Мынбаев Карим Джафарович

Статья

Ruzhevich M.S., Mynbaev K.D., Firsov D.D., Chumanov I.V., Komkov O.S., Marin D.V., Varavin V.S., Yakushev M.V. Arsenic-doped HgCdTe: FTIR photoluminescence and photoreflectance spectroscopy study. Solid State Communications. 2024. Vol. 394. pp. 115720.

Статья

Ruzhevich M.S., Firsov D.D., Komkov O.S., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Yakushev M.V. Photoluminescence of Arsenic Doped Epitaxial Films of Cd0.3Hg0.7Te. Semiconductors. 2024. Vol. 58. No. 4. pp. 345-348.

Статья

Ruzhevich M.S., Mynbaev K.D., Баженов Н.Л., Romanov V.V., Моисеев К.Д. Electroluminescence of narrow-gap InAs/InAs1–ySby/InAsSbP heterostructures with y = 0.07–0.12. Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки = St.Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics. 2024. Vol. 17. No. 1. 1. pp. 77-82.

Статья

Ружевич М.С., Мынбаев К.Д., Фирсов Д.Д., Комков О.С., Варавин В.С., Ремесник В.Г., Якушев М.В. Оптические свойства эпитаксиальных пленок HgCdTe, легированных мышьяком. Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 5. С. 33-42.

Статья

Ruzhevich M.S., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Dorogov M.V., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Uzhakov I.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V. Optical properties and disorder of HgCdTe films grown by molecular beam epitaxy. Journal of Optical Technology. 2024. Vol. 91. No. 2. pp. 77-82.

Статья

Ружевич М.С., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Дорогов М.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Ужаков И.Н., Ремесник В.Г., Якушев М.В. Оптические свойства и разупорядочение плёнок HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 23-33.

Статья

Kaveev A.K., Fedorov V.V., Pavlov A.V., Miniv D.V., Ustimenko R.V., Goltaev A., Dvoretckaia L., Mozharov A.M., Fedina S.V., Kirilenko D.A., Vinnichenko M.Y., Mynbaev K.D., Mukhin I.S. Growth, Crystal Structure, and Photoluminescent Properties of Dilute Nitride InAsN Nanowires on Silicon for Infrared Optoelectronics. ACS Applied Nano Materials. 2024. Vol. 7. No. 3. pp. 3458-3467.

Статья

Ruzhevich M.S., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Varavin V.S., Remesnik V.G., Mikhailov N.N., Yakushev M.V. Photoluminescence of Hg0.3Cd0.7Te and Hg0.7Cd0.3Te Epitaxial Films. Semiconductors. 2024. Vol. 58. No. 2. pp. 176-179.

Статья

Ружевич М.С., Фирсов Д.Д., Комков О.С., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Якушев М.В. Фотолюминесценция эпитаксиальных пленок Cd0.3Hg0.7Te, легированных мышьяком. Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 57. № 6. С. 491-494.

Статья

Andryushchenko D.A., Ruzhevich M.S., Smirnov A.M., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Remesnik V.G. Optical and Structural Properties of Hg0.7Cd0.3Te Epitaxial Films. Semiconductors. 2023. Vol. 57. No. 12. pp. 519-523.

Статья

Ружевич М.С., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Дорогов М.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Ужаков И.Н. Характеризация широкозонных слоев в лазерных структурах на основе CdHgTe. Физика твердого тела. 2023. Т. 65. № 3. С. 411-414.

Статья

Ружевич М.С., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Варавин В.С., Ремесник В.Г., Михайлов Н.Н., Якушев М.В. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Hg0.3Cd0.7Te и Hg0.7Cd0.3Te. Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 57. № 8. С. 640-643.

Статья

Ruzhevich M.S., Semakova A.A., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L. Optical transitions in long-wavelength light-emitting diode heterostructures based on InAsSb. Journal of Optical Technology. 2023. Vol. 90. No. 7. pp. 362-368.

Статья

Semakova A.A., Ruzhevich M.S., Romanov V.V., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Moiseev K.D. Stimulated Emission in the InAs/InAsSb/InAsSbP Heterostructures with Asymmetric Electronic Confinement. Semiconductors. 2023. Vol. 57. No. 5. pp. 263-267.

Статья

Ружевич М.С., Семакова А.А., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л. Оптические переходы в длинноволновых светодиодных гетероструктурах на основе InAsSb. Оптический журнал. 2023. Т. 90. № 7. С. 15-25.

Статья

Семакова А.А., Ружевич М.С., Романов В.В., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Моисеев К.Д. Стимулированное излучение в гетероструктурах InAs/InAsSb/InAsSbP с асимметричным электронным ограничением. Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 9. С. 876-881.

Статья

Баженова Н.Л., Мынбаев К.Д., Семакова А.А., Зегря Г.Г. Сравнительный анализ эффективности электролюминесценции в гетероструктурах I и II типа на основе узкозонных соединений АIIIBV. Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 5. С. 179-185.

