Мынбаев Карим Джафарович

Мынбаев Карим Джафарович
доктор физико-математических наук
профессор (квалификационная категория "профессор практики"), факультет лазерной фотоники и оптоэлектроники

Преподаваемые дисциплины в текущем учебном году

  • Применение светодиодных систем в технике, биологии, медицине
  • Производственная, преддипломная
  • Производственная, научно-исследовательская работа
  • Производственная, производственно-технологическая

Наименование направления подготовки и (или) специальности

Педагогический стаж

Общий стаж:
8 лет

Публикации

145
Статья
2020 год

Lipnitskaya S.N., Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D. Numerical simulations of power characteristics and emission spectra of InAs(Sb)-based mid-infrared LED structures. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1697. No. 1. pp. 012176.

Статья
2020 год

Mikhailov N., Shvets V., Ikusov D., Uzhakov I., Dvoretsky S., Mynbaev K.D., Dluzewski P., Morgiel J., Swiatek Z., Bonchyk O., Izhnin I. Interface Studies in HgTe/HgCdTe Quantum Wells. Physica status solidi (b). 2020. Vol. 257. No. 5. pp. 1900598.

Статья
2020 год

Semakova A.A., Romanov V.V., Moiseev K.D., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D. Temperature dependence of the optical and electrical properties of long-wavelength InAsSb-based LED heterostructures. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1697. No. 1. pp. 012168.

Статья
2020 год

Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Smirnov A.M., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V. Optical and Structural Properties of HgCdTe Solid Solutions with a High CdTe Content. Semiconductors. 2020. Vol. 54. No. 12. pp. 1561-1566.

Статья
2020 год

Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovskii A., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Korotaev A., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Marin D., Yakushev M.V., Swiatek Z., Morgiel J., Bonchyk O.Y. Electrical and microscopic characterization of p+-type layers formed in HgCdTe by arsenic implantation. Semiconductor Science and Technology. 2020. Vol. 35. No. 11. pp. 115019.

Статья
2020 год

Semakova A.A., Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Kizhaev S.S., Chernyaev A.V., Stoyanov N.D., Lipsanen H. Experimental study and simulation of the spectral characteristics of LED heterostructures with an InAs active region. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 2. pp. 150-153.

Статья
2020 год

Mynbaeva M.G., Sitnikova A.A., Smirnov A.N., Mynbaev K.D., Lipsanen H.K., Kremleva A.V., Bauman D.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. On cracking in thick GaN layers grown on sapphire substrates. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2020. Vol. 44. No. 1. pp. 1-7.

Статья
2020 год

Izhnin I.I., Fitsych E.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A., Mynbaev K.D., Kurbanov K.R., Varavin V.S., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V., Bonchyk A.Y., Savytskyy G.V., Swiatek Z., Morgiel J. Localization and nature of radiation donor defects in arsenic-implanted MBE CdHgTe films. Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63. No. 2. pp. 290-295.

Статья
2020 год

Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Курбанов К.Р., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Swiatek Z., Morgiel J. Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ. Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63. № 2. С. 98-103.

Статья
2020 год

Semakova A.A., Romanov V.V., Moiseev K.D., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D. Variable-temperature luminescence studies of InAsSb-based LED heterostructures emitting beyond 5 Mum. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1482. No. 1. pp. 012023.

Статья
2020 год

Kuzmenko E.V., Semakova A.A., Bazhenov N.L., Kizhaev S.S., Chernyaev A.V., Stoyanov N.N., Mynbaev K.D. Study of current-voltage characteristics of InAsSb-based LED heterostructures in 4.2 - 300 K temperature range. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1482. No. 1. pp. 012024.

Статья
2020 год

Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Sidorov G.Y. Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing. Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 392. pp. 125760.

Статья
2020 год

Mynbaev K.D., Smirnov A.M., Bazhenov N.L., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V. Optical Studies of Molecular-Beam Epitaxy-Grown Hg1-xCdxTe with x=0.7-0.8. Journal of Electronic Materials. 2020. Vol. 49. No. 8. pp. 4642–4646.

Статья
2020 год

Korotaev A.G., Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Fitsych O.I., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V., Swiatek Z., Morgiel J. Hall-effect studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing. Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 393. pp. 125721.

