Chapter 6: On the successful growth of bulk gallium oxide crystals by the EFG (Stepanov) method
Котов О.И., Кремлева А.В. КОГЕРЕНТНЫЙ ДВОЙНОЙ СПЕКТРАЛЬНЫЙ МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ОДНОМОДОВЫХ ВОЛОКОННЫХ СВЕТОВОДОВ С СИЛЬНЫМ ЛИНЕЙНЫМ ДВУЛУЧЕПРЕЛОМЛЕНИЕМ. Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки = St.Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics. 2025. Т. 18. № S1.1. С. 182-200.
Кремлева А.В., Сокура Л.А. Эпитаксия AlN(11()22)-слоев на GaN(11()22)/m-Al2О3-темплейте методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Письма в Журнал технической физики. 2025. Т. 51. № 16. С. 42-44.. doi: 10.61011/PJTF.2025.16.60934.20336
Основы оптических приемо-передающих устройств
Functional Materials Based on or Derived from Coordination Compounds for a Sustainable Society. Ch. 6. On the successful growth of bulk gallium oxide crystals by the EFG (Stepanov) method / Dmitrii Andreevich Bauman, Dmitrii Iurevich Panov, Vladislav Alekseevich Spiridonov, Arina Valerievna Kremleva, and Alexey Evgenievich Romanov
Иванов А.Ю., Шарофидинов Ш.Ш., Панов Д.Ю., Кремлева А.В., Бауман Д.А., Романов А.Е. Формирование толстого слоя epsilon-Ga2O3 на подслое GaN с V-дефектами на границе раздела [Forming a thick layer of epsilon-Ga2O3 on the GaN sublayer with V-defects at the interface]. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics]. 2024. Т. 24. № 6. С. 943-948.. doi: 10.17586/2226-1494-2024-24-6-943-948
Panyutin E.A., Sharofidinov S.S., Kremleva A.V., Sokura L.A. Epitaxial AlN/AlN bimorph piezocantilevers for geothermal monitoring. E3S Web of Conferences. 2024. Vol. 592. pp. 05005.. doi: 10.1051/e3sconf/202459205005
Полупроводниковые лазеры и приборы на их основе
Le Quoc P., Anuchin D.V., Olekhnovich R.O., Sitnikova V.E., Uspenskaya M.V., Kremleva A.V., Thanh N.H. Fabrication of electrospun nanofiber from a blend of PVC and PHB. International Polymer Processing. 2024. Vol. 39. No. 2. pp. 176-185.. doi: 10.1515/ipp-2023-4443
Панов Д.Ю., Спиридонов В.А., Кремлева А.В., Бауман Д.А., Романов А.Е. Свойства объёмных кристаллов оксида галлия в зависимости от условий роста. Физическое материаловедение: XI Международная школа с элементами научной школы для молодежи (Тольятти, 11-15 сентября 2023г.): сборник материалов. 2023. С. 59-60.
ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ТОЛСТОГО ОТСОЕДИНЕННОГО СЛОЯ ?(?)-Ga2O3 ДЛЯ ДАЛЬНЕЙШЕГО ПРИБОРНОГО ПРИМЕНЕНИЯ
Получение методом золь-гель и исследование структурных свойств тонких пленок бета-фазы оксида галлия
Получение методом золь-гель наночастиц Ag и Au с плазмонными свойствами для поверхностно-усиленного рамановского рассеяния
Kopoleva E., Postovalova A., Rogova A., Fatkhutdinova L., Epifanovskaya O., Goncharenko A.A., Kremleva A.V., Domracheva N., Bukatin A.S., Muslimov A.R., Koroleva A., Zhizhin E., Lepik K.V., Timin A.S., Peltek O., Zyuzin M.V., Lebedev M.D. One-Pot Synthesis of Affordable Redox-Responsive Drug Delivery System Based on Trithiocyanuric Acid Nanoparticles. Nano Letters. 2023. Vol. 23. No. 23. pp. 10811-10820.. doi: 10.1021/acs.nanolett.3c02933
Осипов А.В., Шарофидинов Ш.Ш., Кремлева А.В., Осипова Е.В., Смирнов А.М., Кукушкин С.А. Фазовые превращения в слоях оксида галлия. Письма в Журнал технической физики. 2023. Т. 49. № 17. С. 6-9.. doi: 10.21883/PJTF.2023.17.56078.19632
Bauman D.A., Panov D.I., Spiridonov V.A., Kremleva A.V., Romanov A.E. On the successful growth of bulk gallium oxide crystals by the EFG (Stepanov) method. Functional Materials Letters. 2023. Vol. 16. No. 7. pp. 2340026.. doi: 10.1142/S179360472340026X
Osipov A.V., Sharofidinov S.S., Kremleva A.V., Smirnov A.M., Osipova E.V., Kandakov A.V., Kukushkin S.A. Phase transformations during the annealing of Ga2O3 films = Превращения фаз в процессе отжига пленок Ga2O3. Конденсированные среды и межфазные границы [Kondensirovannye Sredy Mezhfaznye Granitsy]. 2023. Vol. 25. No. 4. pp. 557-563.. doi: 10.17308/kcmf.2023.25/11479
Bauman D.A., Panov D., Spiridonov V., Kremleva A.V., Asach A.V., Tambulatova E., Sakharov A.V., Romanov A.E. High quality beta-Ga2O3 bulk crystals, grown by edge-defined film-fed growth method: Growth features, structural, and thermal properties. Journal of Vacuum Science and Technology A. 2023. Vol. 41. No. 5. pp. 053203.. doi: 10.1116/6.0002644
Sokura L.A., Kremleva A.V., Romanov A.E. The effect of ZnO cupping layer on the formation of sol-gel synthesized Ag nanoparticles. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2023. Vol. 51. No. 4. pp. 76-84.. doi: 10.18149/MPM.5142023_7
Bogdanov P.A., Sokura L.A., Kremleva A.V., Vitkin V.V. Sol-Gel Synthesis of Uniform Arrays of Ag and Au Nanoparticles. Reviews on Advanced Materials and Technologies. 2023. Vol. 5. No. 1. pp. 39-44.. doi: 10.17586/2687-0568-2023-5-1-39-44
Nguyen Hong T., Olekhnovich R., Sitnikova V., Kremleva A., Snetkov P., Uspenskaya M. PHB/PEG Nanofiber Mat Obtained by Electrospinning and Their Performances. Technologies. 2023. Vol. 11. No. 2. pp. 48.. doi: 10.3390/technologies11020048
Vronskii M.K., Ivanon A.Y., Sokura L.A., Kremleva A.V., Bauman D.A. Structural Properties of beta-Ga2O3 Thin Films Obtained on Different Substrates by Sol-Gel Method. Reviews on Advanced Materials and Technologies. 2023. Vol. 5. No. 1. pp. 26-32.. doi: 10.17586/2687-0568-2023-5-1-26-32
Bkkar M.A., Olekhnovich R.O., Kremleva A.V., Sitnikova V.E., Kovach Y.N., Zverkov N.A., Uspenskaya M.V. Properties Optimization of Electrospun Polymer: Organic-Free Perovskite Nanofibers by Controlling Solution Concentration. Journal of Polymer Research. 2023. Vol. 30. No. 6. pp. 203.. doi: 10.1007/s10965-023-03578-w
