Дунаевский Михаил Сергеевич

Дунаевский Михаил Сергеевич
кандидат физико-математических наук
доцент (квалификационная категория "доцент практики"), физико-технический факультет

Преподаваемые дисциплины в текущем учебном году

  • Функциональные наноматериалы

Наименование направления подготовки и (или) специальности

Педагогический стаж

Общий стаж:
4 года

Публикации

48
Статья
2020 год

Alekseev P.A., Sharov V.A., Borodin B.R., Dunaevskiy M.S., Reznik R.R., Cirlin G.E. Effect of the uniaxial compression on the GaAs nanowire solar cell. Micromachines. 2020. Vol. 11. No. 6. pp. 581.

Статья
2020 год

Borodin B.R., Benimetckiy F.A., Dunaevskiy M.S., Alekseev P.A. Anisotropy of local anodic oxidation process in thin MoSe2 films. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1697. No. 1. pp. 012096.

Статья
2019 год

Sharov V.A., Alekseev P.A., Dunaevskiy M.S., Reznik R.R., Cirlin G.E. Triboelectric current generation in InP. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1400. No. 6. pp. 066055.

Статья
2019 год

Sharov V.A., Alekseev P.A., Borodin B.R., Dunaevskiy M.S., Reznik R.R., Cirlin G.E. InP/Si Heterostructure for High-Current Hybrid Triboelectric/Photovoltaic Generation. ACS Applied Energy Materials. 2019. Vol. 2. No. 6. pp. 4395-4401.

Статья
2019 год

Borodin B.R., Benimetskiy F.A., Dunaevskiy M., Sharov V.A., Smirnov A.N., Davydov V.Y., Lahderanta E., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Alekseev P.A. MoSe2/graphene/6H-SiC heterojunctions: energy band diagram and photodegradation. Semiconductor Science and Technology. 2019. Vol. 34. No. 12. pp. 105794.R1.

Статья
2019 год

Borodin B.R., Alekseev P.A., Dunaevskiy M.S., Khayrudinov V., Lipsanen H. Analysis of doping distribution in horizontal GaAs nanowires with axial p-n junction by the conductive atomic force microscopy. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1410. No. 1. pp. 012228.

Статья
2019 год

Alekseev P.A., Sharov V.A., Dunaevskiy M.S., Kirilenko D.A., Ilkiv I.V., Reznik R.R., Cirlin G.E., Berkovits V.L. Control of Conductivity of In(x)G(a1-x)As Nanowires by Applied Tension and Surface States. Nano Letters. 2019. Vol. 19. No. 7. pp. 4463-4469.

Статья
2018 год

Borodin B.R., Dunaevskiy M.S., Benimetckiy F.A., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Alekseev P.A. Kelvin probe microscopy of MoSe 2 monolayers on graphene. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1124. No. 8. pp. 081031.

Статья
2018 год

Алексеев П.А., Бородин Б.Р., Дунаевский М.С., Смирнов А.Н., Лебедев С.П., Лебедев А.А. Локальное анодное окисление слоев графена на SIC. Письма в Журнал технической физики. 2018. Т. 44. № 9. С. 34-40.

Статья
2018 год

Alekseev P.A., Borodin B.R., Dunaevskii M.S., Smirnov A.N., Davydov V.Y., Lebedev S.P., Lebedev A.A. Local Anodic Oxidation of Graphene Layers on SiC. Technical Physics Letters. 2018. Vol. 44. No. 5. pp. 381-383.

Статья
2018 год

Alekseev P.A., Dunaevskiy M.S., Cirlin G.E., Reznik R.R., Smirnov A.N., Kirilenko D.A., Davydov V.Y., Berkovits V.L. Unified mechanism of the surface Fermi level pinning in III-As nanowires. Nanotechnology. 2018. Vol. 29. No. 31. pp. 314003.

