Рочас Станислав Станиславович

Учебник, учебное пособие

Планарные технологии в оптоэлектронике

Статья

Andryushkin V., Novikov I.I., Pirogov E.V., Sobolev M.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Photoluminescence of 1300 nm Range Strained InGaAs/InGaAlAs Superlattices. Proceedings of the 2023 International Conference on Electrical Engineering and Photonics, EExPolytech 2023. 2023. pp. 363-365.

Учебник, учебное пособие

Характеристики источников лазерного и синхротронного излучения

Тезисы

Высокочувствительный p-i-n фотодиод на основе InP

Статья

Rochas S.S., Blokhin S.A., Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Blokhin A.A., Bobrov M.A., Maleev N.A., Andryushkin V.V., Bougrov V.E., Gladyshev A.G., Melnichenko I.A., Voropaev K.O., Zhumaeva I.O., Ustinov V.M., Li H., Tian S., Sapunov G.A., Egorov A.Y., Bimberg D. 1550 nm high-speed VCSELS based on compressively strained In(Al)GaAs QWs. Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки= St.Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. S1.1. pp. 456-462.

Статья

Rochas S.S., Babichev A.V., Blokhin S.A., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Blochin A., Bobrov M.A., Kuzmenkov A.G., Maleev N.A., Nevedomsky N.A., Andryushkin V.V., Voropaev K.O., Zhumaeva I.O., Ustinov V.M., Egorov A.Y., Bugrov V.E. 1550-nm waveband VCSELs made by wafer-fusion technique. Proceedings - International Conference Laser Optics 2022, ICLO 2022. 2022. pp. 1-1.

Статья

Ковач Я.Н., Андрюшкин В.В., Колодезный Е.С., Новиков И.И., Петренко А.А., Камарчук А.В., Рочас С.С., Бауман Д.А. Расчет и оптимизация оптической схемы фотоприемного модуля спектрального диапазона 1,3-1,6 мкм [Optimization of the optical scheme of a photodetector module operating in the spectral range of 1.3–1.6 mu m]. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics]. 2022. Т. 22. № 5(141). С. 873-880.

Статья

Rochas S.S., Kovach I.N., Kopytov P.E., Kremleva A., Egorov A.I. Review on Single-Mode Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers for High-Speed Data Transfer. Reviews on Advanced Materials and Technologies. 2022. Vol. 4. No. 4. pp. 1-16.

Статья

Blokhin S.A., Ledentsov N.J., Rochas S.S., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Chorchos L., Makarov O.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Blokhin A.A., Bobrov M.A., Maleev N.A., Andryushkin V.V., Voropaev K.O., Zhumaeva I.O., Ustinov V.M., Egorov A.Y., Ledentsov N.N. 1300-nm wafer-fused VCSELs with InGaAs/InAlGaAs superlattice-based active region. Proceedings of SPIE. 2022. Vol. 12020. pp. 120200K.

Статья

Andryushkin V.V., Blokhin S.A., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Blokhin A.A., Bobrov M.A., Maleev N.A., Rochas S.S., Voropaev K.O., Zhumaeva I.O., Ustinov V.M., Egorov A.Y. Superlattice based 1300-nm Wafer fused VCSELs fully grown by MBE. Proceedings - International Conference Laser Optics 2022, ICLO 2022. 2022. pp. 1-1.

Статья

Kovach Y., Petrenko A.A., Rochas S.S., Shiryaev D.S., Borodkin A.I., Kolodeznyi E.S. Ring-Shaped Contamination Detection System. Springer Proceedings in Physics. 2022. Vol. 268. pp. 421-427.

Статья

Блохин С.А., Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Блохин А.А., Бобров М.А., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Надточий А.В., Неведомский В.Н., Андрюшкин В.В., Рочас С.С., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Жумаева И.О., Устинов В.М., Егоров А.Ю., Бугров В.Е. Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm. Журнал технической физики. 2021. Т. 91. № 12. С. 2008-2017.