Статья
2020 год

Andryushchenko D.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Mikhailov N.N., Remesnik V.G. Optical studies of wide-bandgap HgCdTe material used in potential-and quantum-well structures. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1482. No. 1. pp. 012002.

Статья
2020 год

Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V., Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Syvorotka I.I., Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Fitsych O.I., Varavin V.S., Marin D.V., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Swiatek Z., Morgiel J., Jakiela R. Nano-size defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy. Applied Nanoscience. 2020. pp. in press.

Статья
2020 год

Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V., Swiatek Z., Morgiel Y., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Fitsych O.I., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V. TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells. Applied Nanoscience. 2020. Vol. 10. No. 8. pp. 2867-2871.

Статья
2020 год

Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Swiatek Z., Morgiel J., Voitsekhovskii A., Korotaev A.G., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Marin D.V., Yakushev M.V., Fitsych O.I., Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V. Direct comparison of the results of arsenic ion implantation in n– and p–type Hg0.8Cd0.2Te. Infrared Physics & Technology. 2020. Vol. 109. pp. 103388.

Статья
2020 год

Семакова А.А., Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Кижаев С.С., Черняев А.В., Стоянов Н.Д., Липсанен Х. Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из INAS. Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 3. С. 51-54.

Статья
2020 год

Mynbaeva M.G., Ivanova E.V., Kirilenko D.A., Smirnov A.N., Mynbaev K.D. Emission properties of textured gallium nitride with high density of stacking faults. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1697. No. 1. pp. 012064.

Статья
2019 год

Andryushchenko D.A., Trapeznikova I.N., Bazhenov N.L., Yagovkina M.A., Mynbaev K.D., Remesnik V.G., Varavin V.S. Strong Disorder in HgCdTe Studied with Optical Methods and X-Ray Diffraction. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1400. No. 6. pp. 066038.

Статья
2019 год

Krasnitckii A.S., Smirnov A.M., Mynbaev K.D., Zhigilei L.V., Gutkin M.Y. Axial misfit stress relaxation in core-shell nanowires with hexagonal core via nucleation of rectangular prismatic dislocation loops. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2019. Vol. 42. No. 6. pp. 776-783.

Статья
2019 год

Иванов-Омский В.И., Мынбаев К.Д., Трапезникова И.Н., Андрющенко Д.А., Баженов Н.Л., Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Ремесник В.Г., Дворецкий С.А., Якушев М.В. Исследование разупорядочения в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути оптическими методами. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 11. С. 24-27.

Статья
2019 год

Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Семакова А.А., Зегря Г.Г. Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления. Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. № 4. С. 450-455.

Тезисы
2019 год

Разупорядочение кристаллической решетки и точечные дефекты в слоях HgCdTe, выращенных методом МЛЭ на подложках Si и GaAs

Статья
2019 год

Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Semakova A.A., Zegrya G.G. Carrier Lifetime in Semiconductors with Band-Gap Widths Close to the Spin-Orbit Splitting Energies. Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 4. pp. 428-433.

Статья
2019 год

Izhnin I.I., Fitsych O.I., Swiaotek Z., Morgiel Y., Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Effect of annealing on the structural properties of arsenic-implanted mercury cadmium telluride. Opto-electronics Review. 2019. Vol. 27. No. 1. pp. 14-17.

Статья
2019 год

Izhnin I.I., Syvorotka I.I., Fitsych O.I., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Marin D.V., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G. Electrical profiling of arsenic-implanted HgCdTe films performed with discrete mobility spectrum analysis. Semiconductor Science and Technology. 2019. Vol. 34. No. 3. pp. 035009.

Статья
2019 год

Fedorov I.V., Levin R.V., Nevedomsky V.N., Usikova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Pushnyi B.V., Zegrya G.G. IR diode structures based on II-Type InAs/GaSb superlattices grown by MOCVD. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1199. No. 1. pp. 012016.

Статья
2019 год

Levin R.V., Pushnyi B.V., Fedorov I.V., Usikova A.A., Nevedomskii V.N., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Pavlov N.V., Zegrya G.G. Examination of the Capabilities of Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy in Fabrication of Thin InAs/GaSb Layers. Technical Physics. 2019. Vol. 64. No. 10. pp. 1509-1514.