Статья
2018 год

Lebedev A.A., Davydov V.Y., Usachov D.Y., Lebedev S.P., Smirnov A.N., Eliseyev I.A., Dunaevskiy M.S., Gushchina E.V., Bokai K., Pezoldt J. High Quality Graphene Grown by Sublimation on 4H-SiC (0001). Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 14. pp. 1882-1885.

Статья
2018 год

Alekseev P.A., Sharov V.A., Dunaevskiy M.S., Cirlin G.E., Reznik R.R., Berkovits V.L. Electromechanical Switch Based on InxGa1-xAs Nanowires. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 14. pp. 1833-1835.

Статья
2018 год

Алексеев П.А., Дунаевский М.С., Михайлов А.О., Лебедев С.П., Лебедев А.А., Илькив И.В., Хребтов А.И., Буравлев А.Д., Цырлин Г.Э. Электрические свойства gaas нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/sic. Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 12. С. 1507-1511.

Статья
2018 год

Butko A.V., Butko V.Y., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Davydov V.Y., Smirnov A.N., Eliseyev I.A., Dunaevskiy M., Kumzerov Y.A. State memory in solution gated epitaxial graphene. Applied Surface Science. 2018. Vol. 444. pp. 36-41.

Статья
2018 год

Alekseev P.A., Borodin B.R., Benimetskiy F.A., Smirnov A.N., Davydov V.Y., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Dunaevskiy M.S. Optical and electrical properties of the MoSe2/graphene heterostructures. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1092. No. 1. pp. 012002.

Статья
2018 год

Lebedev A.A., Davydov V.Y., Usachov D.Y., Lebedev S.P., Smirnov A.N., Levitskii V.S., Eliseyev I.A., Alekseev P.A., Dunaevskiy M.S., Rybkin A.G., Novikov S.V., Makarov Y.N. Study of properties and development of sensors based on graphene films grown on SiC (0001) by thermal destruction method. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 951. No. 1. pp. 012007.

Статья
2018 год

Alekseev P.A., Sharov V.A., Geydt P., Dunaevskiy M.S., Lysak V.V., Cirlin G.E., Reznik R.R., Khrebtov A.I., Soshnikov I.P., Lahderanta E. Piezoelectric current generation in wurtzite GaAs nanowires. Physica Status Solidi (RRL)- Rapid Research Letters. 2018. Vol. 12. No. 1. pp. 1700358.

Статья
2018 год

Alekseev P.A., Dunaevskiy M.S., Monakhov A.M., Dudelev V.V., Sokolovskii G.S., Arinero R., Teissier R., Baranov A.N. Half-disk laser: Insight into the internal mode structure of laser resonators. Optics express. 2018. Vol. 26. No. 11. pp. 14433-14443.

Статья
2018 год

Alekseev P.A., Sharov V.A., Geydt P., Dunaevskiy M.S., Soshnikov I.P., Reznik R.R., Lisak V., Lahderanta E., Cirlin G.E. GaAs Wurtzite Nanowires for Hybrid Piezoelectric Solar Cells. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 5. pp. 609-611.

Статья
2018 год

Dunaevskiy M.S., Alekseev P.A., Monahov A.M., Sokolovskii G.S., Baranov A.N., Teissier R. Visualization of spatial structure of optical modes in half-disk lasers. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1092. No. 1. pp. 012027.

Статья
2017 год

Alekseev P.A., Dunaevskiy M., Kirilenko D.A., Smirnov A.N., Davydov V.Y., Berkovits V.L. Observing visible-range photoluminescence in GaAs nanowires modified by laser irradiation. Journal of Applied Physics. 2017. Vol. 121. No. 7. pp. 074302.

Статья
2017 год

Alekseev P.A., Dunaevskiy M.S., Monakhov A.M., Dudelev V.V., Sokolovskii G.S., Teissier R., Baranov A.N. Spatial mode structure in a half-disk cavity laser. 2017 Conference on Lasers and Electro-Optics Europe & European Quantum Electronics Conference (CLEO/Europe-EQEC). 2017. pp. 1.

