Кремлева Арина Валерьевна

Кремлева Арина Валерьевна
ассистент (квалификационная категория "ассистент"), факультет лазерной фотоники и оптоэлектроники

Преподаваемые дисциплины в текущем учебном году

  • Рост и физические свойства кристаллов / Physics and technology of crystal growth
  • Проектная деятельность
  • Рост и физические свойства кристаллов
  • Производственная, научно-исследовательская работа / Research Internship
  • Производственная, технологическая (проектно-технологическая) / Tech Project Internship

Наименование направления подготовки и (или) специальности

Педагогический стаж

Общий стаж:
4 года

Публикации

26
Статья
2021 год

Бауман Д.А., Пьянкова Л.А., Кремлева А.В., Спиридонов В.А., Панов Д.Ю., Закгейм Д.А., Бахвалов А.С., Одноблюдов М.А., Романов А.Е., Бугров В.Е. Элементное и структурное картирование объёмных кристаллов (AlxGa1-x)2O3 полученных методом Чохральского. Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 5. С. 19-22.

Статья
2021 год

Bauman D.A., Borodkin A.I., Petrenko A.A., Panov D.I., Kremleva A.V., Spiridonov V.A., Zakgeim D.A., Сильников М.В., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E., Bougrov V.E. On improving the radiation resistance of gallium oxide for space applications. Acta Astronautica. 2021. Vol. 180. pp. 125-129.

Статья
2020 год

Smirnov A.M., Kremleva A.V., Sharofidinov S.S., Bougrov V.E., Romanov A.E. Stress-strain state in alpha-Ga2O3 epitaxial films on alpha-Al2O3 substrates. Applied Physics Express. 2020. Vol. 13. No. 7. pp. 075502.

Статья
2020 год

Закгейм Д.А., Панов Д.Ю., Спиридонов В.А., Кремлева А.В., Смирнов А.М., Бауман Д.А., Романов А.Е., Одноблюдов М.А., Бугров В.Е. Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в кислородсодержащей атмосфере. Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 22. С. 43-45.

Статья
2020 год

Подлеснов Е., Кремлева А.В., Шарофидинов Ш.Ш., Дорогов М.В., Одноблюдов М.А., Бугров В.Е. Epitaxial growth of thick gallium oxide on the various substrates by halide vapor phase epitaxy. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2020. Т. 44. № 1. С. 164-171.

Статья
2020 год

Smirnov A.M., Kremleva A.V., Sharofidinov S.S., Bougrov V.E., A. E.R. Reply to "Comment on 'Stress–strain state in -Ga2O3 epitaxial films on -Al2O3 substrates'" [Appl. Phys. Express 13, 075502 (2020)]. Applied Physics Express. 2020. Vol. 13. No. 8. pp. 089102.

Статья
2020 год

Mynbaeva M.G., Sitnikova A.A., Smirnov A.N., Mynbaev K.D., Lipsanen H.K., Kremleva A.V., Bauman D.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. On cracking in thick GaN layers grown on sapphire substrates. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2020. Vol. 44. No. 1. pp. 1-7.

Тезисы
2020 год

кремлева

Статья
2020 год

Panov D.A., Spiridonov V.A., Zakgeim D.A., Kremleva A.V., Bauman D.A., Romanov A.E., Bougrov V.E. Technological features of growth and optical properties of gallium oxide. Journal of Physics: Conference Series. 2020. pp. in print.

Статья
2020 год

Zakgeim D.A., Panov D.I., Spiridonov V.A., Kremleva A.V., Smirnov A.M., Bauman D.A., Romanov A.E., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E. Volume gallium oxide crystals grown from melt by the Czochralski method in an oxygen-containing atmosphere. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 11. pp. 1144-1146.

Тезисы
2019 год

Structure characterization of bulk (AlxGa1-x)2O3 grown from the melt

Статья
2019 год

Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Smirnova I.G., Bougrov V.E., Romanov A.E. Structural characterization of bulk (AlxGa1-x)2O3 crystals grown by the Czochralski method. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2019. Vol. 42. No. 6. pp. 797-801.

Тезисы
2019 год

Optical properties of bulk gallium oxide

Тезисы
2019 год

Investigation of physical and chemical properties of gallium oxide crystal

Статья
2019 год

Butenko P.N., Panov D.I., Kremleva A.V., Zakgeim D.A., Nashchekin A.V., Smirnova I.G., Bauman D.A., Romanov A.E., Bougrov V.E. Czochralski grown (AlxGa1-x)2O3 crystals with variable Al content. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2019. Vol. 42. No. 6. pp. 802-807.

Тезисы
2018 год

Разработка системы беспроводной односторонней передачи данных на основе технологии Light ID

Учебник, учебное пособие
2018 год

Современные тенденции развития оптоэлектроники. Лабораторный практикум Ч. 1

Статья
2018 год

Mynbaeva M.G., Shirshnev P.S., Kremleva A.V., Smirnov A.N., Ivanova E.V., Zamoryanskaya M.V., Nikitina I.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Odnoblyudov M.A., Bauman D.A., Lipsanen H., Nikolaev V.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. Optical properties of bulk gallium oxide grown from the melt. Reviews on Advanced Materials Science. 2018. Vol. 57. No. 1. pp. 97-103.

Учебник, учебное пособие
2018 год

Современные тенденции развития оптоэлектроники: методические указания к выполнению лабораторного практикума (Часть 2)

Статья
2017 год

Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.L., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2017. Vol. 32. No. 2. pp. 178-185.

Тезисы
2017 год

Исследование структурных особенностей в объёмных кристаллах Ga2O3 и эпитаксиальных плёнках GaN, выращенных на объёмных кристаллах Ga2O3

Тезисы
2017 год

Extended defects in epitaxial layers of (AlxGa1-x)2O3 grown on sapphire substrates

Статья
2016 год

Mynbaeva M.G., Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Pechnikov A.I., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Bugrov V.E., Lipsanen H., Romanov A.E. TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern. Journal of Crystal Growth. 2016. Vol. 445. pp. 30-36.

Статья
2016 год

Мынбаева М.Г., Кириленко Д.А., Ситникова А.А., Кремлева А.В., Николаев В.И., Мынбаев К.Д., Одноблюдов М.А., Липсанен Х., Бугров В.Е., Романов А.Е. Получение толстых слоев нитрида галлия методом многостадийного роста на подложках с колонной структурой. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics]. 2016. Т. 16. № 6(106). С. 1048-1055.

Статья
2014 год

Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Kremleva A.V., Mynbaeva M.G., Nikolaev V.I. Analysis of stacking faults in gallium nitride by Fourier transform of high-resolution images. Technical Physics Letters. 2014. Vol. 40. No. 12. pp. 1117-1120.

Статья
2014 год

Кириленко Д.А., Кремлева А.В., Ситникова А.А., Кремлева А.В., Мынбаева М.Г., Николаев В.И. Анализ дефектов упаковки в нитриде галлия с использованием преобразования Фурье высокоразрешающих изображений. Письма в Журнал технической физики. 2014. Т. 40. № 24. С. 60-68.

Повышение квалификации

Повышение квалификации
2020 год
Навигатор по образовательной деятельности в Университете ИТМО

Российская Федерация, Санкт-Петербург

Повышение квалификации
2019 год
Моделирование и численный анализ условий кристаллизации и технологии выращивания методом электроосаждения специфических нанообъектов

Российская Федерация

Повышение квалификации
2018 год
Эксплуатация, техническое обслуживание дифрактометра ДРОН-8 с опциями и ПО для него

Российская Федерация, Санкт-Петербург