Статья

Ruzhevich M.S., Mynbaev K.D. Photoluminescence in Mercury Cadmium Telluride – a Historical Retrospective. Part II: 2004–2022. Reviews on Advanced Materials and Technologies. 2022. Vol. 4. No. 4. pp. 17-38.

Статья

Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Semakova A.A., Zegrya G.G. Comparative Analysis of the Electroluminescence Efficiency in Type-I and Type-II Heterostructures Based on III–V Narrow-Gap Compounds. Semiconductors. 2022. Vol. 56. No. 2. pp. 43-49.

Статья

Semakova A.A., Smirnov A.M., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Pivovarova A., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D. Spectral and Electrical Properties of LED Heterostructures with InAs-based Active Layer. Semiconductors. 2021. Vol. 55. No. 12. pp. 989-984.

Статья

Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D. Study of the Current–Voltage Characteristics of InAsSb-Based LED Heterostructures in the 4.2–300 K Temperature Range. Semiconductors. 2021. Vol. 55. No. 6. pp. 557-561.

Статья

Семакова А.А., Романов В.В., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Моисеев К.Д. Подавление температурной зависимости длины волны излучения в светодиодных структурах со ступенчатым гетеропереходом II типа InAsSb/InAsSbP. Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 3. С. 277-281.

Статья

Semakova A.A., Romanov V.V., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Moiseev K.D. Suppressing the Temperature Dependence of the Wavelength in Heterostructures with a Staggered Type-II InAsSb/InAsSbP Heterojunction. Semiconductors. 2021. Vol. 55. No. 3. pp. 354-358.

Статья

Семакова А.А., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Черняев А.В., Кижаев С.С., Стоянов Н.Д. Исследование вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур на основе InAsSb в диапазоне температур 4.2-300 К. Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 6. С. 502-506.

Статья

Mynbaeva M.G., Smirnov A.N., Mynbaev K.D. Optical Properties of Quasi-Bulk Gallium-Nitride Crystals with Highly Oriented Texture Structure. Semiconductors. 2021. Vol. 55. No. 7. pp. 617-620.

Статья

Семакова А.А., Смирнов А.М., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Пивоварова А.А., Черняев А.В., Кижаев С.С., Стоянов Н.Д. Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs. Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 8. С. 682-687.

Статья

Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Fitsych O.I., Swiatek Z., Jakiela R. Accumulation of Arsenic Implantation-Induced Donor Defects in Hg0.7Cd0.3Te Heteroepitaxial Structures. Journal of Electronic Materials. 2021. Vol. 50. No. 6. pp. 3714-3721.

Статья

Андрющенко Д.А., Ружевич М.С., Смирнов А.М., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Ремесник В.Г. Оптические и структурные свойства эпитаксиальных слоев Hg0.7Cd0.3Te. Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 11. С. 1040-1044.

Статья

Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Fitsych O.I., Swiatek Z., Jakiela R. Analysis of carrier species in arsenic-implanted p- and n-type Hg0.7Cd0.3Te. Infrared Physics and Technology. 2021. Vol. 114. pp. 103665.

Статья

Мынбаева М.Г., Смирнов А.Н., Мынбаев К.Д. Оптические свойства квазиобъемных кристаллов нитрида галлия со структурой высокоориентированной текстуры. Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 7. С. 554-558.

Статья

Andryushchenko D.A., Ruzhevich M.S., Smirnov A.M., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D. Optical and structural studies of Hg0.7Cd0.3Te samples grown by various methods. Journal of Physics: Conference Series. 2021. Vol. 2103. No. 1. pp. 012148.

Статья

Semakova A.A., Romanov V.V., Moiseev K.D., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D. Variable-temperature luminescence studies of InAsSb-based LED heterostructures emitting beyond 5 Mum. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1482. No. 1. pp. 012023.

Статья

Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Sidorov G.Y. Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing. Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 392. pp. 125760.

Статья

Ruzhevich M.S., Mynbaev K.D. Photoluminescence in Mercury Cadmium Telluride – a Historical Retrospective. Part I: 1966-1996. Reviews on Advanced Materials and Technologies. 2020. Vol. 2. No. 4. pp. 47-64.

Статья

Семакова А.А., Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Кижаев С.С., Черняев А.В., Стоянов Н.Д., Липсанен Х. Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из INAS. Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 3. С. 51-54.

Статья

Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Курбанов К.Р., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Swiatek Z., Morgiel J. Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ. Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63. № 2. С. 98-103.

Статья

Izhnin I.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A., Mynbaev K.D., Kurbanov K.R., Varavin V.S., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V., Swiatek Z., Morgiel J. Localization and Nature of Radiation Donor Defects in the Arsenic Implanted Cdhgte Films Grown by MBE. Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63. No. 2. pp. 290-295.

Статья

Mynbaeva M.G., Sitnikova A.A., Smirnov A.N., Mynbaev K.D., Lipsanen H.K., Kremleva A.V., Bauman D.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. On cracking in thick GaN layers grown on sapphire substrates. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2020. Vol. 44. No. 1. pp. 1-7.