Статья

Novikov I.I., Nadtochiy A.M., Potapov A.Y., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Andryushkin V.V., Denisov D.V., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. Influence of the doping type on the temperature dependencies of the photoluminescence efficiency of InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures. Journal of Luminescence. 2021. Vol. 239. pp. 118393.

Тезисы

1.3 um vertical-cavity surface-emitting lasersbased on InGaAs/InGaAlAs superlattice

Тезисы

Особенности технологии спекания для источников излучения ближнего ИК-диапазона

Тезисы

Wafer fusion technique features for efficientand effective bonding of A3B5 materials

Тезисы

Вертикально-излучающий лазер на основе сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs, спектрального диапазона 1310 нм

Статья

Rochas S.S., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Babichev A.V., Blokhin S.A., Nevedomskii V.N., Voropaev K.O., Egorov A.Y. Wafer fusion technique features for near-IR laser sources. Journal of Physics: Conference Series. 2021. Vol. 2103. No. 1. pp. 012107.

Статья

Петренко А.А., Рочас С.С., Карачинский Л.Я., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Колодезный Е.С., Копытов П.Е., Бугров В.Е., Блохин С.А., Блохин А.А., Воропаев К.О., Егоров А.Ю. Характеризация режимов лазерной генерации вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1,3 мкм на основе короткопериодной сверхрешётки InGaAs/InGaAlAs. Оптический журнал. 2021. Т. 88. № 12. С. 11-16.

Статья

Blokhin S., Babichev A., Gladyshev A., Karachinsky L., Novikov I., Blokhin A., Rochas S., Denisov D., Voropaev K., Ionov A., Ledentsov N., Egorov A. Wafer-fused 1300 nm VCSELs with an active region based on superlattice. Electronics Letters. 2021. Vol. 57. No. 18. pp. 697-698.

Статья

Petrenko A., Rochas S.S., Karachinskii L.Y., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Kopytov P.E., Bugrov V., Blochin S., Blochin A., Voropaev K.O., Egorov A.Y. Characterization of lasing regimes of 1.3 mu m vertical-cavity surface-emitting lasers based on a short-period InGaAs/InGaAlAs superlattice. Journal of Optical Technology. 2021. Vol. 88. No. 12. pp. 688-691.

Статья

Andryushkin V., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Rochas S.S., Maleev N.A., Khvostikov V., Ber B.Y., Kuzmenkov A.G., Kizhaev S.S., Bougrov V.E. Investigation of the zinc diffusion process into epitaxial layers of indium phosphide and indium-gallium arsenide grown by molecular beam epitaxy. Journal of Optical Technology. 2021. Vol. 88. No. 12. pp. 742-745.

Статья

Rochas S.S., Karachinsky L.Y., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Kopytov P.E., Bougrov V.E., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Voropaev K.O., Egorov A.Y. Vertical cavity surface emitting lasers of 1.3 Mu m spectral range based on the InGaAs/InGaAlAs superlattice. Journal of Physics: Conference Series. 2021. Vol. 2103. No. 1. pp. 012176.

Статья

Блохин С.А., Бобров М.А., Блохин А.А., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Васильев А.П., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Гладышев А.Г., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Егоров А.Ю., Устинов В.М. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 um с туннельным переходом на основе слоев n+-InGaAs/p+-InGaAs/p+-InAlGaAs. Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 23. С. 3-7.

Статья

Блохин С.А., Бобров М.А., Блохин А.А., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Васильев А.П., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Гладышев А.Г., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Егоров А.Ю., Устинов В.М. Влияние латерального оптического ограничения на характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 um с заращенным туннельным переходом. Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 22. С. 3-8.

Статья

Smirnov A.M., Krasnitckii S.A., Rochas S.S., Gutkin M.Y. Critical conditions of dislocation generation in core-shell nanowires: A Review. Reviews on Advanced Materials and Technologies. 2020. Vol. 2. No. 3. pp. 19-43.

Статья

Rochas S.S., Novikov I.I., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Karachinsky L.Y., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Shernyakov Y.M., Zhukov A.E., Egorov A.Y. 1.55 Mu m range edge-emitting laser diodes based on InGaAs/InGaAlAs superlattice and InGaAs quantum wells. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1695. No. 1. pp. 012072.