Ryabkova E.A., Sokura L.A., Ivanov A.Y., Sosnin I.M., Kremleva A.V., Dorogov M.V. Effect of solution composition on the morphology of synthesized beta-Ga2O3 particles. Reviews on Advanced Materials and Technologies. 2023. Vol. 5. No. 1. pp. 22-25.. doi: 10.17586/2687-0568-2023-5-1-22-25
Smirnov A.M., Kremleva A.V., Ivanov A.Y., Myasoedov A.V., Sokura L.A., Kirilenko D.A., Sharofidinov S.S., Romanov A.E. Stress–strain state and piezoelectric polarization in orthorhombic Ga2O3 thin films depending on growth orientation. Materials and Design. 2023. Vol. 226. pp. 111616.. doi: 10.1016/j.matdes.2023.111616
Bkkar M., Olekhnovich R., Kremleva A., Sitnikova V., Kovach Y., Zverkov N., Uspenskaya M. Influence of Electrospinning Setup Parameters on Properties of Polymer-Perovskite Nanofibers. Polymers. 2023. Vol. 15. No. 3. pp. 731.. doi: 10.3390/polym15030731
Dementeva E., Dementev P.A., Korenko N.P., Shkarupa I.I., Kremleva A.V., Panov D.I., Spiridonov V.A., Zamoryanskaya M.V., Bauman D.A., Odnobludov M.A., Romanov A.E., Bugrov V.E. Luminescence features of bulk crystals beta-(Gax Al1-x)2O3. Semiconductors. 2023. Vol. 57. No. 10. pp. 454-458.. doi: 10.1134/S1063782623090087
Ivanov A.Y., Kremleva A., Sharofidinov S.S. The Electrical Properties of Schottky Barrier Diode Structures Based on HVPE Grown Sn Dopped Ga2O3 Layers. Reviews on Advanced Materials and Technologies. 2022. Vol. 4. No. 1. pp. 33-38.. doi: 10.17586/2687-0568-2022-4-1-33-38
Smirnov A.M., Kremleva A.V., Sharofidinov S.S., Romanov A.E. Misfit stress relaxation in wide bandgap semiconductor heterostructures with trigonal and hexagonal crystal structure. Journal of Applied Physics. 2022. Vol. 131. No. 2. pp. 025301.. doi: 10.1063/5.0076893
Rochas S.S., Kovach I.N., Kopytov P.E., Kremleva A., Egorov A.I. Review on Single-Mode Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers for High-Speed Data Transfer. Reviews on Advanced Materials and Technologies. 2022. Vol. 4. No. 4. pp. 1-16.. doi: 10.17586/2687-0568-2022-4-4-1-16
Zakgeim D., Bauman D.A., Panov D., Spiridonov V., Kremleva A.V., Smirnov A.M., Odnoblyudov M., Romanov A.E., Bougrov V.E. Growing of bulk Beta-(Alx Ga1-x)2O3crystals from the melt by Czochralski method and investigation of their structural and optical properties. Applied Physics Express. 2022. Vol. 15. No. 2. pp. 025501.. doi: 10.35848/1882-0786/ac44ca
Дементьева Е.В., Дементьев П.А., Коренко Н.П., Шкарупа И.И., Кремлева А.В., Панов Д.Ю., Спиридонов В.А., Заморянская М.В., Бауман Д.А., Одноблюдов М.А., Романов А.Е., Бугров В.Е. Особенности люминесценции объемных кристаллов Beta-(GaxAl1-x)2O3. Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 4. С. 389-393.. doi: 10.21883/FTP.2022.04.52193.9776
Snetkov P., Rogacheva E., Kremleva A., Morozkina S., Uspenskaya M., Kraeva L. In-Vitro Antibacterial Activity of Curcumin-Loaded Nanofibers Based on Hyaluronic Acid against Multidrug-Resistant ESKAPE Pathogens. Pharmaceutics. 2022. Vol. 14. No. 6. pp. 1186.. doi: 10.3390/pharmaceutics14061186
Bkkar M.A., Olekhnovich R.O., Kremleva A., Kovach Y.N., Kalanchina V., Uspenskaya M.V. Fabrication of electrospun polymer nanofibers modified with all-inorganic perovskite nanocrystals for flexible optoelectronic devices. Applied Nanoscience. 2022. Vol. 12. No. 10. pp. 2961-2977.. doi: 10.1007/s13204-022-02603-6
Smirnov A.M., Ivanov A.Y., Kremleva A.V., Sharofidinov S.S., Romanov A.E. Stress Relaxation Due to Dislocation Formation in Orthorhombic Ga2O3 Films Grown on Al2O3 Substrates. Reviews on Advanced Materials and Technologies. 2022. Vol. 4. No. 3. pp. 1-6.. doi: 10.17586/2687-0568-2022-4-3-1-6