Статья
2017 год

Alekseev P.A., Geydt P., Dunaevskiy M.S., Lahderanta E., Haggren T., Kakko J.P., Lipsanen H. I-V curve hysteresis induced by gate-free charging of GaAs nanowires' surface oxide. Applied Physics Letters. 2017. Vol. 111. No. 13. pp. 132104.

Статья
2017 год

Dunaevskiy M.S., Geydt P., Lakhderanta E., Alekseev P., Haggren T., Kakko J., Jiang H., Lipsanen H. Young’s Modulus of Wurtzite and Zinc Blende InP Nanowires. Nano Letters. 2017. Vol. 17. No. 6. pp. 3441-3446.

Статья
2017 год

Sharov V.A., Dunaevskiy M.S., Kryzhanovskaya N.V., Polubavkina Y.S., Alekseev P.A. Light absorption by an atomic force microscope probe. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 816. No. 1. pp. 012036.

Статья
2017 год

Давыдов В.Ю., Усачев Д.Ю., Лебедев С.П., Смирнов А.Н., Левицкий В.С., Елисеев И.А., Алексеев П.А., Дунаевский М.С., Вилков О.Ю., Рыбкин А.Г., Лебедев А.А. Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6H-SIC (0001). Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. № 8. С. 1116-1124.

Статья
2017 год

Davydov V.Y., Usachov D.Y., Lebedev S.P., Smirnov A.N., Levitskii V.S., Eliseyev I.A., Alekseev P.A., Dunaevskiy M.S., Vilkov O.Y., Rybkin A.G., Lebedev A.A. Study of the crystal and electronic structure of graphene films grown on 6H-SiC (0001). Semiconductors. 2017. Vol. 51. No. 8. pp. 1072-1080.

Статья
2016 год

Geydt P., Dunaevskiy M.S., Alekseev A., Kakko J.P., Haggren T., Lahderanta E., Lipsanen H. Direct measurement of elastic modulus of InP nanowires with Scanning Probe Microscopy in PeakForce QNM mode. Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 769. No. 1. pp. 012029.

Статья
2016 год

Alekseev P.A., Dunaevskiy M.S., Monakhov A.M., Dudelev V.V., Sokolovskii G.S., Baranov A.N., Teissier R. AFM visualization of half-disk WGM laser modes. International Conference Laser Optics, LO 2016. 2016. pp. R320.

Статья
2016 год

Dunaevskiy M.S., Alekseev P., Dontsov A., Monakhov A., Girard P., Arinero R., Teissier R., Baranov A. Apertureless SPM method of light detection. AIP Conference Proceedings. 2016. Vol. 1748. pp. 020002.

Статья
2016 год

Geydt P., Alekseev P.A., Dunaevskiy M.S., Haggren T., Kakko J.P., Lahderanta E.M., Lipsanen H.K. Influence of surface passivation on electric properties of individual GaAs nanowires studied by current-voltage AFM measurements. Lithuanian Journal of Physics. 2016. Vol. 56. No. 2. pp. 92-101.

Статья
2015 год

Dunaevskiy M., Dontsov A., Alekseev P., Monakhov A., Baranov A., Arinero R., Teissier R., Titkov A. Apertureless scanning microscope probe as a detector of semiconductor laser emission. Applied Physics Letters. 2015. Vol. 106. No. 17. pp. 171105.

Статья
2015 год

Alekseev P.A., Dunaevskii M.S., Slipchenko S.O., Podoskin A.A., Tarasov I.S. Mapping of laser diode radiation intensity by atomic-force microscopy. Technical Physics Letters. 2015. Vol. 41. No. 9. pp. 870-873.

Статья
2015 год

Geydt P., Alekseev P., Dunaevskiy M., Lahderanta E., Haggren T., Kakko J.P., Lipsanen H.K. Observation of linear I-V curves on vertical GaAs nanowires with atomic force microscope. Journal of Physics: Conference Series. 2015. Vol. 661. No. 1. pp. 012031.

