Осипов Андрей Викторович

Осипов Андрей Викторович
доктор физико-математических наук
профессор, факультет лазерной фотоники и оптоэлектроники

Педагогический стаж

Общий стаж:
5 лет

Публикации

134
Статья
2020 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V., Redkov A.V., Sharofidinov S.S. Epitaxial Growth of Bulk Semipolar AlN Films on Si(001) and Hybrid SiC/Si(001) Substrates. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 6. pp. 539-542.

Статья
2020 год

Redkov A.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Growth of faceted pores in a multi-component crystal by applying mechanical stress. CrystEngComm. 2020. Vol. 22. No. 32. pp. 5280-5288.

Статья
2020 год

Redkov A.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Vacancy Growth of a Faceted Pore in a Crystal via Chernov Mechanism. Mechanics of Solids. 2020. Vol. 55. No. 1. pp. 77-83.

Статья
2020 год

Talalaev V.G., Tomm J.W., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Shtrom I.V., Kotlyar K.P., Mahler F., Schilling J., Reznik R.R., Cirlin G.E. Ascending Si diffusion into growing GaN nanowires from the SiC/Si substrate: up to the solubility limit and beyond. Nanotechnology. 2020. Vol. 31. No. 29. pp. 294003.

Статья
2020 год

Кукушкин С.А., Осипов А.В., Редьков А.В. Вакансионный рост ограненных пор в кристалле по механизму Чернова. Известия Российской академии наук. Механика твердого тела. 2020. № 1. С. 94-101.

Статья
2020 год

Гращенко А.С., Кукушкин С.А., Осипов А.В. Упругие свойства пленок GaN и AlN, сформированных на пористом основании – гибридной подложке SiC/Si. Известия Российской академии наук. Механика твердого тела. 2020. № 2. С. 3-9.

Статья
2020 год

Grashchenko A.S., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Elastic Properties of GaN and AlN Films Formed on SiC/Si Hybrid Substrate, a Porous Basis. Mechanics of Solids. 2020. Vol. 55. No. 2. pp. 157-161.

Статья
2020 год

Avrov D.D., Gorlyak A.N., Lebedev A.O., Luchinin V.V., Markov A.V., Osipov A.V., Panov M.F., Kukushkin S.A. Comparative Ellipsometric Analysis of Silicon Carbide Polytypes 4H, 15R, and 6H Produced by a Modified Lely Method in the Same Growth Process. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 10. pp. 968-971.

Статья
2020 год

Осипов А.В., Гращенко А.С., Горляк А.Н., Лебедев А.О., Лучинин В.В., Марков А.В., Панов М.Ф., Кукушкин С.А. Исследование методом наноиндентирования твердости и модуля юнга в тонких приповерхностных слоях карбида кремния со стороны SI- и c-граней. Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 15. С. 36-38.

Статья
2020 год

Кукушкин С.А., Осипов А.В., Редьков А.В., Шарофидинов Ш.Ш. Рост объемных эпитаксиальных пленок Aln полуполярной ориентации на подложках SI (001) и гибридных подложках SIC/SI (001). Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 11. С. 22-25.

Статья
2020 год

Osipov A.V., Grashchenko A.S., Gorlyak A.N., Lebedev A.O., Luchinin V.V., Markov A.V., Panov M.F., Kukushkin S.A. Investigation of the Hardness and Young’s Modulus in Thin Near-Surface Layers of Silicon Carbide from the Si- and C-Faces by Nanoindentation. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 8. pp. 763-766.

Статья
2019 год

Grashchenko A.S., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Study of Elastic Properties of SiC Films Synthesized on Si Substrates by the Method of Atomic Substitution. Physics of the solid state. 2019. Vol. 61. No. 12. pp. 2310-2312.

Статья
2019 год

Grashchenko A.S., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Strength and structural properties of AlN films grown on SiC/Si substrates synthesized by atomic substitution. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1410. No. 1. pp. 012003.

Статья
2019 год

Benemanskaya G.V., Dement’Ev P.A., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Timoshnev S.N. A New Type of Carbon Nanostructure on a Vicinal SiС(111)-8° Surface. Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 3. pp. 201-204.

Статья
2019 год

Benemanskaya G.V., Dementev P.A., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Timoshnev S.N. Carbon-Based Aromatic-Like Nanostructures on the Vicinal SiC Surfaces Induced by Ba Adsorption. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2019. Vol. 8. No. 6. pp. M53-M59.

Статья
2019 год

Sharofidinov S.S., Kukushkin S.A., Red’Kov A.V., Grashchenko A.S., Osipov A.V. Growing III–V Semiconductor Heterostructures on SiC/Si Substrates. Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 7. pp. 711-713.

Статья
2019 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V. Techniques for Polytypic Transformations in Silicon Carbide. Physics of the solid state. 2019. Vol. 61. No. 8. pp. 1389-1393.