Статья

Semakova A.A., Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Kizhaev S.S., Chernyaev A.V., Stoyanov N.D., Lipsanen H. Experimental study and simulation of the spectral characteristics of LED heterostructures with an InAs active region. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 2. pp. 150-153.

Статья

Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovskii A., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Korotaev A., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Marin D., Yakushev M.V., Swiatek Z., Morgiel J., Bonchyk O.Y. Electrical and microscopic characterization of p+-type layers formed in HgCdTe by arsenic implantation. Semiconductor Science and Technology. 2020. Vol. 35. No. 11. pp. 115019.

Статья

Mynbaev K.D., Smirnov A.M., Bazhenov N.L., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V. Optical Studies of Molecular-Beam Epitaxy-Grown Hg1-xCdxTe with x=0.7-0.8. Journal of Electronic Materials. 2020. Vol. 49. No. 8. pp. 4642–4646.

Статья

Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Swiatek Z., Morgiel J., Voitsekhovskii A., Korotaev A.G., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Marin D.V., Yakushev M.V., Fitsych O.I., Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V. Direct comparison of the results of arsenic ion implantation in n– and p–type Hg0.8Cd0.2Te. Infrared Physics & Technology. 2020. Vol. 109. pp. 103388.

Статья

Semakova A.A., Romanov V.V., Moiseev K.D., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D. Temperature dependence of the optical and electrical properties of long-wavelength InAsSb-based LED heterostructures. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1697. No. 1. pp. 012168.

Статья

Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Smirnov A.M., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V. Optical and Structural Properties of HgCdTe Solid Solutions with a High CdTe Content. Semiconductors. 2020. Vol. 54. No. 12. pp. 1561-1566.

Статья

Mynbaeva M.G., Ivanova E.V., Kirilenko D.A., Smirnov A.N., Mynbaev K.D. Emission properties of textured gallium nitride with high density of stacking faults. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1697. No. 1. pp. 012064.

Статья

Lipnitskaya S.N., Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D. Numerical simulations of power characteristics and emission spectra of InAs(Sb)-based mid-infrared LED structures. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1697. No. 1. pp. 012176.

Статья

Mikhailov N., Shvets V., Ikusov D., Uzhakov I., Dvoretsky S., Mynbaev K.D., Dluzewski P., Morgiel J., Swiatek Z., Bonchyk O., Izhnin I. Interface Studies in HgTe/HgCdTe Quantum Wells. Physica status solidi (b). 2020. Vol. 257. No. 5. pp. 1900598.

Статья

Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Смирнов А.М., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г. Оптические и структурные свойства твердых растворов HGCDTE с большим содержанием CDTE. Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 12. С. 1302-1308.

Статья

Kuzmenko E.V., Semakova A.A., Bazhenov N.L., Kizhaev S.S., Chernyaev A.V., Stoyanov N.N., Mynbaev K.D. Study of current-voltage characteristics of InAsSb-based LED heterostructures in 4.2 - 300 K temperature range. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1482. No. 1. pp. 012024.

Статья

Andryushchenko D.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Mikhailov N.N., Remesnik V.G. Optical studies of wide-bandgap HgCdTe material used in potential-and quantum-well structures. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1482. No. 1. pp. 012002.

Статья

Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V., Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Syvorotka I.I., Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Fitsych O.I., Varavin V.S., Marin D.V., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Swiatek Z., Morgiel J., Jakiela R. Nano-size defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy. Applied Nanoscience. 2020. Vol. 10. No. 12. pp. 4971-4976.

Статья

Korotaev A.G., Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Fitsych O.I., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V., Swiatek Z., Morgiel J. Hall-effect studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing. Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 393. pp. 125721.

Статья

Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V., Swiatek Z., Morgiel Y., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Fitsych O.I., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V. TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells. Applied Nanoscience. 2020. Vol. 10. No. 8. pp. 2867-2871.

Статья

Izhnin I.I., Izhnin A.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I., Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Zegrya G.G. Luminescence studies of HgCdTe- and InAsSb-based quantum-well structures. Applied Nanoscience. 2019. Vol. 9. No. 5. pp. 617-622.

Статья

Andryushchenko D.A., Trapeznikova I.N., Bazhenov N.L., Yagovkina M.A., Mynbaev K.D., Remesnik V.G., Varavin V.S. Strong Disorder in HgCdTe Studied with Optical Methods and X-Ray Diffraction. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1400. No. 6. pp. 066038.

Тезисы

Спонтанное и стимулированное излучение в светодиодных гетероструктурах с активной областью из InAs

Тезисы

Разупорядочение кристаллической решетки и точечные дефекты в слоях HgCdTe, выращенных методом МЛЭ на подложках Si и GaAs

Тезисы

Радиационные донорные дефекты в имплантированных As пленках МЛЭ CdHgTe: пространственное распределение и природа

Тезисы

Термические отжиги имплантированных мышьяком МЛЭ пленок CdHgTe

Статья

Izhnin I.I., Syvorotka I.I., Fitsych O.I., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Marin D.V., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G. Electrical profiling of arsenic-implanted HgCdTe films performed with discrete mobility spectrum analysis. Semiconductor Science and Technology. 2019. Vol. 34. No. 3. pp. 035009.