Статья
2019 год

Левин Р.В., Пушный Б.В., Федоров И.В., Усикова А.А., Неведомский В.Н., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Павлов Н.В., Зегря Г.Г. Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев INAS/GASB. Журнал технической физики. 2019. Т. 89. № 10. С. 1592-1597.

Статья
2019 год

Semakova A.A., Lipnitskaya S.N., Bazhenov N.L., Kizhaev S.S., Chernyaev A.V., Stoyanov N.D., Mynbaev K.D. Spontaneous and stimulated emission in InAs-based LED heterostructures. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1400. No. 6. pp. 066044.

Статья
2019 год

Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Syvorotka I.I., Fitsych O.I., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N., Remesnik V.G., Yakushev M.V., Swiatek Z., Morgiel J., Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V. Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis. Infrared Physics and Technology. 2019. Vol. 98. pp. 230-235.

Тезисы
2019 год

Термические отжиги имплантированных мышьяком МЛЭ пленок CdHgTe

Тезисы
2019 год

Спонтанное и стимулированное излучение в светодиодных гетероструктурах с активной областью из InAs

Тезисы
2019 год

Радиационные донорные дефекты в имплантированных As пленках МЛЭ CdHgTe: пространственное распределение и природа

Статья
2019 год

Ivanov-Omskii V.I., Mynbaev K.D., Trapeznikova I.N., Andryushchenko D.A., Bazhenov N.L., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Remesnik V.G., Dvoretskii S.A., Yakushev M.V. An Optical Study of Disordering in Cadmium Mercury Telluride Solid Solutions. Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 6. pp. 553-556.

Статья
2019 год

Izhnin I.I., Izhnin A.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I., Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Zegrya G.G. Luminescence studies of HgCdTe- and InAsSb-based quantum-well structures. Applied Nanoscience. 2019. Vol. 9. No. 5. pp. 617-622.

Статья
2019 год

Bonchyk O.Y., Savytskyy H., Swiatek Z., Morgiel Y., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Fitsych O.I., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Marin D.V., Yakushev M.V. Nano-size defects in arsenic-implanted HgCdTe films: a HRTEM study. Applied Nanoscience. 2019. Vol. 9. No. 5. pp. 725-730.

Тезисы
2018 год

Электролюминесценция и время жизни носителей заряда в структурах на основе InAsSb

Статья
2018 год

Mynbaeva M.G., Shirshnev P.S., Kremleva A.V., Smirnov A.N., Ivanova E.V., Zamoryanskaya M.V., Nikitina I.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Odnoblyudov M.A., Bauman D.A., Lipsanen H., Nikolaev V.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. Optical properties of bulk gallium oxide grown from the melt. Reviews on Advanced Materials Science. 2018. Vol. 57. No. 1. pp. 97-103.

Статья
2018 год

Pociask-Bialy M., Mynbaev K.D., Kaczmarzyk M. Light trapping by chemically micro-textured glass for crystalline silicon solar cells. Opto-electronics Review. 2018. Vol. 26. No. 4. pp. 307-311.

Статья
2018 год

Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Marin D.V., Yakushev M.V. Photoluminescence of Molecular Beam Epitaxy-Grown Mercury Cadmium Telluride: Comparison of HgCdTe/GaAs and HgCdTe/Si Technologies. Journal of Electronic Materials. 2018. Vol. 47. No. 8. pp. 4731-4736.

Статья
2018 год

Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Syvorotka I.I., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Marin D.V., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V. Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1115. No. 3. pp. 032063.

Статья
2018 год

Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D. Luminescence of HgCdTe- and InAsSb-based quantum-well heterostructures. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1135. No. 1. pp. 012072.

Статья
2018 год

Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D. Carrier lifetime in InAs(Ga,Sb,P) heterostructures. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1038. No. 1. pp. 012097.

Статья
2018 год

Izhnin I.I., Fitsych E.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V., Swiatek Z. Defects in Arsenic Implanted р+–n- and n+–p- Structures Based on MBE Grown CdHgTe Films. Russian Physics Journal. 2018. Vol. 60. No. 10. pp. 1752–1757.