Статья
2019 год

Kukushkin S.A., Mizerov A.M., Grashchenko A.S., Osipov A.V., Nikitina E.V., Timoshnev S.N., Bouravlev A.D., Sobolev M.S. Photoelectric Properties of GaN Layers Grown by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy on Si(111) Substrates and SiC/Si(111) Epitaxial Layers. Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 2. pp. 180-187.

Статья
2019 год

Redkov A.V., Grashchenko A.S., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Kotlyar K.P., Likhachev A.I., Nashchekin A.V., Soshnikov I.P. Studying Evolution of the Ensemble of Micropores in a SiC/Si Structure during Its Growth by the Method of Atom Substitution. Physics of the solid state. 2019. Vol. 61. No. 3. pp. 299-306.

Статья
2019 год

Мизеров А.М., Кукушкин С.А., Шарофидинов Ш.Ш., Осипов А.В., Тимошнев С.Н., Шубина К.Ю., Березовская Т.Н., Мохов Д.В., Буравлев А.Д. Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si. Физика твердого тела. 2019. Т. 61. № 12. С. 2289-2293.

Статья
2019 год

Гращенко А.С., Кукушкин С.А., Осипов А.В. Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов. Физика твердого тела. 2019. Т. 61. № 12. С. 2313-2315.

Статья
2019 год

Кукушкин С.А., Осипов А.В. Механизм диффузии монооксидов углерода и кремния в кристалле кубического карбида кремния. Физика твердого тела. 2019. Т. 61. № 12. С. 2334-2337.

Статья
2019 год

Redkov A.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Growth of a multicomponent crystal via Chernov's mechanism. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1410. No. 1. pp. 012039.

Статья
2019 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V., Kasatkin I.A., Mikhailovskii V.Y., Romanychev A.I. Formation of ordered ZnO structures grown by the ALD method on hybrid SiC/Si (100) substrates. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2019. Vol. 42. No. 1. pp. 30-39.

Статья
2019 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V., Feoktistov N.A. Two-Stage Conversion of Silicon to Nanostructured Carbon by the Method of Coordinated Atomic Substitution. Physics of the solid state. 2019. Vol. 61. No. 3. pp. 456-463.

Статья
2019 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V. Microscopic Description of the Mechanism of Transition between the 2H and 4H Polytypes of Silicon Carbide. Physics of the solid state. 2019. Vol. 61. No. 3. pp. 288-291.

Статья
2019 год

Кукушкин С.А., Осипов А.В. Пути политипных превращений в карбиде кремния. Физика твердого тела. 2019. Т. 61. № 8. С. 1443-1447.

Статья
2019 год

Kukushkin S.A., Sharofidinov S.S., Osipov A.V., Redkov A.V., Kidalov V.V., Grashchenko A.S., Soshnikov I.P., Dyadenchuk A.F. Erratum: The mechanism of growth of GaN films by the HVPE method on SiC synthesized by the substitution of atoms on porous Si substrates (ECS Journal of Solid State Science and Technology (2018) 7 (P480) DOI: 10.1149/2.0191809jss). ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2019. Vol. 8. No. 4. pp. X1.

Статья
2019 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V., Osipova E.V. Mechanism of molecule migration of carbon and silicon monoxides in silicon carbide crystal. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2019. Vol. 42. No. 2. pp. 178-182.

Статья
2019 год

Shugurov K.Y., Reznik R.R., Mozharov A.M., Kotlyar K.P., Koval O.Y., Osipov A.V., Fedorov V.V., Shtrom I.V., Bolshakov A.D., Kukushkin S.A., Mukhin I.S., Cirlin G.E. Study of SiC buffer layer thickness influence on photovoltaic properties of n-GaN NWs/SiC/p-Si heterostructure. Materials Science in Semiconductor Processing. 2019. Vol. 90. pp. 20-25.

Статья
2019 год

Кукушкин С.Г., Осипов А.В., Феоктистов Н.А. Двухстадийная конверсия кремния в наноструктурированный углерод методом согласованного замещения атомов. Физика твердого тела. 2019. Т. 61. № 3. С. 587-593.

Статья
2019 год

Кукушкин С.А., Осипов А.В. Микроскопическое описание механизма перехода между политипами 2H и 4H карбида кремния. Физика твердого тела. 2019. Т. 61. № 3. С. 422-425.

Статья
2019 год

Шарофидинов Ш.Ш., Кукушкин С.А., Редьков А.В., Гращенко А.С., Осипов А.В. Рост полупроводниковых III-V гетероструктур на подложках SIC/SI. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 14. С. 24-27.

Статья
2019 год

Редьков А.В., Гращенко А.С., Кукушкин С.А., Осипов А.В., Котляр К.П., Лихачев А.И., Нащекин А.В., Сошников И.П. Эволюция ансамбля микропор в структуре SIC/SI в процессе роста методом замещения атомов. Физика твердого тела. 2019. Т. 61. № 3. С. 433-440.

