M., Zubov F.I., Kolodeznyi E.S., Маximov M.V., Zhukov A.E. Investigation of a p–i–n Photodetector with an Absorbing Medium Based on InGaAs/GaAs Quantum Well-Dots. Semiconductors. 2023. Vol. 57. No. 13. pp. 594-598.
Мельниченко И.А., Крыжановская Н.В., Иванов К.А., Надточий А.М., Махов И.С., Козодаев М.Г., Хакимов Р.Р., Маркеев А.М., Воробьев А.А., Можаров А.М., Гусева Ю.А., Лихачев А.И., Колодезный Е.С., Жуков А.Е. Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства. Оптика и спектроскопия. 2023. Т. 131. № 8. С. 1112-1117.
Babichev A., Blokhin S., Kolodeznyi E., Karachinsky L., Novikov I., Egorov A., Tian S., Bimberg D. Long-Wavelength VCSELs: Status and Prospects. Photonics. 2023. Vol. 10. No. 3. pp. 268.
Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1,3 мкм на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAsInGaAlAs для информационно-коммуникационных систем
Babichev A.V., Mikhailov D.A., Kolodeznyi E.C., Gladyshev A.G., Voznyuk G.V., Mitrofanov M.I., Slipchenko S., Lyutetskii A.V., Dudelev V.V., Evtikhiev V.P., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Sokolovskii G.S., Pikhtin N., Egorov A.Y. Surface Emitting Ring Quantum-cascade Lasers made by Focused Ion Beam Milling. Proceedings - International Conference Laser Optics 2022, ICLO 2022. 2022. pp. 1-1.
Исследование характеристик вертикально-излучающего лазера на основе сверхрешётки InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1,3 мкм для генератора случайных чисел
Квантово-каскадные лазеры с дифракционной решеткой второго порядка и увеличенной величиной связывания
Kovach Y., Petrenko A.A., Rochas S.S., Shiryaev D.S., Borodkin A.I., Kolodeznyi E.S. Ring-Shaped Contamination Detection System. Springer Proceedings in Physics. 2022. Vol. 268. pp. 421-427.
Андрюшкин В.В., Драгунова А.С., Комаров С.Д., Надточий А.М., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Уваров А.В., Новиков И.И., Колодезный Е.С., Карачинский Л.Я., Крыжановская Н.В., Неведомский В.Н., Егоров А.Ю., Бугров В.Е. Влияние низких температур и термического отжига на оптические свойства квантовых точек InGaPas [Influence of low temperatures and thermal annealing on the optical properties of InGaPAs quantum dots]. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics]. 2022. Т. 22. № 5(141). С. 921-928.
Ковач Я.Н., Андрюшкин В.В., Колодезный Е.С., Новиков И.И., Петренко А.А., Камарчук А.В., Рочас С.С., Бауман Д.А. Расчет и оптимизация оптической схемы фотоприемного модуля спектрального диапазона 1,3-1,6 мкм [Optimization of the optical scheme of a photodetector module operating in the spectral range of 1.3–1.6 mu m]. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics]. 2022. Т. 22. № 5(141). С. 873-880.
Бабичев А.В., Михайлов Д.А., Колодезный Е.С., Гладышев А.Г., Вознюк Г.В., Митрофанов М.И., Денисов Д.В., Слипченко С.О., Лютецкий А.В., Дюделев В.В., Евтихиев В.П., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Соколовский Г.С., Пихтин Н.А., Егоров А.Ю. Поверхностно-излучающие квантово-каскадные лазеры с дифракционной решеткой, сформированной методом прямой ионной литографии. Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 9. С. 908-914.
Бабичев А.В., Михайлов Д.А., Чистяков Д.В., Колодезный Е.С., Гладышев А.Г., Вознюк Г.В., Митрофанов М.И., Денисов Д.В., Слипченко С.О., Лютецкий А.В., Дюделев В.В., Евтихиев В.П., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Пихтин Н.А., Егоров А.Ю., Соколовский Г.С. Исследование пространственных характеристик излучения поверхностно-излучающих квантово-каскадных лазеров с кольцевым резонатором. Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 6. С. 601-606.
Бабичев А.В., Колодезный Е.С., Гладышев А.Г., Денисов Д.В., Jollivet A., Quach P., Карачинский Л.Я., Неведомский В.Н., Новиков И.И., Tchernycheva M., Julien F., Егоров А.Ю. Гетероструктура квантово-каскадного детектора частотного диапазона 2.5 ТГц. Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 3. С. 357-362.