Статья
2017 год

Semakova A.A., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D. Electroluminescence of InAsSb-based mid-infrared LEDs in 4.2–300 K temperature range. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 917. No. 5. pp. 052005.

Статья
2017 год

Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Yakushev M.V., Jakiela R., Trzyna M. Properties of arsenic-implanted Hg1-xCdxTe MBE films. EPJ Web of Conferences. 2017. Vol. 133. pp. UNSP 01001.

Статья
2017 год

Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Свёнтек З. Дефекты в имплантированных мышьяком р+–n и n+–p структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ. Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60. № 10. С. 92-97.

Статья
2017 год

Shilyaev A.V., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Greshnov A.A. Effect of composition fluctuations on radiative recombination in narrow-gap semiconductor solid solutions. Technical Physics. 2017. Vol. 62. No. 3. pp. 441-448.

Тезисы
2017 год

Электролюминисценция светодиодных гетероструктур на основе InAs

Статья
2017 год

Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Mikhailova M.P., Stoyanov N.D., Kizhaev S.S., Molchanov S.S., Astakhova A.P., Chernyaev A.V., Lipsanen H., Bougrov V.E. Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K. Semiconductors. 2017. Vol. 51. No. 2. pp. 239-244.

Статья
2017 год

Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D. Study of electroluminescence of InAs(Sb,P) LED heterostructures. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 929. No. 1. pp. 012076.

Статья
2017 год

Шиляев А.В., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Грешнов А.А. Влияние флуктуаций состава на излучательную рекомбинацию в узкозонных полупроводниковых твердых растворах. Журнал технической физики. 2017. Т. 87. № 3. С. 419-426.

Статья
2017 год

Mynbaev K.D., Shilyaev A.V., Semakova A.A., Bykhanova E.V., Bazhenov N.L. Luminescence of II–VI and III–V nanostructures. Opto-electronics Review. 2017. Vol. 25. No. 3. pp. 209-214.

Статья
2017 год

Shvaleva M.A., Aseev V.A., Tuzova I.V., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Nikonorov N.V., Romanov A.E. Luminescent Phosphor-in-Glass Composite for White Light-Emitting Diodes. Journal of Optoelectronics Engineering. 2017. Vol. 5. No. 1. pp. 7-9.

Тезисы
2017 год

Luminescence studies of HgCdTe–and InAsSb–based quantum well structures

Тезисы
2017 год

Electroluminescence of InAsSb/InAs(Sb,P) multiple quantum wells at temperatures 4.2-300 K

Тезисы
2017 год

Electroluminescence of InAsSb-based mid-infrared LEDs in wide temperature range (4.2 –300 K)

Статья
2017 год

Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D., Bougrov V.E., Lipsanen H.K., Salikhov K. Spontaneous and stimulated emission in InAsSb-based LED heterostructures. Infrared Physics and Technology. 2017. Vol. 85. pp. 246-250.

Статья
2017 год

Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voytsekhovskiy A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Pociask-Bialy M. Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method for defect studies. Opto-electronics Review. 2017. Vol. 25. No. 2. pp. 148-170.

Статья
2017 год

Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Семакова А.А., Михайлова М.П., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Астахова А.П., Черняев А.В., Липсанен Х., Бугров В.Е. Электролюминесценция светодиодных гетероструктур INAS/INAS(SB)/INASSBP в диапазоне температур 4.2-300 K. Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. № 2. С. 247-252.

Статья
2017 год

Timoshkov A.O., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Yakushev M.V., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A. Photoluminescence of Hg0.5Cd0.5Te structures grown with molecular-beam epitaxy. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2017. Vol. 32. No. 1. pp. 88-93.

Статья
2017 год

Izhnin I.I., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Jakiela R. Optical and electrical studies of arsenic–implanted HgCdTe films grown with molecular beam epitaxy on GaAs and Si substrates. Infrared Physics & Technology. 2017. Vol. 81. pp. 52-58.

Статья
2016 год

Swiatek Z., Ozga P., Izhnin I.I., Fitsych E.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Varavin V.C., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V. Physics of semiconductors and dielectrics: Electrical and optical studies of defect structure of HgCdTe films grown by molecular beam epitaxy. Russian Physics Journal. 2016. Vol. 59. No. 3. pp. 442-445.