Статья
2019 год

Кукушкин С.А., Мизеров А.М., Гращенко А.С., Осипов А.В., Никитина Е.В., Тимошнев С.Н., Буравлев А.Д., Соболев М.С. Фотоэлектрические свойства слоев gan, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках SI(111) и эпитаксиальных слоях SIC на SI(111). Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. № 2. С. 190-198.

Статья
2019 год

Бенеманская Г.В., Дементьев П.А., Кукушкин С.А., Осипов А.В., Тимошнев С.Н. Новый тип углеродной наноструктуры на вицинальной поверхности SiС(111)-8o. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 5. С. 17-20.

Статья
2019 год

Reznik R.R., Soshnikov I.P., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Talalaev V.G., Cirlin G.E. The use of SiC/Si hybrid substrate for MBE growth of thick GaN layers. AIP Conference Proceedings. 2019. Vol. 2064. pp. 040004.

Статья
2019 год

Antipov V.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Epitaxial growth of Zinc sulfide by atomic layer deposition on SiC/Si hybrid substrates. Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 11. pp. 1075-1077.

Статья
2019 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V. Mechanism of diffusion of carbon and silicon monooxides in a cubic silicon carbide crystal. Physics of the solid state. 2019. Vol. 61. No. 12. pp. 2338-2341.

Статья
2019 год

Mizerov A.M., Kukushkin S.A., Sharofidinov S.S., Osipov A.V., Timoshnev S.N., Shubina K.Y., Berezovskaya T.N., Mokhov D.V., Buravlev A.D. Method for Controlling the Polarity of Gallium Nitride Layers in Epitaxial Synthesis of GaN/AlN Heterostructures on Hybrid SiC/Si Substrates. Physics of the solid state. 2019. Vol. 61. No. 12. pp. 2277-2281.

Статья
2018 год

Grashchenko A.S., Kukushkin S.A., Nikolaev V.I., Osipov A.V., Osipova E.V., Soshnikov I.P. Study of the Anisotropic Elastoplastic Properties of beta-Ga2O3 Films Synthesized on SiC/Si Substrates. Physics of the solid state. 2018. Vol. 60. No. 5. pp. 852-857.

Статья
2018 год

Kukushkin S.A., Mizerov A.M., Osipov A.V., Redkov A.V., Timoshnev S.N. Plasma assisted molecular beam epitaxy of thin GaN films on Si(111) and SiC/Si(111) substrates: Effect of SiC and polarity issues. Thin Solid Films. 2018. Vol. 646. pp. 158-162.

Статья
2018 год

Reznik R.R., Kotlyar K.P., Il’Kiv I.V., Khrebtov A.I., Soshnikov I.P., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Nikitina E.V., Cirlin G.E. MBE Growth and Optical Properties of GaN, InN, and A(3)B(5) Nanowires on SiC/Si(111) Hybrid Substrate. Advances in Condensed Matter Physics. 2018. pp. 1040689.

Статья
2018 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V., Redkov A.V., Grashchenko A.S., Feoktistov N.A., Fedotov S.D., Statsenko V., Sokolov E.M., Timoshenkov S.P. A new method for synthesis of epitaxial films of silicon carbide on sapphire substrates (alpha-Al2O3). Reviews on Advanced Materials Science. 2018. Vol. 57. No. 1. pp. 82-96.

Статья
2018 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V. Mechanism of Formation of Carbon-Vacancy Structures in Silicon Carbide during Its Growth by Atomic Substitution. Physics of the solid state. 2018. Vol. 60. No. 9. pp. 1891-1896.

Статья
2018 год

Kitaev Y.E., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Redkov A.V. A New Trigonal (Rhombohedral) SiC Phase: Ab Initio Calculations, a Symmetry Analysis and the Raman Spectra. Physics of the solid state. 2018. Vol. 60. No. 10. pp. 2066-2071.

Статья
2018 год

Kidalov V.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Redkov A.V., Grashchenko A.S., Soshnikov I.P., Boiko M.E., Sharkov M.D., Dyadenchuk A.F. Properties of SiC Films Obtained by the Method of Substitution of Atoms on Porous Silicon. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2018. Vol. 7. No. 4. pp. P158-P160.

Статья
2018 год

Kidalov V.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Redkov A.V., Grashchenko A.S., Soshnikov I.P., Boiko M.E., Sharkov M.D., Dyadenchuk A.F. Growth of SiC films by the method of substitution of atoms on porous Si (100) and (111) substrates. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2018. Vol. 36. No. 1. pp. 39-52.

Статья
2018 год

Redkov A.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Spiral growth of a crystal due to chemical reaction. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1124. No. 2. pp. 022006.