Бабичев А.В., Колодезный Е.С., Гладышев А.Г., Денисов Д.В., Харин Н.Ю., Петрук А.Д., Паневин В.Ю., Слипченко С.О., Лютецкий А.В., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Пихтин Н.А., Егоров А.Ю. Особенности одночастотной генерации в квантово-каскадных лазерах спектрального диапазона 7.5-8.0 mu m с малой длиной резонатора. Письма в Журнал технической физики. 2022. Т. 48. № 5. С. 7-10.
Maleev N.A., Kuzimenkov G., Kulagina M.M., Guseva Y.A., Vasil'Ev A.P., Blokhin S.A., Bobrov M.A., Troshkov S.I., Andryushkin V.V., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Ustinov V.M. Avalanche photodiodes based on InAlAs/InGaAs heterostructures with sulfide–polyamide passivation of mesa structures. Journal of Optical Technology. 2022. Vol. 89. No. 1. pp. 677-680.
Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Кулагина М.М., Гусева Ю.А., Васильев А.П., Блохин С.А., Бобров М.А., Трошков С.И., Андрюшкин В.В., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Устинов В.М. Лавинные фотодиоды на гетероструктурах InAlAs/InGaAs с сульфидно-полиамидной пассивацией меза-структуры. Оптический журнал. 2022. Т. 89. № 11. С. 54-60.
Петренко А.А., Рочас С.С., Карачинский Л.Я., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Колодезный Е.С., Копытов П.Е., Бугров В.Е., Блохин С.А., Блохин А.А., Воропаев К.О., Егоров А.Ю. Характеризация режимов лазерной генерации вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1,3 мкм на основе короткопериодной сверхрешётки InGaAs/InGaAlAs. Оптический журнал. 2021. Т. 88. № 12. С. 11-16.
Novikov I.I., Nadtochiy A.M., Potapov A.Y., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Andryushkin V.V., Denisov D.V., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. Influence of the doping type on the temperature dependencies of the photoluminescence efficiency of InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures. Journal of Luminescence. 2021. Vol. 239. pp. 118393.
Бабичев А.В., Колодезный Е.С., Гладышев А.Г., Денисов Д.В., Вознюк Г.В., Митрофанов М.И., Михайлов Д.А., Чистяков Д.В., Курицын Д.И., Дюделев В.В., Слипченко С.О., Лютецкий А.В., Евтихиев В.П., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Морозов С.В., Соколовский Г.С., Пихтин Н.А., Егоров А.Ю. Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой. Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 11. С. 1081-1085.
Вертикально-излучающий лазер на основе сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs, спектрального диапазона 1310 нм
Influence of low temperatures and thermal annealing on the optical properties of InGaPAs quantum dots
1.3 um vertical-cavity surface-emitting lasersbased on InGaAs/InGaAlAs superlattice
Технология диффузии Zn для лавинных фотодиодов InP-InGaAs
Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Gladyshev A.G., Denisov D.V., Voznyuk G.V., Mitrofanov M.I., Kharin N.Y., Panevin V.Y., Slipchenko S., Lyutetskii A.V., Evtikhiev V.P., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Pikhtin N.A., Egorov A.Y. Surface Emitting Quantum-Cascade Ring Laser. Semiconductors. 2021. Vol. 55. No. 7. pp. 591-594.
Andryushkin V., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Rochas S.S., Maleev N.A., Khvostikov V., Ber B.Y., Kuzmenkov A.G., Kizhaev S.S., Bougrov V.E. Investigation of the zinc diffusion process into epitaxial layers of indium phosphide and indium-gallium arsenide grown by molecular beam epitaxy. Journal of Optical Technology. 2021. Vol. 88. No. 12. pp. 742-745.
Blokhin S.A., Bobrov M.A., Maleev N.A., Blokhin A.A., Vasil’Ev A.P., Kuz’Menkov A.G., Kolodeznyi E.S., Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Reitzenstein S., Ustinov V.M. The Design of an Electrically-Driven Single Photon Source of the 1.3-mu m Spectral Range Based on a Vertical Microcavity with Intracavity Contacts. Technical Physics Letters. 2021. Vol. 47. No. 3. pp. 222-226.