Учебник, учебное пособие
2016 год

Технические применения светодиодных устройств

Статья
2016 год

Мынбаева М.Г., Кириленко Д.А., Ситникова А.А., Кремлева А.В., Николаев В.И., Мынбаев К.Д., Одноблюдов М.А., Липсанен Х., Бугров В.Е., Романов А.Е. Получение толстых слоев нитрида галлия методом многостадийного роста на подложках с колонной структурой. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics]. 2016. Т. 16. № 6(106). С. 1048-1055.

Монография
2016 год

Физические основы оптимизации свойств светодиодных материалов

Статья
2016 год

Мынбаев К.Д., Заблоцкий С.В., Шиляев А.В., Баженов Н.Л., Якушев М.В., Марин Д.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А. Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния. Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 2. С. 208-211.

Статья
2016 год

Жумашев Н.К., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Гурина Т.И., Астахова А.П., Черняев А.В., Молчанов С.С., Липсанен Х., Салихов Х.М., Бугров В.Е. Спектральные характеристики светодиодов среднего инфракрасного диапазона на основе InAs(Sb,P). Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics]. 2016. Т. 16. № 1(101). С. 76-84.

Статья
2016 год

Mynbaev K.D., Zablotsky S.V., Shilyaev A.V., Bazhenov N.L., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Defects in mercury-cadmium telluride heteroepitaxial structures grown by molecular-beam epitaxy on silicon substrates. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 2. pp. 208-211.

Статья
2016 год

Yakushev M.V., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Marin D.V., Dvoretsky S.A., Sidorov Y.G. Acceptor states in HgCdTe films grown by molecular-beam epitaxy on GaAs and Si substrates. Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics. 2016. Vol. 13. No. 7-9. pp. 469–472.

Статья
2016 год

Свёнтек З., Озга П., Ижин Г.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В. Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок cdhgte. Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59. № 3. С. 110-113.

Статья
2016 год

Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Семакова А.А., Быханова Е.В., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Гурина Т.И., Астахова А.П., Черняев А.В., Молчанов С.С. Низкотемпературная электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP. Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, 24-27 мая 2016 г.). 2016. С. 338-341.

Тезисы
2016 год

Низкотемпературная электролюминесценция узкозонных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP

Тезисы
2016 год

Properties of arsenic-implanted CdHgTe films

Тезисы
2016 год

Luminescence studies of II-VI and III-V nanostructures

Тезисы
2016 год

Electroluminescence study of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures at 4.2–300 K

Тезисы
2016 год

Дефектная структура имплантированных As МЛЭ пленок CdHgTe

Тезисы
2016 год

Recent progress in III-V and II-VI Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics

Статья
2016 год

Мынбаева М.Г., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д. Формирование структур графит/SiC методом термического разложения карбида кремния. Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 1. С. 138-142.

Статья
2016 год

Swiatek Z., Ozga P., Izhnin I.I., Fitsych E.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V. Electrical and Optical Studies of Defect Structure of HgCdTe Films Grown by Molecular Beam Epitaxy. Russian Physics Journal. 2016. Vol. 59. No. 3. pp. 442-445.

Статья
2016 год

Mynbaeva M.G., Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Pechnikov A.I., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Bugrov V.E., Lipsanen H., Romanov A.E. TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern. Journal of Crystal Growth. 2016. Vol. 445. pp. 30-36.

Статья
2016 год

Swiatek Z., Yakushev M.V., Izhnin I.I., Ozga P., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Marin D.V., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Voitsekhovski A.V., Savytskyy H.V., Bonchyk O. Electrical and optical studies of a tellurium-related defect in molecular-beam epitaxy-grown HgCdTe. Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics. 2016. Vol. 13. No. 7-9. pp. 461–464.

Статья
2016 год

Mynbaeva M.G., Lavrent’Ev A.A., Mynbaev K.D. Formation of graphite/sic structures by the thermal decomposition of silicon carbide. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 1. pp. 138-142.

Учебник, учебное пособие
2016 год

Физические основы оптимизации свойств светодиодных материалов

Статья
2016 год

Мынбаева М.Г., Печников А.И., Смирнов А.Н., Кириленко Д.А., Рауфов С.Ч., Ситникова А.А., Одноблюдов М.А., Бугров В.Е., Мынбаев К.Д., Николаев В.И., Романов А.Е. Оптические свойства толстых слоев нитрида галлия, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках [Optical properties of thick GaN layers grown with hydride vapor-phase epitaxy on structured substrates]. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2016. Т. 29. № 1. С. 24-31.