Статья
2018 год

Кідалов В.В., Кукушкiн С.А., Осіпов А.В., Редьков А.В., Гращенко А.С., Сошніков I.П., Бойко М.Е., Шарков М.Д., Дяденчук А.Ф.Гетероепітаксійний ріст SiC на підкладках поруватого Si методом заміщення атомів [Heteroepitaxy growth of SiC on the substrates of Porous Si method of substitution of atoms].Журнал нано- и электронной физики [Journal of Nano- and Electronic Physics].2018. Т. 10. № 3. С. 03026.

Статья
2018 год

Антипов В.В., Кукушкин С.А., Осипов А.В., Рубец В.П. Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния. Физика твердого тела. 2018. Т. 60. № 3. С. 499-504.

Статья
2018 год

Кукушкин С.А., Осипов А.В. Механизм образования углеродно-вакансионных структур в карбиде кремния при его росте методом замещения атомов. Физика твердого тела. 2018. Т. 60. № 9. С. 1841-1846.

Статья
2018 год

Китаев Ю.Э., Кукушкин С.А., Осипов А.В., Редьков А.В. Новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SIC: AB INITIO расчеты, симметрийный анализ и рамановские спектры. Физика твердого тела. 2018. Т. 60. № 10. С. 2022-2027.

Статья
2018 год

Калинкин И.П., Кукушкин С.А., Осипов А.В. Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов. Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 6. С. 656-663.

Статья
2018 год

Гращенко А.С., Кукушкин С.А., Николаев В.И., Осипов А.В., Осипова Е.В., Сошников И.П. Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок BETA-GA2O3, синтезированных на подложках SIC/SI. Физика твердого тела. 2018. Т. 60. № 5. С. 851-856.

Статья
2018 год

Kukushkin S.A., Sharofidinov S.S., Osipov A.V., Redkov A.V., Kidalov V.V., Grashchenko A.S., Soshnikov I.P., Dydenchuk A.F. The Mechanism of Growth of GaN Films by the HVPE Method on SiC Synthesized by the Substitution of Atoms on Porous Si Substrates. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2018. Vol. 7. No. 9. pp. P480-P486.

Статья
2018 год

Reznik R.R., Kotlyar K.P., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Soshnikov I.P., Nikitina E.V., Cirlin G.E. MBE growth and optical properties of III-V nanowires on SiC/Si(111) hybrid substrate. Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018. 2018. pp. 382.

Статья
2018 год

Osipov A.V., Grashchenko A.S., Kukushkin S.A., Nikolaev V.I., Osipova E.V., Pechnikov A.I., Soshnikov I.P. Structural and elastoplastic properties of beta-Ga2O3 films grown on hybrid SiC/Si substrates. Continuum Mechanics and Thermodynamics. 2018. Vol. 30. No. 5. pp. 1059-1068.

Статья
2018 год

Kalinkin I.P., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Effect of Chemical Treatment of a Silicon Surface on the Quality and Structure of Silicon-Carbide Epitaxial Films Synthesized by Atom Substitution. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 6. pp. 802-808.

Статья
2018 год

Antipov V.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Rubets V.P. Epitaxial Growth of Cadmium Selenide Films on Silicon with a Silicon Carbide Buffer Layer. Physics of the solid state. 2018. Vol. 60. No. 3. pp. 504-509.

Статья
2017 год

Egorov V.K., Egorov E.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Structural heteroepitaxy during topochemical transformation of silicon to silicon carbide. Physics of the solid state. 2017. Vol. 59. No. 4. pp. 773-779.

Статья
2017 год

Grashchenko A.S., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Redkov A.V. Nanoindentation of GaN/SiC thin films on silicon substrate. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2017. Vol. 102. pp. 151-156.

Статья
2017 год

Гращенко А.С., Феоктистов Н.А., Осипов А.В., Калинина Е.В., Кукушкин С.А. Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния-кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния. Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. № 5. С. 651.

Статья
2017 год

Кукушкин С.А., Осипов А.В., Редьков А.В. Отделение эпитаксиальных гетероструктур III-N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов. Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. № 3. С. 414-420.

Статья
2017 год

Кукушкин С.А., Осипов А.В. Квантово-механическая модель дилатационных диполей при топохимическом синтезе карбида кремния из кремния. Физика твердого тела. 2017. Т. 59. № 6. С. 1211-1217.

Статья
2017 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V., Soshnikov I.P. Growth of epitaxial SiC layer on Si (100) surface of n-and p-type of conductivity by the atoms substitution method. Reviews on Advanced Materials Science. 2017. Vol. 52. No. 1-2. pp. 29-42.

Статья
2017 год

Grudinkin S.A., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Feoktistov N.A. IR spectra of carbon-vacancy clusters in the topochemical transformation of silicon into silicon carbide. Physics of the solid state. 2017. Vol. 59. No. 12. pp. 2430-2435.