Статья

Blokhin S.A., Nevedomsky V.N., Bobrov M.A., Maleev N.A., Blokhin A.A., Kuzmenkov A.G., Vasyl’Ev A.P., Rochas S.S., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y., Ustinov V.M. 1.55-mu m-Range Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, Manufactured by Wafer Fusion of Heterostructures Grown by Solid-Source Molecular-Beam Epitaxy. Semiconductors. 2020. Vol. 54. No. 10. pp. 1276-1283.

Тезисы

Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленный методом спекания пластин, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Статья

Rochas S.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Babichev A.V., Andryushkin V.V., Nevedomskii V.N., Denisov D.V., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. The Influence of the Parameters of a Short-Period InGaAs/InGaAlAs Superlattice on Photoluminescence Efficiency. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 11. pp. 1128–1131.

Тезисы

Optical gain in laser heterostructures with active region based on InGaAs/InGaAlAs superlattice

Статья

Blokhin S.A., Bobrov M.A., Maleev N.A., Blokhin A.A., Kuz’Menkov A.G., Vasil’Ev A.P., Rochas S.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y., Ustinov V.M. Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser for the 1.55-mu m Spectral Range with Tunnel Junction Based on n++-InGaAs/p++-InGaAs/p++-InAlGaAs Layers. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 9. pp. 854–858.

Тезисы

Система детектирования загрязнений лидара беспилотного автомобиля

Тезисы

Эффект насыщающегося поглотителя в вертикальноизлучающих лазерах спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания пластин

Статья

Блохин С.А., Бобров М.А., Блохин А.А., Васильев А.П., Кузьменков А.Г., Малеев Н.А., Рочас С.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Ионов А.С., Егоров А.Ю., Устинов В.М. Эффект насыщающегося поглотителя в длинноволновых вертикально-излучающих лазерах, реализованных по технологии спекания. Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 24. С. 49-54.

Статья

Blokhin S.A., Bobrov M.A., Blokhin A.A., Vasil’Ev A.P., Kuz’Menkov A.G., Maleev N.A., Rochas S.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y., Ustinov V.M. The Effect of a Saturable Absorber in Long-Wavelength Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Fabricated by Wafer Fusion Technology. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 12. pp. 1257-1262.

Статья

Blokhin S.A., Bobrov M.A., Maleev N.A., Blokhin A.A., Kuzmenkov A.G., Vasil’Ev A.P., Rochas S.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y., Ustinov V.M. A Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser for the 1.55-mu m Spectral Range with Tunnel Junction Based onn(++)-InGaAs/p(++)-InGaAs/p(++)-InAlGaAs Layers. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 9. pp. 854-858.

Статья

Блохин С.А., Неведомский В.Н., Бобров М.А., Малеев Н.А., Блохин А.А., Кузьменков А.Г., Васильев А.П., Рочас С.С., Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Ионов А.С., Егоров А.Ю., Устинов В.М. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников. Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 10. С. 1088-1096.

Статья

Блохин С.А., Бобров М.А., Малеев Н.А., Блохин А.А., Кузьменков А.Г., Васильев А.П., Рочас С.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Ионов А.С., Егоров А.Ю., Устинов В.М. Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 um с туннельным переходом на основе слоев n++-InGaAs/p++-InGaAs/p++-InAlGaAs. Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 17. С. 21-25.

Статья

Ковач Я.Н., Рочас С.С. Кольцевая оптическая система детектирования загрязнений. Неделя науки ИФНиТ: сборник материалов Всероссийской конференции (Санкт-Петербург, 16–20ноября 2020г.). 2020. С. 150-153.

Статья

Blokhin S.A., Bobrov M.A., Maleev N.A., Blokhin A.A., Vasyl’Ev A.P., Kuzmenkov A.G., Troshkov S.I., Ustinov V.M., Rochas S.S., Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y. Vertical cavity surface emitting laser of 1.55 Mu m spectral range, manufactured by molecular beam epitaxy and wafer fusion technique. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1697. No. 1. pp. 012178.