Бабичев А.В., Колодезный Е.С., Гладышев А.Г., Денисов Д.В., Вознюк Г.В., Митрофанов М.И., Харин Н.Ю., Паневин В.Ю., Слипченко С.О., Лютецкий А.В., Евтихиев В.П., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Пихтин Н.А., Егоров А.Ю. Поверхностно-излучающий квантово-каскадный лазер с кольцевым резонатором. Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 7. С. 602-606.
Blokhin S.A., Bobrov M.A., Maleev N.A., Donges J., Bremer L., Blokhin A.A., Vasil’Ev A.P., Kuzmenkov A.G., Kolodeznyi E.S., Shchukin V., Ledentsov N.N., Reitzenstein S., Ustinov V.M. Design optimization for bright electrically-driven quantum dot single-photon sources emitting in telecom O-band. Optics express. 2021. Vol. 29. No. 5. pp. 6582-6598.
Rochas S.S., Karachinsky L.Y., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Kopytov P.E., Bougrov V.E., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Voropaev K.O., Egorov A.Y. Vertical cavity surface emitting lasers of 1.3 Mu m spectral range based on the InGaAs/InGaAlAs superlattice. Journal of Physics: Conference Series. 2021. Vol. 2103. No. 1. pp. 012176.
Kryzhanovskaya N.V., Dragunova A.S., Komarov S., Nadtochiy A.M., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Uvarov A.V., Andryushkin V.V., Denisov D.V., Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Optical Properties of Three-Dimensional InGaP(As) Islands Formed by Substitution of Fifth-Group Elements. Optics and spectroscopy. 2021. Vol. 129. No. 2. pp. 256-260.
Petrenko A., Rochas S.S., Karachinskii L.Y., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Kopytov P.E., Bugrov V., Blochin S., Blochin A., Voropaev K.O., Egorov A.Y. Characterization of lasing regimes of 1.3 mu m vertical-cavity surface-emitting lasers based on a short-period InGaAs/InGaAlAs superlattice. Journal of Optical Technology. 2021. Vol. 88. No. 12. pp. 688-691.
Блохин С.А., Бобров М.А., Малеев Н.А., Блохин А.А., Васильев А.П., Кузьменков А.Г., Колодезный Е.С., Shchukin V.A., Ledentsov N., Reitzenstein S., Устинов В.М. Конструкция источника одиночных фотонов спектрального диапазона 1.3 mkm с инжекционной накачкой на основе вертикального микрорезонатора с внутрирезонаторными контактами. Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 5. С. 23-27.
Крыжановская Н.В., Драгунова А.С., Комаров С., Надточий А.М., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Уваров А., Андрюшкин В.В., Денисов Д.В., Колодезный Е.С., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Егоров А.Ю. Оптические свойства трехмерных островков INGAP(AS), сформированных методом замещения элементов пятой группы. Оптика и спектроскопия. 2021. Т. 129. № 2. С. 218-222.
Andryushkin V.V., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Maleev N.A., Khvostikov V., Ber B.Y., Kuzmenkov A.G., Kizhaev S.S., Bougrov V.E. Zn diffusion technology for InP-InGaAs avalanche photodiodes. Journal of Physics: Conference Series. 2021. Vol. 2103. No. 1. pp. 012184.
Gladyshev A.G., Babichev A.V., Andryushkin V.V., Denisov D.V., Nevedomskii V.N., Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Studying the Optical and Structural Properties of Three-Dimensional InGaP(As) Islands Formed by Substitution of Elements of the Fifth Group. Technical Physics. 2020. Vol. 65. No. 12. pp. 2047-2050.
Рочас С.С., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Колодезный Е.С., Бабичев А.В., Андрюшкин В.В., Неведомский В.Н., Денисов Д.В., Карачинский Л.Я., Егоров А.Ю., Бугров В.Е. Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции. Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 22. С. 27-30.
Optical gain in laser heterostructures with active region based on InGaAs/InGaAlAs superlattice
Система детектирования загрязнений лидара беспилотного автомобиля
Investigation of optical and structural properties of three- dimensional InGaPAs islands formed by substitution of elements of the fifth group
Investigation of structural and optical properties of three-dimensional InGaPAs islands
7-8 um range ring cavity quantum-cascade lasers with a surface emission
ОСОБЕННОСТИ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ТРЕХМЕРНЫХ ОСТРОВКОВ InGaPAs
Оптоэлектронные приборы: характеристики и применения. Методические указания к выполнению лабораторных работ.
Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Андрюшкин В.В., Денисов Д.В., Неведомский В.Н., Колодезный Е.С., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Егоров А.Ю. Исследование оптических и структурных свойств трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы. Журнал технической физики. 2020. Т. 90. № 12. С. 2139-2142.
Rochas S.S., Novikov I.I., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Karachinsky L.Y., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Shernyakov Y.M., Zhukov A.E., Egorov A.Y. 1.55 Mu m range edge-emitting laser diodes based on InGaAs/InGaAlAs superlattice and InGaAs quantum wells. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1695. No. 1. pp. 012072.
Babichev A.V., Pashnev D.A., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Denisov D.V., Dudelev V.V., Sokolovskii G.S., Firsov D.A., Vorob’Ev L.E., Slipchenko S.O., Lutetskiy A.V., Pikhtin N., Egorov A.Y. Spectral Characteristics of Half-Ring Quantum-Cascade Lasers. Optics and spectroscopy. 2020. Vol. 128. No. 8. pp. 1187-1192.
Andryushkin V.V., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Nevedomskii V.N., Egorov A.Y. 1 Mu m range InGaPAs three-dimensional islands grown by molecular beam epitaxy. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1695. No. 1. pp. 012015.
Babichev A.V., Voznyuk G.V., Andryushkin V.V., Kolodeznyi E.S., Gladyshev A.G., Denisov D.V., Dudelev V.V., Kuritsyn D.I., Mitrofanov М., Slipchenko S.O., Lyutetskii A.V., Evtikhiev V.P., Karachinskii L.Y., Novikov I.I., Pikhtin N., Sokolovskii G.S., Morozov S.V., Egorov A.Y. 7-8 mu m range ring cavity quantum-cascade lasers with a surface emission. Optics InfoBase Conference Papers. 2020. pp. JTh4B.18.
Andryushkin V.V., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Nevedomskii V.N., Egorov A.Y. Investigation of optical and structural properties of three-dimensional InGaPAs islands formed by substitution of elements of the fifth group. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1697. No. 1. pp. 012106.
Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Gladyshev A.G., Denisov D.V., Vozniuk G.V., Kuritsyn D.I., Mitrofanov M.I., Slipchenko S.O., Lyutetskii A.V., Evtikhiev V.P., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Pikhtin N., Morozov S.V., Egorov A.Y. Quantum-cascade ring resonator laser with 7-8 mu m wavelength and surface radiation output. Semiconductors. 2020. Vol. 54. No. 14. pp. 1816-1819.
Rochas S.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Babichev A.V., Andryushkin V.V., Nevedomskii V.N., Denisov D.V., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. The Influence of the Parameters of a Short-Period InGaAs/InGaAlAs Superlattice on Photoluminescence Efficiency. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 11. pp. 1128–1131.
Бабичев А.В., Пашнев Д.А., Гладышев А.Г., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Денисов Д.В., Дюделев В.В., Соколовский Г.С., Фирсов Д.А., Воробьев Л.Е., Слипченко С.О., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Егоров А.Ю. Спектральные характеристики полукольцевых квантово-каскадных лазеров. Оптика и спектроскопия. 2020. Т. 128. № 8. С. 1165-1170.
Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Курочкин А.С., Дюделев В.В., Колодезный Е.С., Соколовский Г.С., Бугров В.Е., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Денисов Д.В., Ионов А.С., Слипченко С.О., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Егоров А.Ю. Одночастотная генерация арочных квантово-каскадных лазеров при комнатной температуре. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 8. С. 31-33.
Бабичев А.В., Дюделев В.В., Гладышев А.Г., Михайлов Д.А., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Неведомский В.Н., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Денисов Д.В., Ионов А.С., Слипченко С.О., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Соколовский Г.С., Егоров А.Ю. Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 µm. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 14. С. 48-51.
Blokhin S.A., Bobrov M.A., Blokhin A.A., Kuzmenkov A.G., Maleev N.A., Ustinov V.M., Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y. Analysis of the Internal Optical Losses of the Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser of the Spectral Range of 1.55 µm Formed by a Plate Sintering Technique. Optics and spectroscopy. 2019. Vol. 127. No. 1. pp. 140-144.
Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Dudelev V.V., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Denisov D.V., Ionov A.S., Slipchenko S.O., Lyutetskii A.V., Pikhtin N.A., Egorov A.Y. Room Temperature Lasing of Single-Mode Arched-Cavity Quantum-Cascade Lasers. Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 4. pp. 398-400.
Kolodeznyi E.C., Rochas S.S., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Blokhin S.A., Voropaev K.O., Ionov A.S. Optical Gain of 1550-nm-Range Multiple-Quantum-Well Heterostructures and Limiting Modulation Frequencies of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on Them (vol 125, pg 238, 2018). Optics and spectroscopy. 2019. Vol. 126. No. 6. pp. 788.
Babichev A.V., Dudelev V.V., Gladyshev A.G., Mikhailov D.A., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Nevedomskiy V.N., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Denisov D.V., Ionov A.S., Slipchenko S.O., Lutetskiy A.V., Pikhtin N.A., Sokolovskii G.S., Egorov A.Y. High-Power Quantum-Cascade Lasers Emitting in the 8-mu m Wavelength Range. Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 7. pp. 735-738.
Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Неведомский В.Н., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Софронов А.Н., Егоров А.Ю. Спонтанное и стимулированное излучение двухчастотного квантово-каскадного лазера. Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. № 3. С. 365-369.
Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Колодезный Е.С., Рочас С.С., Курочкин А.С., Бобрецова Ю.К., Климов А.А., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Ионов А.С., Бугров В.Е., Егоров А.Ю. Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs. Оптика и спектроскопия. 2019. Т. 127. № 12. С. 963-966.
Блохин С.А., Бобров М.А., Блохин А.А., Кузьменков А.Г., Малеев Н.А., Устинов В.М., Колодезный Е.С., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Ионов А.С., Егоров А.Ю. Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин. Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. № 8. С. 1128-1134.
Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Зубов Ф.И., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Рочас С.С., Колодезный Е.С., Егоров А.Ю., Жуков А.Е. Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 mM на основе бесфосфорных гетероструктур. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 11. С. 20-23.
Rochas S.S., Kolodeznyi E.S., Kozyreva O.A., Voropaev K.O., Sudas D.P., Novikov I.I., Egorov A.Y. A heterostructure for resonant-cavity GaAs p-i-n photodiode with 840-860 nm wavelength. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1236. No. 1. pp. 012071.
Maksimov M.V., Shernyakov Y.M., Zubov F.I., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Rochas S.S., Kolodeznyi E.S., Egorov A.Y., Zhukov A.E. Temperature Dependence of the Parameters of 1.55-um Semiconductor Lasers with Thin Quantum Wells Based on Phosphorus-Free Heterostructures. Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 6. pp. 549–552.
Babichev A.V., Pashnev D.A., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Denisov D.V., Boulley L., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Pikhtin N., Bousseksou A., Egorov A.Y. Spectral shift of quantum-cascade laser emission under the action of control voltage. Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 11. pp. 1136-1139.
Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Nevedomskii V.N., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Sofronov A.N., Egorov A.Y. Spontaneous Emission and Lasing of a Two-Wavelength Quantum-Cascade Laser. Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 3. pp. 345-349.
Блохин С.А., Бобров М.А., Блохин А.А., Кузьменков А.Г., Малеев Н.А., Устинов В.М., Колодезный Е.С., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Ионов А.С., Егоров А.Ю. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.55 mM, сформированного методом спекания пластин. Оптика и спектроскопия. 2019. Т. 127. № 7. С. 145-149.
Rochas S.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Maximov M.V., Zubov F.I., Shernyakov Y.M., Karachinsky L.Y., Zhukov A.E., Denisov D.V., Egorov A.Y. Temperature performance of InGaAs/InGaAlAsTemperature performance of InGaAs/InGaAlAs laser diodes with delta-doping active region. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1410. No. 1. pp. 012104.
Blokhin S.A., Bobrov M.A., Blokhin A.A., Kuz’Menkov A.G., Maleev N.A., Ustinov V.M., Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y. Influence of Output Optical Losses on the Dynamic Characteristics of 1.55-mu m Wafer-Fused Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers. Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 8. pp. 1104-1109.
Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Kurochkin A.S., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Bougrov V.E., Egorov A.Y. Optical Gain in Laser Heterostructures with an Active Area Based on an InGaAs/InGaAlAs Superlattice. Optics and spectroscopy. 2019. Vol. 127. No. 6. pp. 1053-1056.
