Кремлева Арина Валерьевна

Кремлева Арина Валерьевна
кандидат физико-математических наук
доцент (квалификационная категория "ординарный доцент"), институт перспективных систем передачи данных

Преподаваемые дисциплины в текущем учебном году

  • Основы оптических приемо-передающих устройств
  • Основы оптических приемо-передающих устройств / Fundamentals of Optical Transceiver Devices
  • Физика полупроводников

Педагогический стаж

Общий стаж:
6 лет

Публикации

48
Статья
2022 год

Bkkar M.A., Olekhnovich R.O., Kremleva A., Kovach Y.N., Kalanchina V., Uspenskaya M.V. Fabrication of electrospun polymer nanofibers modified with all-inorganic perovskite nanocrystals for flexible optoelectronic devices. Applied Nanoscience. 2022. Vol. 12. No. 10. pp. 2961-2977.

Статья
2022 год

Smirnov A.M., Kremleva A.V., Sharofidinov S.S., Romanov A.E. Misfit stress relaxation in wide bandgap semiconductor heterostructures with trigonal and hexagonal crystal structure. Journal of Applied Physics. 2022. Vol. 131. No. 2. pp. 025301.

Статья
2022 год

Rochas S.S., Kovach I.N., Kopytov P.E., Kremleva A., Egorov A.I. Review on Single-Mode Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers for High-Speed Data Transfer. Reviews on Advanced Materials and Technologies. 2022. Vol. 4. No. 4. pp. 1-16.

Статья
2022 год

Zakgeim D., Bauman D.A., Panov D., Spiridonov V., Kremleva A.V., Smirnov A.M., Odnoblyudov M., Romanov A.E., Bougrov V.E. Growing of bulk Beta-(Alx Ga1-x)2O3crystals from the melt by Czochralski method and investigation of their structural and optical properties. Applied Physics Express. 2022. Vol. 15. No. 2. pp. 025501.

Статья
2022 год

Дементьева Е.В., Дементьев П.А., Коренко Н.П., Шкарупа И.И., Кремлева А.В., Панов Д.Ю., Спиридонов В.А., Заморянская М.В., Бауман Д.А., Одноблюдов М.А., Романов А.Е., Бугров В.Е. Особенности люминесценции объемных кристаллов Beta-(GaxAl1-x)2O3. Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 4. С. 389-393.

Статья
2022 год

Ivanov A.Y., Kremleva A., Sharofidinov S.S. The Electrical Properties of Schottky Barrier Diode Structures Based on HVPE Grown Sn Dopped Ga2O3 Layers. Reviews on Advanced Materials and Technologies. 2022. Vol. 4. No. 1. pp. 33-38.

Статья
2022 год

Snetkov P., Rogacheva E., Kremleva A., Morozkina S., Uspenskaya M., Kraeva L. In-Vitro Antibacterial Activity of Curcumin-Loaded Nanofibers Based on Hyaluronic Acid against Multidrug-Resistant ESKAPE Pathogens. Pharmaceutics. 2022. Vol. 14. No. 6. pp. 1186.

Статья
2021 год

Dementeva E., Dementev P.A., Kremleva A., Panov D., Romanov A.E., Bugrov V., Zamoryanskaya M. Influence of the aluminum content on the luminescent and electronic properties of Beta-Ga2O3. Journal of Physics: Conference Series. 2021. Vol. 2103. No. 1. pp. 012167.

Статья
2021 год

Smirnov A.M., Kremleva A.V., Sharofidinov S.S., Bugrov V., Romanov A.E. Misfit Stress Relaxation in Alpha-Ga2O3/Alpha-Al2O3 Heterostructures via Formation of Misfit Dislocations. Physics of the Solid State. 2021. Vol. 63. No. 6. pp. 924-931.

Учебник, учебное пособие
2021 год

Методы диагностики полупроводниковых материалов и гетероструктур.

Тезисы
2021 год

Growth of bulk (AlxGa1-x)2O3 crystals from melts using the Czochralski method and study of their physical properties

Тезисы
2021 год

Investigation of gallium oxide crystals depending on growth condition

Тезисы
2021 год

Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в кислородосодержащей атмосфере

Статья
2021 год

Ivanova E.V., Dementev P.A., Zamoryanskaya M.V., Zakgeim D., Panov D., Spiridonov V., Kremleva A.V., Odnoblyudov M.A., Bauman D.A., Romanov A.E., Bugrov V. Charge Carrier Traps in a Bulk Gallium Oxide beta-Ga2O3. Physics of the Solid State. 2021. Vol. 63. No. 4. pp. 544-549.

Статья
2021 год

Bauman D.A., Panov D.I., Zakgeim D.A., Spiridonov V.A., Kremleva A.V., Petrenko A.A., Brunkov P.N., Prasolov N.D., Nashchekin A.V., Smirnov A.M., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. High-Quality Bulk beta-Ga2O3 and beta-(AlxGa1-x)2O3 Crystals: Growth and Properties. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 2021. Vol. 218. No. 20. pp. 2100335.