Статья

Semakova A.A., Lipnitskaya S.N., Bazhenov N.L., Kizhaev S.S., Chernyaev A.V., Stoyanov N.D., Mynbaev K.D. Spontaneous and stimulated emission in InAs-based LED heterostructures. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1400. No. 6. pp. 066044.

Статья

Иванов-Омский В.И., Мынбаев К.Д., Трапезникова И.Н., Андрющенко Д.А., Баженов Н.Л., Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Ремесник В.Г., Дворецкий С.А., Якушев М.В. Исследование разупорядочения в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути оптическими методами. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 11. С. 24-27.

Статья

Bonchyk O.Y., Savytskyy H., Swiatek Z., Morgiel Y., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Fitsych O.I., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Marin D.V., Yakushev M.V. Nano-size defects in arsenic-implanted HgCdTe films: a HRTEM study. Applied Nanoscience. 2019. Vol. 9. No. 5. pp. 725-730.

Статья

Левин Р.В., Пушный Б.В., Федоров И.В., Усикова А.А., Неведомский В.Н., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Павлов Н.В., Зегря Г.Г. Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев INAS/GASB. Журнал технической физики. 2019. Т. 89. № 10. С. 1592-1597.

Статья

Levin R.V., Pushnyi B.V., Fedorov I.V., Usikova A.A., Nevedomskii V.N., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Pavlov N.V., Zegrya G.G. Examination of the Capabilities of Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy in Fabrication of Thin InAs/GaSb Layers. Technical Physics. 2019. Vol. 64. No. 10. pp. 1509-1514.

Статья

Fedorov I.V., Levin R.V., Nevedomsky V.N., Usikova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Pushnyi B.V., Zegrya G.G. IR diode structures based on II-Type InAs/GaSb superlattices grown by MOCVD. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1199. No. 1. pp. 012016.

Статья

Izhnin I.I., Fitsych O.I., Swiaotek Z., Morgiel Y., Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Effect of annealing on the structural properties of arsenic-implanted mercury cadmium telluride. Opto-electronics Review. 2019. Vol. 27. No. 1. pp. 14-17.

Статья

Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Semakova A.A., Zegrya G.G. Carrier Lifetime in Semiconductors with Band-Gap Widths Close to the Spin-Orbit Splitting Energies. Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 4. pp. 428-433.

Статья

Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Syvorotka I.I., Fitsych O.I., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N., Remesnik V.G., Yakushev M.V., Swiatek Z., Morgiel J., Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V. Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis. Infrared Physics and Technology. 2019. Vol. 98. pp. 230-235.

Статья

Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Семакова А.А., Зегря Г.Г. Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления. Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. № 4. С. 450-455.

Статья

Krasnitckii A.S., Smirnov A.M., Mynbaev K.D., Zhigilei L.V., Gutkin M.Y. Axial misfit stress relaxation in core-shell nanowires with hexagonal core via nucleation of rectangular prismatic dislocation loops. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2019. Vol. 42. No. 6. pp. 776-783.

Статья

Ivanov-Omskii V.I., Mynbaev K.D., Trapeznikova I.N., Andryushchenko D.A., Bazhenov N.L., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Remesnik V.G., Dvoretskii S.A., Yakushev M.V. An Optical Study of Disordering in Cadmium Mercury Telluride Solid Solutions. Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 6. pp. 553-556.

Статья

Pociask-Bialy M., Mynbaev K.D., Kaczmarzyk M. Light trapping by chemically micro-textured glass for crystalline silicon solar cells. Opto-electronics Review. 2018. Vol. 26. No. 4. pp. 307-311.

Тезисы

Электролюминесценция и время жизни носителей заряда в структурах на основе InAsSb

Статья

Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D. Luminescence of HgCdTe- and InAsSb-based quantum-well heterostructures. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1135. No. 1. pp. 012072.

Статья

Izhnin I.I., Fitsych E.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V., Swiatek Z. Defects in Arsenic Implanted р+–n- and n+–p- Structures Based on MBE Grown CdHgTe Films. Russian Physics Journal. 2018. Vol. 60. No. 10. pp. 1752–1757.

Статья

Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Syvorotka I.I., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Marin D.V., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V. Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1115. No. 3. pp. 032063.

Статья

Mynbaeva M.G., Shirshnev P.S., Kremleva A.V., Smirnov A.N., Ivanova E.V., Zamoryanskaya M.V., Nikitina I.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Odnoblyudov M.A., Bauman D.A., Lipsanen H., Nikolaev V.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. Optical properties of bulk gallium oxide grown from the melt. Reviews on Advanced Materials Science. 2018. Vol. 57. No. 1. pp. 97-103.