Статья
2017 год

Kukushkin S.A., Nussupov K.K., Osipov A.V., Beisenkhanov N.B., Bakranova D.I. Structural properties and parameters of epitaxial silicon carbide films, grown by atomic substitution on the high-resistance (111) oriented silicon. Superlattices and Microstructures. 2017. Vol. 111. pp. 899-911.

Статья
2017 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V. A quantum-mechanical model of dilatation dipoles in topochemical synthesis of silicon carbide from silicon. Physics of the solid state. 2017. Vol. 59. No. 6. pp. 1238-1241.

Статья
2017 год

Rozhavskaya M.M., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Myasoedov A.V., Troshkov S.I., Sorokin L.M., Brunkov P.N., Baklanov A.V., Telyatnik R.S., Juluri R.R., Pedersen K.B., Popok V.N. Metal organic vapor phase epitaxy growth of (Al)GaN heterostructures on SiC/Si(111) templates synthesized by topochemical method of atoms substitution. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 2017. Vol. 214. No. 10. pp. 1700190.

Статья
2017 год

Кукушкин С.А., Осипов А.В. Эффект Горского при синтезе пленок карбида кремния из кремния методом топохимического замещения атомов. Письма в Журнал технической физики. 2017. Т. 43. № 13. С. 81-88.

Статья
2017 год

Китаев Ю.Э., Кукушкин С.А., Осипов А.В. Эволюция симметрии промежуточных фаз и их фононных спектров в процессе топохимического превращения кремния в карбид кремния. Физика твердого тела. 2017. Т. 59. № 1. С. 30-35.

Статья
2017 год

Антипов В.В., Кукушкин С.А., Осипов А.В. Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния. Физика твердого тела. 2017. Т. 59. № 2. С. 385-388.

Статья
2017 год

Егоров В.К., Егоров Е.В., Кукушкин С.А., Осипов А.В. Структурная гетероэпитаксия при топохимическом превращении кремния в карбид кремния. Физика твердого тела. 2017. Т. 59. № 4. С. 755-761.

Статья
2017 год

Грудинкин С.А., Кукушкин С.А., Осипов А.В., Феоктистов Н.А. ИК-спектры углерод-вакансионных кластеров при топохимическом превращении кремния в карбид кремния. Физика твердого тела. 2017. Т. 59. № 12. С. 2403-2408.

Статья
2017 год

Grashchenko A.S., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Feoktistov N.A. Dependencies of photoelectric properties of SiC/Si structures grown by the method of atoms substitution on synthesis time. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 872. No. 1. pp. 012030.

Статья
2017 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V. The Gorsky effect in the synthesis of silicon-carbide films from silicon by topochemical substitution of atoms. Technical Physics Letters. 2017. Vol. 43. No. 7. pp. 631-634.

Статья
2017 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V. Quantum mechanical theory of epitaxial transformation of silicon to silicon carbide. Journal of Physics D: Applied Physics. 2017. Vol. 50. No. 46. pp. 464006.

Статья
2017 год

Reznik R.R., Kotlyar K.P., Shtrom I.V., Soshnikov I.P., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Cirlin G.E. MBE Growth of Ultrathin III–V Nanowires on a Highly Mismatched SiC/Si(111) Substrate. Semiconductors. 2017. Vol. 51. No. 11. pp. 1472–1476.

Статья
2017 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V., Bessolov V.N., Konenkova E.V., Panteleev V.N. Misfit dislocation locking and rotation during gallium nitride growth on SiC/Si substrates. Physics of the solid state. 2017. Vol. 59. No. 4. pp. 674–681.

Статья
2017 год

Bessolov V.N., Kalmykov A., Konenkov S., Konenkova E.V., Kukushkin S.A., Myasoedov A.V., Osipov A.V., Panteleev V.N. Semipolar AlN on Si(100): Technology and properties. Microelectronic Engineering. 2017. Vol. 178. pp. 34-37.

Статья
2017 год

Резник Р.Р., Котляр К.П., Штром И.В., Сошников И.П., Кукушкин С.А., Осипов А.В., Цырлин Г.Э. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии AIII BV нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SIC/SI(111). Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. № 11. С. 1525-1529.

Статья
2017 год

Sharofidinov S.S., Redkov A.V., Osipov A.V., Kukushkin S.A. GaN growth via HVPE on SiC/Si substrates: Growth mechanisms. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 917. No. 3. pp. 032028.

Статья
2017 год

Grashchenko A.S., Feoktistov N.A., Osipov A.V., Kalinina E.V., Kukushkin S.A. Photoelectric characteristics of silicon carbide-silicon structures grown by the atomic substitution method in a silicon crystal lattice. Semiconductors. 2017. Vol. 51. No. 5. pp. 621-627.

Статья
2017 год

Kukushkin S.A., Nussupov K.K., Osipov A.V., Beisenkhanov N.B., Bakranova D.I. X-Ray Reflectometry and Simulation of the Parameters of SiC Epitaxial Films on Si(111), Grown by the Atomic Substitution Method. Physics of the solid state. 2017. Vol. 59. No. 5. pp. 1014-1026.