Статья

Рочас С.С., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Колодезный Е.С., Бабичев А.В., Андрюшкин В.В., Неведомский В.Н., Денисов Д.В., Карачинский Л.Я., Егоров А.Ю., Бугров В.Е. Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции. Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 22. С. 27-30.

Учебник, учебное пособие

Оптоэлектронные приборы: характеристики и применения. Методические указания к выполнению лабораторных работ.

Статья

Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Зубов Ф.И., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Рочас С.С., Колодезный Е.С., Егоров А.Ю., Жуков А.Е. Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 mM на основе бесфосфорных гетероструктур. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 11. С. 20-23.

Тезисы

АНАЛИЗ ПАРАМЕТРОВ ВЕРТИКАЛЬНО-ИЗЛУЧАЮЩЕГО ЛАЗЕРА ДИАПАЗОНА 1535 1565 НМ ИЗГОТОВЛЕННОГО МЕТОДОМ СПЕКАНИЯ ПЛАСТИН

Тезисы

Влияние времени жизни фотонов на быстродействие вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания пластин

Тезисы

High-speed Photodetectors For O-, and C+L Transmission Bands in Microwave Photinic Channel

Тезисы

Влияние конструкции активной области на излучательные параметры лазерных диодов спектрального диапазона 1530-1565 нм

Тезисы

GaAs and InP wafer fusion for VCSEL fabrication

Тезисы

High performance wafer fused 1550 nm VCSELs

Статья

Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Kurochkin A.S., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Bougrov V.E., Egorov A.Y. Optical Gain in Laser Heterostructures with an Active Area Based on an InGaAs/InGaAlAs Superlattice. Optics and spectroscopy. 2019. Vol. 127. No. 6. pp. 1053-1056.

Статья

Блохин С.А., Бобров М.А., Блохин А.А., Кузьменков А.Г., Малеев Н.А., Устинов В.М., Колодезный Е.С., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Ионов А.С., Егоров А.Ю. Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин. Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. № 8. С. 1128-1134.

Статья

Rochas S.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Maximov M.V., Zubov F.I., Shernyakov Y.M., Karachinsky L.Y., Zhukov A.E., Denisov D.V., Egorov A.Y. Temperature performance of InGaAs/InGaAlAsTemperature performance of InGaAs/InGaAlAs laser diodes with delta-doping active region. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1410. No. 1. pp. 012104.

Статья

Блохин С.А., Бобров М.А., Блохин А.А., Кузьменков А.Г., Малеев Н.А., Устинов В.М., Колодезный Е.С., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Ионов А.С., Егоров А.Ю. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.55 mM, сформированного методом спекания пластин. Оптика и спектроскопия. 2019. Т. 127. № 7. С. 145-149.

Статья

Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Колодезный Е.С., Рочас С.С., Курочкин А.С., Бобрецова Ю.К., Климов А.А., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Ионов А.С., Бугров В.Е., Егоров А.Ю. Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs. Оптика и спектроскопия. 2019. Т. 127. № 12. С. 963-966.

Статья

Blokhin S.A., Bobrov M.A., Blokhin A.A., Kuzmenkov A.G., Maleev N.A., Ustinov V.M., Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y. Analysis of the Internal Optical Losses of the Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser of the Spectral Range of 1.55 µm Formed by a Plate Sintering Technique. Optics and spectroscopy. 2019. Vol. 127. No. 1. pp. 140-144.

Тезисы

Temperature performance of InGaAs/InGaAlAs laser diodes with delta-doping active region

Статья

Kolodeznyi E.C., Rochas S.S., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Blokhin S.A., Voropaev K.O., Ionov A.S. Optical Gain of 1550-nm-Range Multiple-Quantum-Well Heterostructures and Limiting Modulation Frequencies of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on Them (vol 125, pg 238, 2018). Optics and spectroscopy. 2019. Vol. 126. No. 6. pp. 788.

Статья

Blokhin S.A., Bobrov M.A., Blokhin A.A., Kuz’Menkov A.G., Maleev N.A., Ustinov V.M., Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y. Influence of Output Optical Losses on the Dynamic Characteristics of 1.55-mu m Wafer-Fused Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers. Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 8. pp. 1104-1109.