Статья

Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D. Carrier lifetime in InAs(Ga,Sb,P) heterostructures. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1038. No. 1. pp. 012097.

Статья

Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Marin D.V., Yakushev M.V. Photoluminescence of Molecular Beam Epitaxy-Grown Mercury Cadmium Telluride: Comparison of HgCdTe/GaAs and HgCdTe/Si Technologies. Journal of Electronic Materials. 2018. Vol. 47. No. 8. pp. 4731-4736.

Тезисы

Электролюминисценция светодиодных гетероструктур на основе InAs

Статья

Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Mikhailova M.P., Stoyanov N.D., Kizhaev S.S., Molchanov S.S., Astakhova A.P., Chernyaev A.V., Lipsanen H., Bougrov V.E. Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K. Semiconductors. 2017. Vol. 51. No. 2. pp. 239-244.

Тезисы

Electroluminescence of InAsSb-based mid-infrared LEDs in wide temperature range (4.2 –300 K)

Тезисы

Electroluminescence of InAsSb/InAs(Sb,P) multiple quantum wells at temperatures 4.2-300 K

Статья

Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D. Study of electroluminescence of InAs(Sb,P) LED heterostructures. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 929. No. 1. pp. 012076.

Статья

Semakova A.A., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D. Electroluminescence of InAsSb-based mid-infrared LEDs in 4.2–300 K temperature range. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 917. No. 5. pp. 052005.

Статья

Shilyaev A.V., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Greshnov A.A. Effect of composition fluctuations on radiative recombination in narrow-gap semiconductor solid solutions. Technical Physics. 2017. Vol. 62. No. 3. pp. 441-448.

Статья

Timoshkov A.O., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Yakushev M.V., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A. Photoluminescence of Hg0.5Cd0.5Te structures grown with molecular-beam epitaxy. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2017. Vol. 32. No. 1. pp. 88-93.

Статья

Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Yakushev M.V., Jakiela R., Trzyna M. Properties of arsenic-implanted Hg1-xCdxTe MBE films. EPJ Web of Conferences. 2017. Vol. 133. pp. UNSP 01001.

Статья

Izhnin I.I., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Jakiela R. Optical and electrical studies of arsenic–implanted HgCdTe films grown with molecular beam epitaxy on GaAs and Si substrates. Infrared Physics & Technology. 2017. Vol. 81. pp. 52-58.

Статья

Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Свёнтек З. Дефекты в имплантированных мышьяком р+–n и n+–p структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ. Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60. № 10. С. 92-97.

Статья

Шиляев А.В., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Грешнов А.А. Влияние флуктуаций состава на излучательную рекомбинацию в узкозонных полупроводниковых твердых растворах. Журнал технической физики. 2017. Т. 87. № 3. С. 419-426.

Статья

Mynbaev K.D., Shilyaev A.V., Semakova A.A., Bykhanova E.V., Bazhenov N.L. Luminescence of II–VI and III–V nanostructures. Opto-electronics Review. 2017. Vol. 25. No. 3. pp. 209-214.

Статья

Shvaleva M.A., Aseev V.A., Tuzova I.V., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Nikonorov N.V., Romanov A.E. Luminescent Phosphor-in-Glass Composite for White Light-Emitting Diodes. Journal of Optoelectronics Engineering. 2017. Vol. 5. No. 1. pp. 7-9.

Статья

Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D., Bougrov V.E., Lipsanen H.K., Salikhov K. Spontaneous and stimulated emission in InAsSb-based LED heterostructures. Infrared Physics and Technology. 2017. Vol. 85. pp. 246-250.

Статья

Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voytsekhovskiy A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Pociask-Bialy M. Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method for defect studies. Opto-electronics Review. 2017. Vol. 25. No. 2. pp. 148-170.

Статья

Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Семакова А.А., Михайлова М.П., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Астахова А.П., Черняев А.В., Липсанен Х., Бугров В.Е. Электролюминесценция светодиодных гетероструктур INAS/INAS(SB)/INASSBP в диапазоне температур 4.2-300 K. Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. № 2. С. 247-252.

Тезисы

Luminescence studies of HgCdTe–and InAsSb–based quantum well structures

Тезисы

Luminescence studies of II-VI and III-V nanostructures

Статья

Mynbaeva M.G., Lavrent’Ev A.A., Mynbaev K.D. Formation of graphite/sic structures by the thermal decomposition of silicon carbide. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 1. pp. 138-142.

Тезисы

Низкотемпературная электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP

Тезисы

Electroluminescence study of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures at 4.2–300 K

Тезисы

Recent progress in III-V and II-VI Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics

Тезисы

Properties of arsenic-implanted CdHgTe films

Учебник, учебное пособие

Физические основы оптимизации свойств светодиодных материалов

Учебник, учебное пособие

Технические применения светодиодных устройств

Монография

Физические основы оптимизации свойств светодиодных материалов

Статья

Мынбаева М.Г., Печников А.И., Смирнов А.Н., Кириленко Д.А., Рауфов С.Ч., Ситникова А.А., Одноблюдов М.А., Бугров В.Е., Мынбаев К.Д., Николаев В.И., Романов А.Е. Оптические свойства толстых слоев нитрида галлия, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках [Optical properties of thick GaN layers grown with hydride vapor-phase epitaxy on structured substrates]. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2016. Т. 29. № 1. С. 24-31.