Смирнов А.М., Кремлева А.В., Шарофидинов Ш.Ш., Бугров В.Е., Романов А.Е. Релаксация напряжений несоответствия в гетероструктурах alpha-Ga2O3/alpha-Al2O3 при образовании дислокаций несоответствия. Физика твердого тела. 2021. Т. 63. № 6. С. 788-795.. doi: 10.21883/FTT.2021.06.50941.029
Bauman D.A., P’Yankova L.A., Kremleva A.V., Spiridonov V., Panov D., Zakgeim D., Bakhvalov A.S., Odnoblyudov M., Romanov A.E., Bougrov V.E. Elemental and Structural Mapping of Czochralski-Grown Bulk (Al xGa1 –x)2O3 Crystals. Technical Physics Letters. 2021. Vol. 47. No. 3. pp. 218-221.. doi: 10.1134/S1063785021030044
Growth of bulk (AlxGa1-x)2O3 crystals from melts using the Czochralski method and study of their physical properties
Ivanova E.V., Dementev P.A., Zamoryanskaya M.V., Zakgeim D., Panov D., Spiridonov V., Kremleva A.V., Odnoblyudov M.A., Bauman D.A., Romanov A.E., Bugrov V. Charge Carrier Traps in a Bulk Gallium Oxide beta-Ga2O3. Physics of the Solid State. 2021. Vol. 63. No. 4. pp. 544-549.. doi: 10.1134/S1063783421040089
Bauman D.A., Panov D.I., Zakgeim D.A., Spiridonov V.A., Kremleva A.V., Petrenko A.A., Brunkov P.N., Prasolov N.D., Nashchekin A.V., Smirnov A.M., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. High-Quality Bulk beta-Ga2O3 and beta-(AlxGa1-x)2O3 Crystals: Growth and Properties. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 2021. Vol. 218. No. 20. pp. 2100335.. doi: 10.1002/pssa.202100335
Иванова Е.В., Дементьев П.А., Заморянская М.В., Закгейм Д.А., Панов Д.Ю., Спиридонов В.А., Кремлева А.В., Одноблюдов М.А., Бауман Д.А., Романов А.Е., Бугров В.Е. Исследование ловушек носителей заряда в объемном оксиде галлия beta-Ga2O3. Физика твердого тела. 2021. Т. 63. № 4. С. 421-426.. doi: 10.21883/FTT.2021.04.50705.236
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ФОТОДИОДОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ GA2O3
Методы диагностики полупроводниковых материалов и гетероструктур.
Investigation of gallium oxide crystals depending on growth condition
Dementeva E., Dementev P.A., Kremleva A., Panov D., Romanov A.E., Bugrov V., Zamoryanskaya M. Influence of the aluminum content on the luminescent and electronic properties of Beta-Ga2O3. Journal of Physics: Conference Series. 2021. Vol. 2103. No. 1. pp. 012167.. doi: 10.1088/1742-6596/2103/1/012167
Современные проблемы физики материалов
Бауман Д.А., Пьянкова Л.А., Кремлева А.В., Спиридонов В.А., Панов Д.Ю., Закгейм Д.А., Бахвалов А.С., Одноблюдов М.А., Романов А.Е., Бугров В.Е. Элементное и структурное картирование объёмных кристаллов (AlxGa1-x)2O3 полученных методом Чохральского. Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 5. С. 19-22.. doi: 10.21883/PJTF.2021.05.50671.18580
Bauman D.A., Borodkin A.I., Petrenko A.A., Panov D.I., Kremleva A.V., Spiridonov V.A., Zakgeim D.A., Silnikov M.V., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E., Bougrov V.E. On improving the radiation resistance of gallium oxide for space applications. Acta Astronautica. 2021. Vol. 180. pp. 125-129.. doi: 10.1016/j.actaastro.2020.12.010
Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в кислородосодержащей атмосфере
Smirnov A.M., Kremleva A.V., Sharofidinov S.S., Bugrov V., Romanov A.E. Misfit Stress Relaxation in Alpha-Ga2O3/Alpha-Al2O3 Heterostructures via Formation of Misfit Dislocations. Physics of the Solid State. 2021. Vol. 63. No. 6. pp. 924-931.. doi: 10.1134/S1063783421060214