Статья
2017 год

Benemanskaya G.V., Dementev P.A., Kukushkin S.A., Lapushkin M.N., Osipov A.V., Timoshnev S.N. Carbon-based nanostructure created by Ba and Cs atomic layer deposition on the vicinal 3C-SiC(111) surfaces. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2017. Vol. 32. No. 2. pp. 108-116.

Статья
2017 год

Reznik R.R., Kotlyar K.P., Soshnikov I.P., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Nikitina E.V., Cirlin G.E. MBE growth and optical properties of GaN layers on SiC/Si(111) hybrid substrate. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 917. No. 3. pp. 032014.

Статья
2017 год

Kukushkin S.A., Mizerov A.M., Osipov A.V., Redkov A.V., Telyatnik R.S., Timoshnev S.N. Effect of SiC buffer layer on GaN growth on Si via PA-MBE. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 917. No. 3. pp. 032038.

Статья
2017 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V., Red’Kov A.V. Separation of III–N/SiC epitaxial heterostructure from a Si substrate and their transfer to other substrate types. Semiconductors. 2017. Vol. 51. No. 3. pp. 396-401.

Статья
2017 год

Antipov V.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Epitaxial growth of cadmium telluride films on silicon with a buffer silicon carbide layer. Physics of the solid state. 2017. Vol. 59. No. 2. pp. 399-402.

Статья
2017 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V. Drift mechanism of mass transfer on heterogeneous reaction in crystalline silicon substrate. Physica B: Condensed Matter. 2017. Vol. 512. pp. 26-31.

Статья
2017 год

Kitaev Y.E., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Evolution of the symmetry of intermediate phases and their phonon spectra during the topochemical conversion of silicon into silicon carbide. Physics of the solid state. 2017. Vol. 59. No. 1. pp. 28-33.

Статья
2017 год

Кукушкин С.А., Осипов А.В., Бессолов В.Н., Коненкова Е.В., Пантелеев В.Н. Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si. Физика твердого тела. 2017. Т. 59. № 4. С. 660-667.

Статья
2017 год

Кукушкин С.А., Нусупов К.Х., Осипов А.В., Бейсенханов Н.Б., Бакранова Д.И. Рентгеновская рефлектометрия и моделирование параметров эпитаксиальных пленок SiC на Si(111), выращенных методом замещения атомов. Физика твердого тела. 2017. Т. 59. № 5. С. 986-998.

Статья
2016 год

Antipov V.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Epitaxial growth of cadmium sulfide films on silicon. Physics of the solid state. 2016. Vol. 58. No. 3. pp. 629-632.

Статья
2016 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V. Determining polytype composition of silicon carbide films by UV ellipsometry. Technical Physics Letters. 2016. Vol. 42. No. 2. pp. 175-178.

Статья
2016 год

Bessolov V.N., Karpov D.V., Konenkova E.V., Lipovskii A.A., Osipov A.V., Redkov A.V., Soshnikov I.P., Kukushkin S.A. Pendeo-epitaxy of stress-free AlN layer on a profiled SiC/Si substrate. Thin Solid Films. 2016. Vol. 606. pp. 74-79.

Статья
2016 год

Reznik R.R., Kotlyar K.P., Ilkiv I.V., Soshnikov I.P., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Nikitina E.V., Cirlin G.E. The use of SiC/Si(111) hybrid substrate for MBE growth of GaN nanowires. Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 741. No. 1. pp. 012027.

Статья
2016 год

Redkov A.V., Osipov A.V., Mukhin I.S., Kukushkin S.A. Separation of stress-free AlN/SiC thin films from Si substrate. Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 741. No. 1. pp. 012034.

Статья
2016 год

Redkov A.V., Osipov A.V., Kukushkin S.A. Evolution of crystal morphology under flow of low-energy particles: Vacancy mechanism. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2016. Vol. 29. No. 1. pp. 82-92.

Статья
2016 год

Redkov A.V., Osipov A.V., Kukushkin S.A. Molecular dynamics simulation of the indentation of nanoscale films on a substrate. Technical Physics Letters. 2016. Vol. 42. No. 6. pp. 639-643.

Статья
2016 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V., Telyatnik R.S. Elastic interaction of point defects in cubic and hexagonal crystals. Physics of the solid state. 2016. Vol. 58. No. 5. pp. 971-980.

Статья
2016 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V. Phase equilibrium in the formation of silicon carbide by topochemical conversion of silicon. Physics of the solid state. 2016. Vol. 58. No. 4. pp. 747-751.

Статья
2016 год

Бенеманская Г.В., Дементьев П.А., Кукушкин С.А., Лапушкин М.Н., Осипов А.В., Тимошнев С.Н. Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4o и интерфейса Cs/SiC(100) 4o. Письма в Журнал технической физики. 2016. Т. 42. № 23. С. 51-57.