Статья

Свёнтек З., Озга П., Ижин Г.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В. Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок cdhgte. Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59. № 3. С. 110-113.

Статья

Swiatek Z., Ozga P., Izhnin I.I., Fitsych E.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Varavin V.C., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V. Physics of semiconductors and dielectrics: Electrical and optical studies of defect structure of HgCdTe films grown by molecular beam epitaxy. Russian Physics Journal. 2016. Vol. 59. No. 3. pp. 442-445.

Статья

Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Семакова А.А., Быханова Е.В., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Гурина Т.И., Астахова А.П., Черняев А.В., Молчанов С.С. Низкотемпературная электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP. Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, 24-27 мая 2016 г.). 2016. С. 338-341.

Статья

Мынбаева М.Г., Кириленко Д.А., Ситникова А.А., Кремлева А.В., Николаев В.И., Мынбаев К.Д., Одноблюдов М.А., Липсанен Х., Бугров В.Е., Романов А.Е. Получение толстых слоев нитрида галлия методом многостадийного роста на подложках с колонной структурой. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics]. 2016. Т. 16. № 6(106). С. 1048-1055.

Статья

Мынбаева М.Г., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д. Формирование структур графит/SiC методом термического разложения карбида кремния. Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 1. С. 138-142.

Статья

Swiatek Z., Ozga P., Izhnin I.I., Fitsych E.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V. Electrical and Optical Studies of Defect Structure of HgCdTe Films Grown by Molecular Beam Epitaxy. Russian Physics Journal. 2016. Vol. 59. No. 3. pp. 442-445.

Статья

Mynbaeva M.G., Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Pechnikov A.I., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Bugrov V.E., Lipsanen H., Romanov A.E. TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern. Journal of Crystal Growth. 2016. Vol. 445. pp. 30-36.

Статья

Swiatek Z., Yakushev M.V., Izhnin I.I., Ozga P., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Marin D.V., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Voitsekhovski A.V., Savytskyy H.V., Bonchyk O. Electrical and optical studies of a tellurium-related defect in molecular-beam epitaxy-grown HgCdTe. Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics. 2016. Vol. 13. No. 7-9. pp. 461–464.

Статья

Жумашев Н.К., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Гурина Т.И., Астахова А.П., Черняев А.В., Молчанов С.С., Липсанен Х., Салихов Х.М., Бугров В.Е. Спектральные характеристики светодиодов среднего инфракрасного диапазона на основе InAs(Sb,P). Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics]. 2016. Т. 16. № 1(101). С. 76-84.

Статья

Mynbaev K.D., Zablotsky S.V., Shilyaev A.V., Bazhenov N.L., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Defects in mercury-cadmium telluride heteroepitaxial structures grown by molecular-beam epitaxy on silicon substrates. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 2. pp. 208-211.

Статья

Мынбаев К.Д., Заблоцкий С.В., Шиляев А.В., Баженов Н.Л., Якушев М.В., Марин Д.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А. Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния. Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 2. С. 208-211.

Статья

Yakushev M.V., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Marin D.V., Dvoretsky S.A., Sidorov Y.G. Acceptor states in HgCdTe films grown by molecular-beam epitaxy on GaAs and Si substrates. Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics. 2016. Vol. 13. No. 7-9. pp. 469–472.

Тезисы

Дефектная структура имплантированных As МЛЭ пленок CdHgTe

Статья

Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Zegrya G.G. Temperature dependence of the carrier lifetime in narrow-gap Cd xHg1–xTe solid solutions: Radiative recombination. Semiconductors. 2015. Vol. 49. No. 9. pp. 1170-1175.

Статья

Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Pociask-Bialy M., Dvoretsky S.A. Background donor concentration in HgCdTe. Opto-electronics Review. 2015. Vol. 23. No. 3. pp. 200-207.

Статья

Мынбаева М.Г., Печников А.И., Шарофидинов Ш.Ш., Бугров В.Е., Мынбаев К.Д., Степанов С.И., Одноблюдов М.А., Николаев В.И., Романов А.Е. Светоизлучающие p–n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3 [Light-Emitting P-N structures fabricated with hydride vapor-phase epitaxy on GaN/Al2O3 structured substrates]. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2015. Т. 22. № 1. С. 30-38.

Статья

Mynbaev K.D., Shilyaev A.V., Bazhenov N.L., Izhnin A.I., Izhnin I.I., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Acceptor states in heteroepitaxial CdHgTe films grown by molecular-beam epitaxy. Semiconductors. 2015. Vol. 49. No. 3. pp. 367-372.