Статья
2021 год

Bauman D.A., P’Yankova L.A., Kremleva A.V., Spiridonov V., Panov D., Zakgeim D., Bakhvalov A.S., Odnoblyudov M., Romanov A.E., Bougrov V.E. Elemental and Structural Mapping of Czochralski-Grown Bulk (Al xGa1 –x)2O3 Crystals. Technical Physics Letters. 2021. Vol. 47. No. 3. pp. 218-221.

Статья
2021 год

Бауман Д.А., Панов Д.Ю., Спиридонов В.А., Кремлева А.В., Одноблюдов М.А., Асач А.В., Крылов В.А., Исаченко Г.Н., Тамбулатова Е.В., Бугров В.Е., Романов А.Е. Измерение теплоемкости и теплопроводности объемных кристаллов Beta-ga2o3 и Beta-(alxga1-x)2o3, выращенных методом Чохральского [Measurements of heat capacity and thermal conductivity of Beta-ga2o3 and Beta-(Alxga1–x)2o3 bulk crystals grown by the Czochralski method] . Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics]. 2021. Т. 21. № 6(136). С. 880-894.

Статья
2021 год

Смирнов А.М., Кремлева А.В., Шарофидинов Ш.Ш., Бугров В.Е., Романов А.Е. Релаксация напряжений несоответствия в гетероструктурах alpha-Ga2O3/alpha-Al2O3 при образовании дислокаций несоответствия. Физика твердого тела. 2021. Т. 63. № 6. С. 788-795.

Статья
2021 год

Иванова Е.В., Дементьев П.А., Заморянская М.В., Закгейм Д.А., Панов Д.Ю., Спиридонов В.А., Кремлева А.В., Одноблюдов М.А., Бауман Д.А., Романов А.Е., Бугров В.Е. Исследование ловушек носителей заряда в объемном оксиде галлия beta-Ga2O3. Физика твердого тела. 2021. Т. 63. № 4. С. 421-426.

Учебник, учебное пособие
2021 год

Современные проблемы физики материалов

Статья
2021 год

Бауман Д.А., Пьянкова Л.А., Кремлева А.В., Спиридонов В.А., Панов Д.Ю., Закгейм Д.А., Бахвалов А.С., Одноблюдов М.А., Романов А.Е., Бугров В.Е. Элементное и структурное картирование объёмных кристаллов (AlxGa1-x)2O3 полученных методом Чохральского. Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 5. С. 19-22.

Статья
2021 год

Bauman D.A., Borodkin A.I., Petrenko A.A., Panov D.I., Kremleva A.V., Spiridonov V.A., Zakgeim D.A., Silnikov M.V., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E., Bougrov V.E. On improving the radiation resistance of gallium oxide for space applications. Acta Astronautica. 2021. Vol. 180. pp. 125-129.

Статья
2020 год

Zakgeim D.A., Panov D.I., Spiridonov V.A., Kremleva A.V., Smirnov A.M., Bauman D.A., Romanov A.E., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E. Volume gallium oxide crystals grown from melt by the Czochralski method in an oxygen-containing atmosphere. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 11. pp. 1144-1146.

Статья
2020 год

Panov D.I., Spiridonov V.A., Zakgeim D.A., Kremleva A.V., Bauman D.A., Romanov A.E., Bougrov V.E. Growth technology and characterization of bulk crystalline gallium oxide. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1695. No. 1. pp. 012024.

Статья
2020 год

Panov D.I., Spiridonov V.A., Zakgeim D.A., Kremleva A.V., Bauman D.A., Romanov A.E., Bougrov V.E. Technological features of growth and optical properties of gallium oxide. Journal of Physics: Conference Series. 2020. pp. in press.

Статья
2020 год

Smirnov A.M., Kremleva A.V., Sharofidinov S.S., Bougrov V.E., Romanov A.E. Stress-strain state in alpha-Ga2O3 epitaxial films on alpha-Al2O3 substrates. Applied Physics Express. 2020. Vol. 13. No. 7. pp. 075502.

Статья
2020 год

Smirnov A.M., Kremleva A.V., Sharofidinov S.S., Bougrov V.E., Romanov A.E. Reply to "Comment on 'Stress–strain state in -Ga2O3 epitaxial films on -Al2O3 substrates'" [Appl. Phys. Express 13, 075502 (2020)]. Applied Physics Express. 2020. Vol. 13. No. 8. pp. 089102.

Тезисы
2020 год

кремлева

Статья
2020 год

Kremleva A.V., Sharofidinov S.S., Smirnov A.M., Podlesnov E., Dorogov M.V., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. Growth of thick gallium oxide on the various substrates by halide vapor phase epitaxy. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2020. Vol. 44. No. 2. pp. 164-171.