Бабичев А.В., Пашнев Д.А., Гладышев А.Г., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Денисов Д.В., Boulley L., Фирсов Д.А., Воробьев Л.Е., Пихтин Н.А., Bousseksou A., Егоров А.Ю. Спектральный сдвиг излучения квантово-каскадного лазера под действием управляющего напряжения. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 22. С. 21-23.
High performance wafer fused 1550 nm VCSELs
GaAs and InP wafer fusion for VCSEL fabrication
Влияние конструкции активной области на излучательные параметры лазерных диодов спектрального диапазона 1530-1565 нм
Temperature performance of InGaAs/InGaAlAs laser diodes with delta-doping active region
High-speed Photodetectors For O-, and C+L Transmission Bands in Microwave Photinic Channel
Влияние времени жизни фотонов на быстродействие вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания пластин
АНАЛИЗ ПАРАМЕТРОВ ВЕРТИКАЛЬНО-ИЗЛУЧАЮЩЕГО ЛАЗЕРА ДИАПАЗОНА 1535 1565 НМ ИЗГОТОВЛЕННОГО МЕТОДОМ СПЕКАНИЯ ПЛАСТИН
Влияние легирования барьерных слоёв на эффективность фотолюминесценции квантовых ям спектрального диапазона 1550 нм
Квантово-каскадные лазеры среднего ИК-диапазона: изготовление, диагностика и приборные характеристики
Graphene barristor based on ?-Ga2O3 and other wide bandgap semiconductors
Effect of barrier doping on photoluminescence of 1550 nm range multi quantum well heterostructures
High-speed Fiber-coupled InGaAs/InP Photodetector for С- and L- optical Wavelength Transmission Bands
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ РЕЗОНАНСНЫЙ P-I-N ФОТОПРИЕМНИК ДЛЯ ПЕРВОГО ОКНА ПРОЗРАЧНОСТИ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ЛИНИЙ СВЯЗИ
ОПТИМИЗАЦИЯ АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ ВЕРТИКАЛЬНО-ИЗЛУЧАЮЩЕГО ЛАЗЕРА, ИЗЛУЧАЮЩЕГО В СПЕКТРАЛЬНОМ ДИАПАЗОНЕ 1530-1565 НМ
Photoluminescence efficiency of 1550 nm quantum well heterostructures with delta-doping barriers
Разработка программы для расчета спектральных зависимостей коэффициента отражения полупроводниковых структур и отклонения параметров выращенной структуры от предварительного дизайна
Growth and optical characterization of 7.5 um quantum cascade laser heterostructures grown by MBE
Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Савельев А.В., Егоров А.Ю., Денисов Д.В. Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP. Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 9. С. 1034-1037.
Колодезный Е.С., Рочас С.С., Курочкин А.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Бобрецова Ю.К., Климов А.А., Блохин С.А., Воропаев К.О., Ионов А.С. Оптическое усиление гетероструктур с множественными квантовыми ямами в диапазоне длин волн 1550 nm и предельные частоты модуляции вертикально-излучающих лазеров на их основе. Оптика и спектроскопия. 2018. Т. 125. № 2. С. 229-233.
Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Соколовский Г.С., Бугров В.Е., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Bousseksou A., Егоров А.Ю. Лазерная генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 8 мкм при комнатной температуре. Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 8. С. 954-957.
Бабичев А.В., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Филимонов А.В., Усикова А.А., Неведомский В.Н., Гладышев А.Г., Денисов Д.В., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Егоров А.Ю. Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров. Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 6. С. 597-602.
Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Room Temperature Lasing of Multi-Stage Quantum-Cascade Lasers at 8 mu m Wavelength. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 8. pp. 1082-1085.
Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Blokhin S.A., Voropaev K.O., Ionov A.S. Erratum to: Optical Gain of 1550-nm Range Multiple-Quantum-Well Heterostructures and Limiting Modulation Frequencies of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on Them (vol 125, pg 238, 2018). Optics and spectroscopy. 2018. Vol. 125. No. 4. pp. 599.
Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Dudelev V.V., Nevedomsky V.N., Slipchenko S.O., Lutetskiy A.V., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Pikhtin N.A., Bousseksou A., Egorov A.Y. Quantum-cascade lasers of mid-IR spectral range: Epitaxy, diagnostics and device characteristics. EPJ Web of Conferences. 2018. Vol. 195. pp. 04001.