Бауман Д.А., Панов Д.Ю., Спиридонов В.А., Кремлева А.В., Одноблюдов М.А., Асач А.В., Крылов В.А., Исаченко Г.Н., Тамбулатова Е.В., Бугров В.Е., Романов А.Е. Измерение теплоемкости и теплопроводности объемных кристаллов Beta-ga2o3 и Beta-(alxga1-x)2o3, выращенных методом Чохральского [Measurements of heat capacity and thermal conductivity of Beta-ga2o3 and Beta-(Alxga1–x)2o3 bulk crystals grown by the Czochralski method] . Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics]. 2021. Т. 21. № 6(136). С. 880-894.. doi: 10.17586/2226-1494-2021-21-6-880-886
Kremleva A.V., Sharofidinov S.S., Smirnov A.M., Podlesnov E., Dorogov M.V., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. Growth of thick gallium oxide on the various substrates by halide vapor phase epitaxy. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2020. Vol. 44. No. 2. pp. 164-171.. doi: 10.18720/MPM.4422020_2
Smirnov A.M., Kremleva A.V., Sharofidinov S.S., Bougrov V.E., Romanov A.E. Stress-strain state in alpha-Ga2O3 epitaxial films on alpha-Al2O3 substrates. Applied Physics Express. 2020. Vol. 13. No. 7. pp. 075502.. doi: 10.35848/1882-0786/ab9657
Mynbaeva M.G., Sitnikova A.A., Smirnov A.N., Mynbaev K.D., Lipsanen H.K., Kremleva A.V., Bauman D.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. On cracking in thick GaN layers grown on sapphire substrates. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2020. Vol. 44. No. 1. pp. 1-7.. doi: 10.18720/MPM.4412020_1
кремлева
Panov D.I., Spiridonov V.A., Zakgeim D.A., Kremleva A.V., Bauman D.A., Romanov A.E., Bougrov V.E. Growth Technology and Optical Properties of Bulk Crystalline Gallium Oxide. Reviews on Advanced Materials and Technologies. 2020. Vol. 2. No. 3. pp. 51-55.. doi: 10.17586/2687-0568-2020-2-3-51-55
Zakgeim D.A., Panov D.I., Spiridonov V.A., Kremleva A.V., Smirnov A.M., Bauman D.A., Romanov A.E., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E. Volume gallium oxide crystals grown from melt by the Czochralski method in an oxygen-containing atmosphere. Technical Physics Letters. 2020. Vol. 46. No. 11. pp. 1144-1146.. doi: 10.1134/S1063785020110292
Panov D.I., Spiridonov V.A., Zakgeim D.A., Kremleva A.V., Bauman D.A., Romanov A.E., Bougrov V.E. Growth technology and characterization of bulk crystalline gallium oxide. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1695. No. 1. pp. 012024.. doi: 10.1088/1742-6596/1695/1/012024
Закгейм Д.А., Панов Д.Ю., Спиридонов В.А., Кремлева А.В., Смирнов А.М., Бауман Д.А., Романов А.Е., Одноблюдов М.А., Бугров В.Е. Выращивание объемных кристаллов оксида галлия из расплава методом Чохральского в кислородсодержащей атмосфере. Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 22. С. 43-45.. doi: 10.21883/PJTF.2020.22.50308.18499
Smirnov A.M., Kremleva A.V., Sharofidinov S.S., Bougrov V.E., Romanov A.E. Reply to "Comment on 'Stress–strain state in -Ga2O3 epitaxial films on -Al2O3 substrates'" [Appl. Phys. Express 13, 075502 (2020)]. Applied Physics Express. 2020. Vol. 13. No. 8. pp. 089102.. doi: 10.35848/1882-0786/aba3f1
Panov D.I., Spiridonov V.A., Zakgeim D.A., Kremleva A.V., Bauman D.A., Romanov A.E., Bougrov V.E. Technological features of growth and optical properties of gallium oxide. Journal of Physics: Conference Series. 2020. pp. in press.