Статья
2016 год

Benemanskaya G.V., Dement’Ev P.A., Kukushkin S.A., Lapushkin M.N., Osipov A.V., Senkovskiy B.V. The C 1s core level spectroscopy of carbon atoms at the surface SiC/Si(111)-4A layer and Cs/SiC/Si(111)-4A interface. Semiconductors. 2016. Vol. 50. No. 10. pp. 1327-1332.

Статья
2016 год

Kukushkin S.A., Nikolaev V.I., Osipov A.V., Osipova E.V., Pechnikov A.I., Feoktistov N.A. Epitaxial gallium oxide on a SiC/Si substrate. Physics of the solid state. 2016. Vol. 58. No. 9. pp. 1876-1881.

Статья
2016 год

Reznik R.R., Kotlyar K.P., Ilkiv I.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Soshnikov I.P., Nikitina E.V., Cirlin G.E. MBE growth and optical properties of GaN nanowires on SiC/Si(111) hybrid substrate. International Conference Laser Optics, LO 2016. 2016. pp. R92.

Статья
2016 год

Benemanskaya G.V., Dement’Ev P.A., Kukushkin S.A., Lapushkin M.N., Osipov A.V., Timoshnev S.N. Photoemission studies of the vicinal SiC(100) 4° surface and the Cs/SiC(100) 4° interface. Technical Physics Letters. 2016. Vol. 42. No. 12. pp. 1145-1148.

Статья
2016 год

Telyatnik R.S., Osipov A.V., Kukushkin S.A. AB initio modelling of nonlinear elastoplastic properties of diamond-like C, SiC, Si, Ge crystals upon large strains. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2016. Vol. 29. No. 1. pp. 1-16.

Статья
2016 год

Reznik R.R., Kotlyar K., Ilkiv I., Soshnikov I., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Nikitina E., Cirlin G. MBE Growth and Optical Properties of GaN Nanowires on SiC/Si(111) Hybrid Substrate. AIP Conference Proceedings. 2016. Vol. 1748. pp. 040003.

Статья
2016 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V., Romanychev A.I. Epitaxial growth of zinc oxide by the method of atomic layer deposition on SiC/Si substrates. Physics of the solid state. 2016. Vol. 58. No. 7. pp. 1448-1452.

Статья
2016 год

Reznik R.R., Kotlyar K.P., Il’Kiv I.V., Soshnikov I.P., Kukushkin S.A., Osipov A.V., Nikitina E.V., Cirlin G.E. Growth and optical properties of filamentary GaN nanocrystals grown on a hybrid SiC/Si(111) substrate by molecular beam epitaxy. Physics of the solid state. 2016. Vol. 58. No. 10. pp. 1952-1955.

Статья
2016 год

Кукушкин С.А., Осипов А.В., Романычев А.И. Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si. Физика твердого тела. 2016. Т. 58. № 7. С. 1398-1402.

Статья
2016 год

Кукушкин С.А., Осипов А.В., Телятник Р.С. Упругое взаимодействие точечных дефектов в кубических и гексагональных кристаллах. Физика твердого тела. 2016. Т. 58. № 5. С. 941-949.

Статья
2016 год

Кукушкин С.А., Николаев В.И., Осипов А.В., Осипова Е.В., Печников А.И., Феоктистов Н.А. Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si. Физика твердого тела. 2016. Т. 58. № 9. С. 1812-1817.

Статья
2016 год

Кукушкин С.А., Осипов А.В., Сергеева О.Н., Киселев А.А., Богомолов А.А., Солнышкин А.В., Каптелов Е.Ю., Сенкевич С.В., Пронин И.П. Пироэлектрический и пьезоэлектрический отклики тонких пленок AlN, эпитаксиально выращенных на подложке SiC/Si. Физика твердого тела. 2016. Т. 58. № 5. С. 937-940.

Статья
2016 год

Редьков А.В., Осипов А.В., Кукушкин С.А. Моделирование процесса индентирования наномасштабных пленок на подложках методом молекулярной динамики. Письма в Журнал технической физики. 2016. Т. 42. № 12. С. 64-72.

Статья
2016 год

Кукушкин С.А., Осипов А.В. Фазовое равновесие при образовании карбида кремния за счет топохимического превращения из кремния. Физика твердого тела. 2016. Т. 58. № 4. С. 725-729.

Статья
2015 год

Grudinkin S.A., Golubev V.G., Osipov A.V., Feoklistov N.A., Kukushkin S.A. Infrared spectroscopy of silicon carbide layers synthesized by the substitution of atoms on the surface of single-crystal silicon. Physics of the solid state. 2015. Vol. 57. No. 12. pp. 2543-2549.