Статья
2015 год

Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет излучательной рекомбинации. Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 9. С. 1206-1211.

Тезисы
2015 год

Бесконтактная система для отслеживания динамики измерения концентрации СО2 в процессе дыхания человека

Статья
2015 год

Швалева М.А., Тузова Ю.В., Романов А.Е., Асеев В.А., Никоноров Н.В., Мынбаев К.Д., Бугров В.Е. Оптические и термические свойства люминофоров на основе свинцово-силикатного стекла для мощных белых светодиодов. Письма в Журнал технической физики. 2015. Т. 41. № 21. С. 38-44.

Статья
2015 год

Перетягин В.С., Подосинников А.И., Романова Г.Э., Щеглов С.А., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Бугров В.Е. Моделирование и исследование краевого эффекта при работе с трехкристальными RGB-светодиодами. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics]. 2015. Т. 15. № 2(96). С. 202-210.

Тезисы
2015 год

Liquid glass-based phosphor materials for white LEDs

Тезисы
2015 год

New type of liquid glass-based composite phosphor material for effective light conversion

Статья
2015 год

Zablotsky S.V., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Acceptor states and carrier lifetime in heteroepitaxial HgCdTe-on-Si for mid-infrared photodetectors. Journal of Physics: Conference Series. 2015. Vol. 643. pp. 012004.

Статья
2015 год

Shvaleva M.A., Tuzova Y.V., Romanov A.E., Aseev V.A., Nikonorov N.V., Mynbaev K.D., Bugrov V.E. Optical and thermal properties of phosphors based on lead-silicate glass for high-power white LEDs. Technical Physics Letters. 2015. Vol. 41. No. 11. pp. 1041-1043.

Статья
2015 год

Malyshev A.G., Jumashev N.K., Lukyanov G.N., Mynbaev K.D., Rassadina A.A. Application of a LED–photodiode optocouple for the study of human respiratory function. Journal of Physics: Conference Series. 2015. Vol. 643. pp. 012026.

Статья
2015 год

Izhnin I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V., Fitsych O.I. Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p-n junctions fabricated with ion etching. Infrared Physics & Technology. 2015. Vol. 73. pp. 158-165.

Тезисы
2015 год

Фотолюминесцентная характеризация эпитаксиальных слоев твердых растворов CdHgTe

Тезисы
2015 год

New type liquid glass-based composite phosphor material for effective light conversion

Статья
2015 год

Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Zegrya G.G. Temperature dependence of the carrier lifetime in narrow-gap Cd xHg1–xTe solid solutions: Radiative recombination. Semiconductors. 2015. Vol. 49. No. 9. pp. 1170-1175.

Статья
2015 год

Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Pociask-Bialy M., Dvoretsky S.A. Background donor concentration in HgCdTe. Opto-electronics Review. 2015. Vol. 23. No. 3. pp. 200-207.

Статья
2015 год

Мынбаева М.Г., Печников А.И., Шарофидинов Ш.Ш., Бугров В.Е., Мынбаев К.Д., Степанов С.И., Одноблюдов М.А., Николаев В.И., Романов А.Е. Светоизлучающие p–n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3 [Light-Emitting P-N structures fabricated with hydride vapor-phase epitaxy on GaN/Al2O3 structured substrates]. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2015. Т. 22. № 1. С. 30-38.

Статья
2015 год

Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Zegrya G.G. Temperature dependence of the carrier lifetime in Cd (x) Hg1-x Te narrow-gap solid solutions with consideration for Auger processes. Semiconductors. 2015. Vol. 49. No. 4. pp. 432-436.

Статья
2015 год

Mynbaev K.D., Shilyaev A.V., Bazhenov N.L., Izhnin A.I., Izhnin I.I., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Acceptor states in heteroepitaxial CdHgTe films grown by molecular-beam epitaxy. Semiconductors. 2015. Vol. 49. No. 3. pp. 367-372.