Buyalo M.S., Gadzhiyev I.M., Il'Inskaya N.D., Usikova A.A., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Egorov A.Y., Portnoi E.L. Mode-Locked Lasers with “Thin” Quantum Wells in 1.55 mu m Spectral Range. Technical Physics Letters. 2018. Vol. 44. No. 2. pp. 174-177.
Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.C., Filimonov A.V., Usikova A.A., Nevedomsky V.N., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y. Heterostructures of single-wavelength and dual-wavelength quantum-cascade lasers. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 6. pp. 745-749.
Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Blokhin S.A., Voropaev K.O., Ionov A.S. Optical Gain of 1550-nm Range Multiple-Quantum-Well Heterostructures and Limiting Modulation Frequencies of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on Them. Optics and spectroscopy. 2018. Vol. 125. No. 2. pp. 238-242.
Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Savelyev A.V., Egorov A.Y., Denisov D.V. On the Impact of Barrier-Layer Doping on the Photoluminescence Efficiency of InGaAlAs/InGaAs/InP Strained-Layer Heterostructures. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 9. pp. 1156-1159.
Babichev A.V., Gladyshev A.Y., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Dudelev V.V., Nevedomsky V.N., Slipchenko S.O., Lutetskiy A.V., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Pikhtin N.A., Egorov A.Y. Growth and optical characterization of 7.5 ?m quantum-cascade laser heterostructures grown by MBE. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1124. No. 4. pp. 041029.
Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Novikov I.I., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Effect of barrier doping on photoluminescence of 1550 nm range multi quantum well heterostructures. Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018. 2018. pp. 170.
Буяло М.С., Гаджиев И.М., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Егоров А.Ю., Портной Е.Л. Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 mum на основе "тонких" квантовых ям. Письма в Журнал технической физики. 2018. Т. 44. № 4. С. 95-102.
Гетероструктура для двух-частотного квантово-каскадного лазера
Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Филимонов А.В., Неведомский В.Н., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Соколовский Г.С., Бугров В.Е., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Bousseksou A., Егоров А.Ю. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7-8 РШ. Письма в Журнал технической физики. 2017. Т. 43. № 14. С. 64-71.
Kozyreva O.A., Solov'Ev V.V., Polukhin I.S., Mikhailov A.K., Mikhailovskiy G.A., Odnoblyudov M.A., Gareev E.Z., Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. High-speed 1.3 -1.55 um InGaAs/InP PIN photodetector for microwave photonics. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 917. No. 5. pp. 052029.
Полупроводниковый лазер с пассивной синхронизацией мод, излучающий на длине волны 1550 нм, для оптического аналого-цифрового преобразователя
Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Babichev A.V., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Usikova A.A., Ilynskaya N.D., Bougrov V.E., Egorov A.Y. Phosphorus-free mode-locked semiconductor laser with emission wavelength 1550 nm. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 917. No. 5. pp. 052021.
Novikov I.I., Babichev A.V., Bugrov V.E., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Savelyev A.V., Sokolovskii G.S., Egorov A.Y. The concept for realization of quantum-cascade lasers emitting at 7.5 Mum wavelength. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 929. No. 1. pp. 012082.
Babichev A.V., Gladyshev A.G., Filimonov A.V., Nevedomskii V.M., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bugrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Heterostructures for quantum-cascade lasers of the wavelength range of 7–8 mum. Technical Physics Letters. 2017. Vol. 43. No. 7. pp. 666-669.
Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Rochas S.S., Sharipo K.D., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. Study of antireflection coatings for high-speed 1.3 -1.55 um InGaAs/InP PIN photodetector. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2017. Vol. 32. No. 2. pp. 194-197.
Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Babichev A.V., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Usikova A.A., Egorov A.Y., Bougrov V.E. 1550 nm mode-locked semiconductor lasers for all-optical analog-to-digital conversion. AIP Conference Proceedings. 2017. Vol. 1874. pp. 040019.