Статья
2020 год

Закгейм Д.А., Панов Д.Ю., Спиридонов В.А., Кремлева А.В., Смирнов А.М., Бауман Д.А., Романов А.Е., Одноблюдов М.А., Бугров В.Е. Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в кислородсодержащей атмосфере. Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 22. С. 43-45.

Статья
2020 год

Mynbaeva M.G., Sitnikova A.A., Smirnov A.N., Mynbaev K.D., Lipsanen H.K., Kremleva A.V., Bauman D.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. On cracking in thick GaN layers grown on sapphire substrates. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2020. Vol. 44. No. 1. pp. 1-7.

Статья
2020 год

Panov D.I., Spiridonov V.A., Zakgeim D.A., Kremleva A.V., Bauman D.A., Romanov A.E., Bougrov V.E. Growth Technology and Optical Properties of Bulk Crystalline Gallium Oxide. Reviews on Advanced Materials and Technologies. 2020. Vol. 2. No. 3. pp. 51-55.

Тезисы
2019 год

Investigation of physical and chemical properties of gallium oxide crystal

Тезисы
2019 год

Structure characterization of bulk (AlxGa1-x)2O3 grown from the melt

Тезисы
2019 год

Optical properties of bulk gallium oxide

Статья
2019 год

Butenko P.N., Panov D.I., Kremleva A.V., Zakgeim D.A., Nashchekin A.V., Smirnova I.G., Bauman D.A., Romanov A.E., Bougrov V.E. Czochralski grown (AlxGa1-x)2O3 crystals with variable Al content. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2019. Vol. 42. No. 6. pp. 802-807.

Статья
2019 год

Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Smirnova I.G., Bougrov V.E., Romanov A.E. Structural characterization of bulk (AlxGa1-x)2O3 crystals grown by the Czochralski method. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2019. Vol. 42. No. 6. pp. 797-801.

Тезисы
2018 год

Разработка системы беспроводной односторонней передачи данных на основе технологии Light ID

Статья
2018 год

Mynbaeva M.G., Shirshnev P.S., Kremleva A.V., Smirnov A.N., Ivanova E.V., Zamoryanskaya M.V., Nikitina I.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Odnoblyudov M.A., Bauman D.A., Lipsanen H., Nikolaev V.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. Optical properties of bulk gallium oxide grown from the melt. Reviews on Advanced Materials Science. 2018. Vol. 57. No. 1. pp. 97-103.

Учебник, учебное пособие
2018 год

Современные тенденции развития оптоэлектроники: методические указания к выполнению лабораторного практикума (Часть 2)

Учебник, учебное пособие
2018 год

Современные тенденции развития оптоэлектроники. Лабораторный практикум Ч. 1

Тезисы
2017 год

Extended defects in epitaxial layers of (AlxGa1-x)2O3 grown on sapphire substrates

Статья
2017 год

Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.L., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2017. Vol. 32. No. 2. pp. 178-185.

Тезисы
2017 год

Исследование структурных особенностей в объёмных кристаллах Ga2O3 и эпитаксиальных плёнках GaN, выращенных на объёмных кристаллах Ga2O3

Статья
2016 год

Мынбаева М.Г., Кириленко Д.А., Ситникова А.А., Кремлева А.В., Николаев В.И., Мынбаев К.Д., Одноблюдов М.А., Липсанен Х., Бугров В.Е., Романов А.Е. Получение толстых слоев нитрида галлия методом многостадийного роста на подложках с колонной структурой. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics]. 2016. Т. 16. № 6(106). С. 1048-1055.

Статья
2016 год

Mynbaeva M.G., Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Pechnikov A.I., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Bugrov V.E., Lipsanen H., Romanov A.E. TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern. Journal of Crystal Growth. 2016. Vol. 445. pp. 30-36.

Статья
2014 год

Кириленко Д.А., Кремлева А.В., Ситникова А.А., Кремлева А.В., Мынбаева М.Г., Николаев В.И. Анализ дефектов упаковки в нитриде галлия с использованием преобразования Фурье высокоразрешающих изображений. Письма в Журнал технической физики. 2014. Т. 40. № 24. С. 60-68.

Статья
2014 год

Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Kremleva A.V., Mynbaeva M.G., Nikolaev V.I. Analysis of stacking faults in gallium nitride by Fourier transform of high-resolution images. Technical Physics Letters. 2014. Vol. 40. No. 12. pp. 1117-1120.

Повышение квалификации

Повышение квалификации
2020 год
Навигатор по образовательной деятельности в Университете ИТМО

Российская Федерация, Санкт-Петербург

Повышение квалификации
2019 год
Моделирование и численный анализ условий кристаллизации и технологии выращивания методом электроосаждения специфических нанообъектов

Российская Федерация

Повышение квалификации
2018 год
Эксплуатация, техническое обслуживание дифрактометра ДРОН-8 с опциями и ПО для него

Российская Федерация, Санкт-Петербург