Статья

Rochas S.S., Kolodeznyi E.S., Kozyreva O.A., Voropaev K.O., Sudas D.P., Novikov I.I., Egorov A.Y. A heterostructure for resonant-cavity GaAs p-i-n photodiode with 840-860 nm wavelength. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1236. No. 1. pp. 012071.

Статья

Maksimov M.V., Shernyakov Y.M., Zubov F.I., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Rochas S.S., Kolodeznyi E.S., Egorov A.Y., Zhukov A.E. Temperature Dependence of the Parameters of 1.55-um Semiconductor Lasers with Thin Quantum Wells Based on Phosphorus-Free Heterostructures. Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 6. pp. 549–552.

Тезисы

Photoluminescence efficiency of 1550 nm quantum well heterostructures with delta-doping barriers

Статья

Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Novikov I.I., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Effect of barrier doping on photoluminescence of 1550 nm range multi quantum well heterostructures. Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018. 2018. pp. 170.

Статья

Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Blokhin S.A., Voropaev K.O., Ionov A.S. Optical Gain of 1550-nm Range Multiple-Quantum-Well Heterostructures and Limiting Modulation Frequencies of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on Them. Optics and spectroscopy. 2018. Vol. 125. No. 2. pp. 238-242.

Статья

Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Blokhin S.A., Voropaev K.O., Ionov A.S. Erratum to: Optical Gain of 1550-nm Range Multiple-Quantum-Well Heterostructures and Limiting Modulation Frequencies of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on Them (vol 125, pg 238, 2018). Optics and spectroscopy. 2018. Vol. 125. No. 4. pp. 599.

Статья

Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Савельев А.В., Егоров А.Ю., Денисов Д.В. Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP. Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 9. С. 1034-1037.

Тезисы

ОПТИМИЗАЦИЯ АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ ВЕРТИКАЛЬНО-ИЗЛУЧАЮЩЕГО ЛАЗЕРА, ИЗЛУЧАЮЩЕГО В СПЕКТРАЛЬНОМ ДИАПАЗОНЕ 1530-1565 НМ

Тезисы

СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ РЕЗОНАНСНЫЙ P-I-N ФОТОПРИЕМНИК ДЛЯ ПЕРВОГО ОКНА ПРОЗРАЧНОСТИ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ЛИНИЙ СВЯЗИ

Статья

Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Savelyev A.V., Egorov A.Y., Denisov D.V. On the Impact of Barrier-Layer Doping on the Photoluminescence Efficiency of InGaAlAs/InGaAs/InP Strained-Layer Heterostructures. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 9. pp. 1156-1159.

Тезисы

Влияние легирования барьерных слоёв на эффективность фотолюминесценции квантовых ям спектрального диапазона 1550 нм

Тезисы

Effect of barrier doping on photoluminescence of 1550 nm range multi quantum well heterostructures

Статья

Колодезный Е.С., Рочас С.С., Курочкин А.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Бобрецова Ю.К., Климов А.А., Блохин С.А., Воропаев К.О., Ионов А.С. Оптическое усиление гетероструктур с множественными квантовыми ямами в диапазоне длин волн 1550 nm и предельные частоты модуляции вертикально-излучающих лазеров на их основе. Оптика и спектроскопия. 2018. Т. 125. № 2. С. 229-233.

Статья

Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Rochas S.S., Sharipo K.D., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. Study of antireflection coatings for high-speed 1.3 -1.55 um InGaAs/InP PIN photodetector. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2017. Vol. 32. No. 2. pp. 194-197.

Статья

Рочас С.С., Шарипо К.Д., Колодезный Е.С., Козырева О.А., Егоров А.Ю. Разработка гетероструктуры резонансного P-I-N фотоприемника спектрального диапазона 840–860 НМ. Неделя науки СПбПУ: Материалы научного форума с международным участием (Санкт-Петербург, 13-19 ноября 2017 г.). Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. 2017. С. 272-274.

Тезисы

Гетероструктура резонансного p-i-n фотоприемника спектрального диапазона 850 нм