Управление высотой барьера Шоттки на контакте графен/широкозонный полупроводник
Бесфосфорные лазеры с пассивной синхронизацией мод, излучающие на длине волны 1550 нм
Полупроводниковый лазер с пассивной синхронизацией мод на основе напряженных гетероструктур, излучающих на длине волны 1550 нм
Phosphorus-free mode-locked semiconductor laser with emission wavelength 1550 nm
Гетероструктура резонансного p-i-n фотоприемника спектрального диапазона 850 нм
Исследование оптических свойств легированных квантовых ям InGaAs спектрального диапазона 1550 нм
Рочас С.С., Шарипо К.Д., Колодезный Е.С., Козырева О.А., Егоров А.Ю. Разработка гетероструктуры резонансного P-I-N фотоприемника спектрального диапазона 840–860 НМ. Неделя науки СПбПУ: Материалы научного форума с международным участием (Санкт-Петербург, 13-19 ноября 2017 г.). Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. 2017. С. 272-274.
Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Курочкин А.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Задиранов Ю.М., Усикова А.А., Шерняков Ю.М., Савельев А.В., Няпшаев И.А., Егоров А.Ю. Усилительные свойства «тонких» упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм. Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 10. С. 1429-1433.
Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Егоров А.Ю., Михайлов А.К., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Гаджиев И.М., Ильинская Н.Д., Буяло М.С., Бугров В.Е. Полупроводниковые лазерные диоды спектрального диапазона 1520-1580 НМ для радиофотоники и телекоммуникаций. Электроника и микроэлектроника СВЧ. 2016. Т. 2. № 1. С. 302-306.
Нанофотонные компоненты для создания полностью аналого-цифровых преобразователей
Способы оптимизации волноводов квантово-каскадного лазера средней инфракрасной области спектра излучения
Призматические дислокационные петли различной формы в широкозонных полупроводниковых наноструктурах
Торцевые полупроводниковые лазерные диоды спектрального диапазона 1550 нм на основе механически напряженных гетероструктур InGaAs/InGaAlAs/InP
Структурные и оптические свойства упругонапряженных InGAs квантовых ям спектральног диапазона 1520-1580 нм
Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Zadiranov Y.M., Usikova A.A., Shernyakov Y.M., Savelyev A.V., Nyapshaev I.A., Egorov A.Y. On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 10. pp. 1412–1415.
Призматические дислокацинные петли различной формы в широкозонных полупроводниковых нанострутурах
High optical gain in phosphorus free 1550 nm laser diodes
Novikov I.I., Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Nevedomsky V.N., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Nadtochiy A.M., Egorov A.Y. The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2016. Vol. 29. No. 1. pp. 76-81.
Полупроводниковые лазерные диоды спектрального диапазона 1520-1580 нм для радиофотоники и телекоммуникаций
Polukhin I.S., Mikhailovskiy G.A., Rybalko D.A., Solov'Ev Y.V., Petukhov E.P., Odnoblyudov M.A., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Mikhailov A.K., Lipsanen H.K. Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2016. Vol. 29. No. 1. pp. 71-75.
Теплообмен в люминофорсодержащих слоях с различными матрицами в структуре мощных светодиодов
Heat management of phosphor layers with various matrices in high power LEDs
Рожков М.А., Колодезный Е.С., Смирнов А.М., Бугров В.Е., Романов А.Е. Сравнение характеристик диодов Шоттки на основе бета-Ga2O3 и других широкозонных полупроводниковых материалов [Comparison of characteristics of schottky diodes based on бета-Ga2O3 and other wide bandgap semiconductors]. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2015. Т. 24. № 2. С. 194-200.
Тепловое обеспечение мощных светодиодов, использующихся в промышленном освещении
Тепловое обеспечение люминофорсодержащих слоев мощных светодиодов
Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Molecular beam epitaxy grown strained heterostructures for active region of laser diode with emission wavelength 1520-1580 nm. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2015. Vol. 24. No. 3. pp. 284-288.
Thermal analysis of phosphor containing layers for light emitting dioes
Kolodeznyi E.S., Ivukin I.N., Serebryakova V.S., Bougrov V.E., Romanov A.E. Thermal analysis of phosphor containing silicone layer in high power LEDs. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2014. Vol. 21. No. 3. pp. 283-287.
Исследование эффективности ультрафиолетовых светоизлучающих структур на основе AlGaN
Ультрафиолетовые светоизлучающие диоды на основе твердых растворов AlGaN, созданные методом CHVPE
Российская Федерация, Санкт-Петербург
Нидерланды
США
Российская Федерация
Российская Федерация, Санкт-Петербург