Optical properties of bulk gallium oxide
Investigation of physical and chemical properties of gallium oxide crystal
Structure characterization of bulk (AlxGa1-x)2O3 grown from the melt
Butenko P.N., Panov D.I., Kremleva A.V., Zakgeim D.A., Nashchekin A.V., Smirnova I.G., Bauman D.A., Romanov A.E., Bougrov V.E. Czochralski grown (AlxGa1-x)2O3 crystals with variable Al content. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2019. Vol. 42. No. 6. pp. 802-807.. doi: 10.18720/MPM.4262019_12
Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Smirnova I.G., Bougrov V.E., Romanov A.E. Structural characterization of bulk (AlxGa1-x)2O3 crystals grown by the Czochralski method. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2019. Vol. 42. No. 6. pp. 797-801.. doi: 10.18720/MPM.4262019_11
Mynbaeva M.G., Shirshnev P.S., Kremleva A.V., Smirnov A.N., Ivanova E.V., Zamoryanskaya M.V., Nikitina I.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Odnoblyudov M.A., Bauman D.A., Lipsanen H., Nikolaev V.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. Optical properties of bulk gallium oxide grown from the melt. Reviews on Advanced Materials Science. 2018. Vol. 57. No. 1. pp. 97-103.. doi: 10.1515/rams-2018-0051
Современные тенденции развития оптоэлектроники: методические указания к выполнению лабораторного практикума (Часть 2)
Разработка системы беспроводной односторонней передачи данных на основе технологии Light ID
Современные тенденции развития оптоэлектроники. Лабораторный практикум Ч. 1
Extended defects in epitaxial layers of (AlxGa1-x)2O3 grown on sapphire substrates
Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.L., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates. Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics. 2017. Vol. 32. No. 2. pp. 178-185.. doi: 10.18720/MPM.3222017-9
Исследование структурных особенностей в объёмных кристаллах Ga2O3 и эпитаксиальных плёнках GaN, выращенных на объёмных кристаллах Ga2O3
Mynbaeva M.G., Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Pechnikov A.I., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Bugrov V.E., Lipsanen H., Romanov A.E. TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern. Journal of Crystal Growth. 2016. Vol. 445. pp. 30-36.. doi: 10.1016/j.jcrysgro.2016.04.011
Мынбаева М.Г., Кириленко Д.А., Ситникова А.А., Кремлева А.В., Николаев В.И., Мынбаев К.Д., Одноблюдов М.А., Липсанен Х., Бугров В.Е., Романов А.Е. Получение толстых слоев нитрида галлия методом многостадийного роста на подложках с колонной структурой. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики [Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics]. 2016. Т. 16. № 6(106). С. 1048-1055.. doi: 10.17586/2226-1494-2016-16-6-1048-1055
Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Kremleva A.V., Mynbaeva M.G., Nikolaev V.I. Analysis of stacking faults in gallium nitride by Fourier transform of high-resolution images. Technical Physics Letters. 2014. Vol. 40. No. 12. pp. 1117-1120.. doi: 10.1134/S106378501412027X
Кириленко Д.А., Кремлева А.В., Ситникова А.А., Кремлева А.В., Мынбаева М.Г., Николаев В.И. Анализ дефектов упаковки в нитриде галлия с использованием преобразования Фурье высокоразрешающих изображений. Письма в Журнал технической физики. 2014. Т. 40. № 24. С. 60-68.
Российская Федерация, Санкт-Петербург
Российская Федерация
Российская Федерация, Санкт-Петербург