Тезисы
2015 год

ИССЛЕДОВАНИЕ НОВОГО ЛЮМИНОФОРНОГО МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ РАСТВОРА ЖИДКОГО СТЕКЛА Na2SiO3 ДЛЯ БЕЛЫХ СВЕТОДИОДОВ

Статья
2015 год

Мынбаев К.Д., Шиляев А.В., Баженов Н.Л., Ижнин А.И., Ижнин И.И., Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Дворецкий С.А. Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно–лучевой эпитаксией. Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 3. С. 379-384.

Статья
2015 год

Shvaleva M.A., Shulga E., Kink I., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Romanov A.E. Na2SiO3 liquid glass-based phosphor material for white LEDs. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 2015. Vol. 212. No. 12. pp. 2964-2967.

Тезисы
2015 год

Application of a LED–photodiode optocouple for the study of human respiratory function

Статья
2015 год

Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет оже-процессов. Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 4. С. 444-448.

Статья
2014 год

Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Головатенко А.А., Лебедев А.А., Николаев В.И. Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме. Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. № 3. С. 364-368.

Тезисы
2014 год

Powerful Ultraviolet Chip-on-Board Modules for Medical Applications: Improvements in Technology and Characteristics "The 9th International Conference on Optics-photonics Design and Fabrication"

Тезисы
2014 год

New Luminescent Phosphor-in-Glass Composite for White Light-Emitting Diodes

Статья
2014 год

Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Sidorov Y.G., Dvoretsky S.A. Defects in heteroepitaxial CdHgTe/Si layers and their behavior under conditions of implanted p+-n photodiode structure formation. Technical Physics Letters. 2014. Vol. 40. No. 8. pp. 708-711.

Статья
2014 год

Фудин М.С., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Айфантис К., Бугров В.Е., Романов А.Е. Частотные характеристики современных светодиодных люминофорных материалов. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics]. 2014. № 6(94). С. 71-76.

Статья
2014 год

Mynbaeva M.G., Golovatenko A.A., Pechnikov A.I., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I. Specific Features of the Hydride Vapor-Phase Epitaxy of Nitride Materials on a Silicon Substrate. Semiconductors. 2014. Vol. 48. No. 11. pp. 1535-1538.

Тезисы
2014 год

Гетероэпитаксиальные структуры CdHgTe/Si для «p+–n» и «n+–p» фотодиодов инфракрасного диапазона

Статья
2014 год

Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Nikulina L., Kramnik V., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. Investigation of light extraction from light emitting module chip-on-board. Optical Review. 2014. Vol. 21. No. 5. pp. 655-658.

Статья
2014 год

Mynbaev K.D., Shilyaev A.V., Bazhenov N.L., Izhnin A.I., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Light emission from CdHgTe-based nanostructures. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2014. Vol. 21. No. 2. pp. 112-118.

Статья
2014 год

Мынбаева М.Г., Головатенко А.А., Печников А.И., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Особенности хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на подложке кремния. Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. № 11. С. 1573-1577.

Статья
2014 год

Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Безмасочное структурирование поверхности кремниевых подложек для нитридной эпитаксии. Ученые записки физического факультета МГУ. 2014. № 2. С. 142502(1-4).

Статья
2014 год

Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Якушев М.В., Марин Д.В., Варавин В.С., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А. Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных «p+–n» фотодиодных структур. Письма в Журнал технической физики. 2014. Т. 40. № 16. С. 65-72.

Статья
2014 год

Mynbaeva M.G., Lebedev S.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Golovatenko A.A., Lebedev A.A., Nikolaev V.I. On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum. Semiconductors. 2014. Vol. 48. No. 3. pp. 350-353.

Статья
2014 год

Izhnin I.I., Dvoretsky S.A., Mynbaev K.D., Fitsych O.I., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Pociask-Bialy M., Voitsekhovskii A.V., Sheregii E. Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe films with activated and unactivated arsenic. Journal of Applied Physics. 2014. Vol. 115. No. 16. pp. 163501.

Статья
2014 год

Shvaleva M.A., Nikulina L.A., Aseev V.A., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikonorov N.V., Romanov A.E. Ce3+: YAG Doped Glass-Ceramics For White Light-Emitting Diode. Optical Review. 2014. Vol. 21. No. 5. pp. 683-686.