Статья
2015 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V. The equilibrium state in the Si-O-C ternary system during SiC growth by chemical substitution of atoms. Technical Physics Letters. 2015. Vol. 41. No. 3. pp. 259-262.

Статья
2015 год

Grashchenko A.S., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Microhardness study of two-layer nanostructures by a nanoindentation method. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2015. Vol. 24. No. 1. pp. 35-40.

Статья
2015 год

Redkov A.V., Osipov A.V., Kukushkin S.A. Stability of the surface of an elastically strained multicomponent film in a system with chemical reactions. Physics of the solid state. 2015. Vol. 57. No. 12. pp. 2524-2531.

Статья
2015 год

Kukushkin S.A., Osipov A.V., Rozhavskaya M.M., Myasoedov A.V., Troshkov S.I., Lundin V.V., Sorokin L.M., Tsatsul’Nikov A.F. Growth and structure of GaN layers on silicon carbide synthesized on a Si substrate by the substitution of atoms: A model of the formation of V-defects during the growth of GaN. Physics of the solid state. 2015. Vol. 57. No. 9. pp. 1899-1907.

Статья
2015 год

Тумаркин А.В., Кукушкин С.А., Осипов А.В., Анкудинов А.В., Одинец А.А. Роль упругой энергии в формировании сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция на сапфире. Физика твердого тела. 2015. Т. 57. № 4. С. 796-801.

Статья
2015 год

Benemanskaya G.V., Dementev P.A., Kukushkin S.A., Lapushkin M.N., Osipov A.V., Senkovskiy B.V., Timoshnev S.N. Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2015. Vol. 22. No. 2. pp. 183-190.

Статья
2015 год

Redkov A.V., Kukushkin S.A., Osipov A.V. Surface defects formation on strained thin films growing via chemical reaction: a model. Journal of Physics: Conference Series. 2015. Vol. 643. pp. 012005.

Статья
2015 год

Bessolov V.N., Grashchenko A.S., Konenkova E.V., Myasoedov A.V., Osipov A.V., Red’Kov A.V., Rodin S.N., Rubets V.P., Kukushkin S.A. Effect of the nand p-type Si(100) substrates with a SiC buffer layer on the growth mechanism and structure of epitaxial layers of semipolar AlN and GaN. Physics of the solid state. 2015. Vol. 57. No. 10. pp. 1966-1971.

Статья
2015 год

Кукушкин С.А., Осипов А.В. Равновесное состояние в трехэлементной системе Si-O-C при росте SiC методом химического замещения атомов. Письма в Журнал технической физики. 2015. Т. 41. № 6. С. 1-9.

Статья
2015 год

Грудинкин С.А., Голубев В.Г., Осипов А.В., Феоктистов Н.А., Кукушкин С.А. Инфракрасная спектроскопия слоев карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов на поверхности монокристаллического кремния. Физика твердого тела. 2015. Т. 57. № 12. С. 2469-2474.

Статья
2015 год

Редьков А.В., Осипов А.В., Кукушкин С.А. Устойчивость поверхности упругонапряженной многокомпонентной пленки в системе с химическими реакциями. Физика твердого тела. 2015. Т. 57. № 12. С. 2451-2457.

Статья
2015 год

Кукушкин С.А., Осипов А.В., Рожавская М.М., Мясоедов А.В., Трошков С.И., Лундин В.В., Сорокин Л.М., Цацульников А.Ф. Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения атомов: модель образования V-дефектов при росте GaN. Физика твердого тела. 2015. Т. 57. № 9. С. 1850-1858.

Статья
2015 год

Бессолов В.Н., Гращенко А.С., Коненкова Е.В., Мясоедов А.В., Осипов А.В., Редьков А.В., Родин С.Н., Рубец В.П., Кукушкин С.А. Эффект воздействия n- и p-типа проводимости подложки Si(100) с буферным слоем SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев полуполярных AlN и GaN. Физика твердого тела. 2015. Т. 57. № 10. С. 1916-1921.

Статья
2010 год

Бессолов В.Н., Жиляев Ю.В., Коненкова Е.В., Сорокин Л.М., Феоктистов Н.А., Шарофидинов Ш.Ш., Щеглов М.П., Кукушкин С.А., Метс Л.И., Осипов А.В. Нитрид алюминия на кремнии: роль промежуточного SiC слоя и технологии хлоридной газофазной эпитаксии. Письма в Журнал технической физики. 2010. Т. 36. № 11. С. 17-23.

Статья
2008 год

Аксянов И.Г., Бессолов В.Н., Жиляев Ю.В., Компан М.Е., Коненкова Е.В., Кукушкин С.А., Осипов А.В., Родин С.Н., Феоктистов Н.А., Шарофидинов Ш.Ш., Щеглов М.П. Хлоридная газофазная эпитаксия нитрида галлия на кремнии: влияние промежуточного SiC слоя. Письма в Журнал технической физики. 2008. Т. 34. № 11. С. 54-61.