Статья
2015 год

Dement'Ev P.A., Alekseev P.A., Dunaevskii M.S., Aleshin A.N. Behavior of charges in the active zone of composite OFET under the source-drain electric field. Journal of Physics: Conference Series. 2015. Vol. 661. No. 1. pp. 012029.

Статья
2015 год

Alekseev P.A., Dunaevskii M.S., Ulin V.P., Lvova T.V., Filatov D.O., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Berkovits V.L. Nitride surface passivation of GaAs nanowires: Impact on surface state density. Nano Letters. 2015. Vol. 15. No. 1. pp. 63-68.

Статья
2014 год

Dement'Ev P.A., Dunaevskii M.S., Aleshin A.N., Titkov A.N., Makarenko I.V. Charge carrier accumulation and relaxation effects in the active region of polymer and composite (polymer-gold nanoparticles) field-effect transistor structures. Physics of the solid state. 2014. Vol. 56. No. 5. pp. 1054-1057.

Статья
2014 год

Gushchina E.V., Dunaevskii M.S., Alekseev P.A., Ozben E., Makarenko I.V., Titkov A.N. Behavior of charges locally injected into nanothin high-k SmScO3 dielectric. Technical Physics. 2014. Vol. 59. No. 10. pp. 1540-1544.

Статья
2013 год

Dunaevskii M.S., Alekseev P., Monakhov A., Titkov A., Baranov A., Teissier R., Arinero R., Girard P. Near field imaging of a semiconductor laser by scanning probe microscopy without a photodetector. Applied Physics Letters. 2013. Vol. 103. No. 5. pp. 053120.

Статья
2013 год

Dunaevskii M.S., Alekseev P.A., Lepsa M., Grutzmacher D., Titkov A.N. Charge accumulation on the surface of GaAs nanowires near the Schottky contact. Technical Physics Letters. 2013. Vol. 39. No. 2. pp. 209-212.

Статья
2013 год

Alekseev P.A., Dunaevskii M.S., Gushchina E.V., Ozben E., Lahderanta E., Titkov A.N. Behavior of locally injected charges in high-k nanolayers of LaScO3 insulator on a Si substrate. Technical Physics Letters. 2013. Vol. 39. No. 5. pp. 427-430.

Статья
2012 год

Alekseev P.A., Dunaevskii M.S., Stovpyaga A.V., Lepsa M., Titkov A.N. Measurement of Young's modulus of GaAs nanowires growing obliquely on a substrate. Semiconductors. 2012. Vol. 46. No. 5. pp. 641-646.

Статья
2012 год

Dunaevskii M.S., Alekseev P., Girard P., Lashkul A., Lahderanta E., Titkov A. Analysis of the lateral resolution of electrostatic force gradient microscopy. Journal of Applied Physics. 2012. Vol. 112. No. 6. pp. 064112.

Статья
2011 год

Dunaevskii M.S., Alekseev P., Girard P., Lahderanta E., Lashkul A., Titkov A. Kelvin probe force gradient microscopy of charge dissipation in nano thin dielectric layers. Journal of Applied Physics. 2011. Vol. 110. No. 8. pp. 084304.

Статья
2010 год

Dunaevskii M.S., Dement'Ev P.A., Samsonenko Y.B., Cirlin G.E., Titkov A.N. Current-voltage characteristics of silicon-doped GaAs nanowhiskers with a protecting AlGaAs coating overgrown with an undoped GaAs layer. Semiconductors. 2010. Vol. 44. No. 5. pp. 610-615.

Статья
2010 год

Dunaevskii M.S., Nikolaeva M., Ionov A. On the effect of polymer film switching into a high-conductivity state during metal electrode melting. Technical Physics. 2010. Vol. 55. No. 1. pp. 144-146.

Статья
2010 год

Dunaevskii M.S., Kunitsyna E., Lvova T.V., Terent'Ev Y., Semenov A., Solov'Ev V., Meltser B., Ivanov S.V., Yakovlev Y.P. Wet sulfur passivation of GaSb(100) surface for optoelectronic applications. Applied Surface Science. 2010. Vol. 256. No. 18. pp. 5644-5649.