Тезисы
2014 год

Active Chip-on-Board Modules for Special Spectra Devices: Technology and Control "The 9th International Conference on Optics-photonics Design and Fabrication"

Статья
2014 год

Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Исследование вывода света из светодиодного модуля "CHIP-ON-BOARD". Ученые записки физического факультета МГУ. 2014. № 2. С. 142402(1-5).

Статья
2013 год

Mynbaeva M.G., Sitnikova A.A., Nikolaev A.E., Vinogradova K.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I. Self-organized defect control during GaN homoepitaxial growth on nanostructured substrates. Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics. 2013. Vol. 10. No. 3. pp. 366–368.

Тезисы
2013 год

Оптимизация конструкции светодиодного модуля Chip-On-Board с целью увеличения светоотдачи

Статья
2013 год

Vinogradova K.A., Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Romanov A.E. Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок "чип на плате", излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн [Optimization of light extraction from power led chip-on-board modules emitting in ultraviolet range of spectrum]. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2013. Vol. 17. No. 2. pp. 111-120.

Тезисы
2013 год

Исследование вывода света из светодиодного модуля chip-on-board

Учебник, учебное пособие
2013 год

Светодиодные нанотехнологии в биологии и медицине

Статья
2013 год

Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Mynbaev K.D., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Bougrov V.E. Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором [Efficiency comparison of light emitting diodes based on monochromatic chips and chips with phosphor]. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2013. Т. 18. № 2. С. 135-142.

Статья
2013 год

Lipnitckaia S.N., Mynbaev K.D., Nikulina L.A., Kramnik V., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. Design optimization of light emitting diode module «chip-on- board» for light extraction increase. Conference Proceedings - 12th International Conference on Laser and Fiber-Optical Networks Modeling, LFNM 2013. 2013. pp. 6644845.

Статья
2013 год

Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Braslavskii S.S., Solovieva E.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Romanov A.E., Bugrov V.E. Temperature stability of colored LED elements. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2013. Vol. 18. No. 2. pp. 143–147.

Статья
2013 год

Шиляев А.В., Грешнов А.А., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д. Моделирование рекомбинационных процессов в твердых растворах с масштабными флуктуациями состава. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2013. Т. 18. № 2. С. 171-178.

Статья
2013 год

Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. Effects of light scattering in optical coatings on energy losses in LED devices. Technical Physics Letters. 2013. Vol. 39. No. 12. pp. 1074-1077.

Статья
2013 год

Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Повышение эффективности вывода света из светодиодных модулей "CHIP-ON-BOARD". Оптический журнал. 2013. Т. 80. № 12. С. 45-52.

Тезисы
2013 год

Design optimization of light emitting diode module «CHIP-ON-BOARD» for light extraction increase

Тезисы
2013 год

Разработка перспективных композитных люминофорных материалов на основе неорганических матриц

Тезисы
2013 год

Взаимная диффузия компонентов подложки и эпитаксиальных слоев при хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на кремнии

Тезисы
2013 год

Новая образовательная программа в области твердотельного освещения

Статья
2013 год

Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Влияние светорассеяния в оптических покрытиях на потери энергии в светодиодных устройствах. Письма в Журнал технической физики. 2013. Т. 39. № 24. С. 1-8.

Статья
2012 год

Зегря Г.Г., Шиляев А.В., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д. Энергетический спектр и оптические переходы в наногетероструктурах на основе твердых растворов теллурида кадмия и ртути. Научно-технические ведомости СПБГПУ. 2012. Т. 2. № 146. С. 69-73.

Статья
2012 год

Баженов Н.Л., Шиляев А.В., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г. Оптические переходы в квантовых ямах на основе CdxHg1-xTe и их анализ с учетом особенностей зонной структуры. Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. № 6. С. 792–797.

Повышение квалификации

Повышение квалификации
2019 год
Обслуживание и эксплуатация холодильных систем коммерческого типа (с учетом стандарта Ворлдскиллс по компетенции «Холодильная техника и системы кондиционирования»)

Российская Федерация, Санкт-Петербург

Повышение квалификации
2019 год
Моделирование и численный анализ условий кристаллизации и технологии выращивания методом электроосаждения специфических нанообъектов

Российская Федерация