Статья

Мынбаев К.Д., Шиляев А.В., Баженов Н.Л., Ижнин А.И., Ижнин И.И., Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Дворецкий С.А. Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно–лучевой эпитаксией. Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 3. С. 379-384.

Статья

Shvaleva M.A., Shulga E., Kink I., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Romanov A.E. Na2SiO3 liquid glass-based phosphor material for white LEDs. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 2015. Vol. 212. No. 12. pp. 2964-2967.

Тезисы

New type liquid glass-based composite phosphor material for effective light conversion

Тезисы

Liquid glass-based phosphor materials for white LEDs

Тезисы

New type of liquid glass-based composite phosphor material for effective light conversion

Тезисы

ИССЛЕДОВАНИЕ НОВОГО ЛЮМИНОФОРНОГО МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ РАСТВОРА ЖИДКОГО СТЕКЛА Na2SiO3 ДЛЯ БЕЛЫХ СВЕТОДИОДОВ

Тезисы

Application of a LED–photodiode optocouple for the study of human respiratory function

Тезисы

Бесконтактная система для отслеживания динамики измерения концентрации СО2 в процессе дыхания человека

Тезисы

Фотолюминесцентная характеризация эпитаксиальных слоев твердых растворов CdHgTe

Статья

Швалева М.А., Тузова Ю.В., Романов А.Е., Асеев В.А., Никоноров Н.В., Мынбаев К.Д., Бугров В.Е. Оптические и термические свойства люминофоров на основе свинцово-силикатного стекла для мощных белых светодиодов. Письма в Журнал технической физики. 2015. Т. 41. № 21. С. 38-44.

Статья

Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Zegrya G.G. Temperature dependence of the carrier lifetime in Cd (x) Hg1-x Te narrow-gap solid solutions with consideration for Auger processes. Semiconductors. 2015. Vol. 49. No. 4. pp. 432-436.

Статья

Перетягин В.С., Подосинников А.И., Романова Г.Э., Щеглов С.А., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Бугров В.Е. Моделирование и исследование краевого эффекта при работе с трехкристальными RGB-светодиодами. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics]. 2015. Т. 15. № 2(96). С. 202-210.

Статья

Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет оже-процессов. Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 4. С. 444-448.

Статья

Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет излучательной рекомбинации. Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 9. С. 1206-1211.

Статья

Zablotsky S.V., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Acceptor states and carrier lifetime in heteroepitaxial HgCdTe-on-Si for mid-infrared photodetectors. Journal of Physics: Conference Series. 2015. Vol. 643. pp. 012004.

Статья

Shvaleva M.A., Tuzova Y.V., Romanov A.E., Aseev V.A., Nikonorov N.V., Mynbaev K.D., Bugrov V.E. Optical and thermal properties of phosphors based on lead-silicate glass for high-power white LEDs. Technical Physics Letters. 2015. Vol. 41. No. 11. pp. 1041-1043.

Статья

Malyshev A.G., Jumashev N.K., Lukyanov G.N., Mynbaev K.D., Rassadina A.A. Application of a LED–photodiode optocouple for the study of human respiratory function. Journal of Physics: Conference Series. 2015. Vol. 643. pp. 012026.

Статья

Izhnin I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V., Fitsych O.I. Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p-n junctions fabricated with ion etching. Infrared Physics & Technology. 2015. Vol. 73. pp. 158-165.

Статья

Mynbaeva M.G., Golovatenko A.A., Pechnikov A.I., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I. Specific Features of the Hydride Vapor-Phase Epitaxy of Nitride Materials on a Silicon Substrate. Semiconductors. 2014. Vol. 48. No. 11. pp. 1535-1538.

Статья

Shvaleva M.A., Nikulina L.A., Aseev V.A., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikonorov N.V., Romanov A.E. Ce3+: YAG Doped Glass-Ceramics For White Light-Emitting Diode. Optical Review. 2014. Vol. 21. No. 5. pp. 683-686.

Статья

Фудин М.С., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Айфантис К., Бугров В.Е., Романов А.Е. Частотные характеристики современных светодиодных люминофорных материалов. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics]. 2014. № 6(94). С. 71-76.

Тезисы

Active Chip-on-Board Modules for Special Spectra Devices: Technology and Control "The 9th International Conference on Optics-photonics Design and Fabrication"

Тезисы

Гетероэпитаксиальные структуры CdHgTe/Si для «p+–n» и «n+–p» фотодиодов инфракрасного диапазона

Тезисы

Powerful Ultraviolet Chip-on-Board Modules for Medical Applications: Improvements in Technology and Characteristics "The 9th International Conference on Optics-photonics Design and Fabrication"

Тезисы

New Luminescent Phosphor-in-Glass Composite for White Light-Emitting Diodes

Статья

Izhnin I.I., Dvoretsky S.A., Mynbaev K.D., Fitsych O.I., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Pociask-Bialy M., Voitsekhovskii A.V., Sheregii E. Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe films with activated and unactivated arsenic. Journal of Applied Physics. 2014. Vol. 115. No. 16. pp. 163501.

Статья

Mynbaeva M.G., Lebedev S.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Golovatenko A.A., Lebedev A.A., Nikolaev V.I. On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum. Semiconductors. 2014. Vol. 48. No. 3. pp. 350-353.

Статья

Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Якушев М.В., Марин Д.В., Варавин В.С., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А. Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных «p+–n» фотодиодных структур. Письма в Журнал технической физики. 2014. Т. 40. № 16. С. 65-72.

Статья

Мынбаева М.Г., Головатенко А.А., Печников А.И., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Особенности хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на подложке кремния. Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. № 11. С. 1573-1577.

Статья

Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Безмасочное структурирование поверхности кремниевых подложек для нитридной эпитаксии. Ученые записки физического факультета МГУ. 2014. № 2. С. 142502(1-4).

Статья

Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Исследование вывода света из светодиодного модуля "CHIP-ON-BOARD". Ученые записки физического факультета МГУ. 2014. № 2. С. 142402(1-5).

Статья

Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Головатенко А.А., Лебедев А.А., Николаев В.И. Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме. Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. № 3. С. 364-368.

Статья

Mynbaev K.D., Shilyaev A.V., Bazhenov N.L., Izhnin A.I., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Light emission from CdHgTe-based nanostructures. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2014. Vol. 21. No. 2. pp. 112-118.

Статья

Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Nikulina L., Kramnik V., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. Investigation of light extraction from light emitting module chip-on-board. Optical Review. 2014. Vol. 21. No. 5. pp. 655-658.

Статья

Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Sidorov Y.G., Dvoretsky S.A. Defects in heteroepitaxial CdHgTe/Si layers and their behavior under conditions of implanted p+-n photodiode structure formation. Technical Physics Letters. 2014. Vol. 40. No. 8. pp. 708-711.

Статья

Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Влияние светорассеяния в оптических покрытиях на потери энергии в светодиодных устройствах. Письма в Журнал технической физики. 2013. Т. 39. № 24. С. 1-8.

Тезисы

Исследование вывода света из светодиодного модуля chip-on-board

Статья

Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Mynbaev K.D., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Bougrov V.E. Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором [Efficiency comparison of light emitting diodes based on monochromatic chips and chips with phosphor]. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2013. Т. 18. № 2. С. 135-142.

Статья

Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Повышение эффективности вывода света из светодиодных модулей "CHIP-ON-BOARD". Оптический журнал. 2013. Т. 80. № 12. С. 45-52.

Статья

Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Braslavskii S.S., Solovieva E.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Romanov A.E., Bugrov V.E. Temperature stability of colored LED elements. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2013. Vol. 18. No. 2. pp. 143–147.

Статья

Mynbaeva M.G., Sitnikova A.A., Nikolaev A.E., Vinogradova K.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I. Self-organized defect control during GaN homoepitaxial growth on nanostructured substrates. Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics. 2013. Vol. 10. No. 3. pp. 366–368.

Статья

Lipnitckaia S.N., Mynbaev K.D., Nikulina L.A., Kramnik V., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. Design optimization of light emitting diode module «chip-on- board» for light extraction increase. Conference Proceedings - 12th International Conference on Laser and Fiber-Optical Networks Modeling, LFNM 2013. 2013. pp. 6644845.

Учебник, учебное пособие

Светодиодные нанотехнологии в биологии и медицине

Тезисы

Оптимизация конструкции светодиодного модуля Chip-On-Board с целью увеличения светоотдачи

Тезисы

Разработка перспективных композитных люминофорных материалов на основе неорганических матриц

Статья

Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. Effects of light scattering in optical coatings on energy losses in LED devices. Technical Physics Letters. 2013. Vol. 39. No. 12. pp. 1074-1077.

Статья

Шиляев А.В., Грешнов А.А., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д. Моделирование рекомбинационных процессов в твердых растворах с масштабными флуктуациями состава. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2013. Т. 18. № 2. С. 171-178.

Статья

Vinogradova K.A., Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Romanov A.E. Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок "чип на плате", излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн [Optimization of light extraction from power led chip-on-board modules emitting in ultraviolet range of spectrum]. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2013. Vol. 17. No. 2. pp. 111-120.

Тезисы

Новая образовательная программа в области твердотельного освещения

Тезисы

Взаимная диффузия компонентов подложки и эпитаксиальных слоев при хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на кремнии

Тезисы

Design optimization of light emitting diode module «CHIP-ON-BOARD» for light extraction increase

Статья

Баженов Н.Л., Шиляев А.В., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г. Оптические переходы в квантовых ямах на основе CdxHg1-xTe и их анализ с учетом особенностей зонной структуры. Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. № 6. С. 792–797.

Статья

Зегря Г.Г., Шиляев А.В., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д. Энергетический спектр и оптические переходы в наногетероструктурах на основе твердых растворов теллурида кадмия и ртути. Научно-технические ведомости СПБГПУ. 2012. Т. 2. № 146. С. 69-73.