ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК InGaAs, В БЛИЖНЕМ ПОЛЕ ПЛАЗМОННЫХ НАНОЧАСТИЦ
Kosarev A.N., Chaldyshev V.V., Kondikov A.A., Vartanyan T.A., Toropov N.A., Gladskikh I.A., Gladskikh P.V., Akimov I., Bayer M., Preobrazhenskii V.V., Putyato M.A., Semyagin B.R. Epitaxial InGaAs Quantum Dots in Al0.29Ga0.71As Matrix: Intensity and Kinetics of Luminescence in the Near Field of Silver Nanoparticles. Optics and spectroscopy. 2019. Vol. 126. No. 5. pp. 492-496.
Косарев А., Чалдышев В.В., Кондиков А.А., Вартанян Т.А., Торопов Н.А., Гладских И.А., Гладских П.В., Акимов И.И., Bayer M., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. Эпитаксиальные квантовые точки InGaAs в матрице Al0.29Ga0.71As: интенсивность и кинетика люминесценции в ближнем поле серебряных наночастиц. Оптика и спектроскопия. 2019. Т. 126. № 5. С. 573-577.
ОПТИКА СВЯЗАННЫХ РЕЗОНАНСНЫХ СИСТЕМ: ЭКСИТОН В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧКАХ И ПЛАЗМОН В МЕТАЛЛИЧЕСКИХ НАНОЧАСТИЦАХ
УСИЛЕНИЕ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ЗА СЧЕТ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЛОКАЛИЗОВАННЫХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ПЛАЗМОНОВ В ЧАСТИЦАХ Ag С ЭКСИТОНАМИ В САМООРГАНИЗОВАННЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧКАХ InAs
Chaldyshev V.V., Kundelev E.V., Poddubny A.N., Vasil’Ev A.P., Yagovkina M.A., Chend Y., Maharjan N., Liu Z., Nakarmi M.L., Shakya N.M. Optical Properties of AlGaAs/GaAs Resonant Bragg Structure at the Second Quantum State. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 4. pp. 447-451.
Торопов Н.А., Гладских И.А., Гладских П.В., Косарев А.Н., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Чалдышев В.В., Вартанян Т.А. Поглощение и фотолюминесценция эпитаксиальных квантовых точек в ближнем поле серебряных наноструктур. Оптический журнал. 2017. Т. 84. № 7. С. 37-40.
Experimental investigation of plasmon–exciton coupling in MBE InAs quantum dots and silver nanoparticles
Отражение оптической решеткой экситонов в системе квантовых ям GaAs/AlGaAs
Тонкаев П.А., Чалдышев В.В. Оптическая решетка экситонов в системе сдвоенных квантовых ям GaAs/AlGaAs при комнатной температуре. Наука и инновации в технических университетах: Материалы Одиннадцатого Всероссийского форума студентов, аспирантов и молодых ученых, Санкт-Петербург, 25-27 октября 2017 г.. 2017. С. 84-85.
Тонкаев П.А., Чалдышев В.В. Оптические свойства периодической системы квантовых ям GaAs/AlGaAs. Неделя науки СПбПУ: Материалы научного форума с международным участием (Санкт-Петербург, 13-19 ноября 2017 г.). Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. 2017. С. 302-305.
Влияние близкорасположенных наночастиц Ag на фотолюминесценцию квантовых точек InAs в GaAs
Coupling of Localized Surface Plasmons to Excitons in Self-Organized InAs Quantum Dots
Tonkaev P.A., Kondikov A.A., Chaldyshev V.V. Research of resonant light reflection by a periodic system of GaAs/AlGaAs quantum wells. Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 738. No. 1. pp. 012060.
Тонкаев П.А., Кондиков А.А., Чалдышев В.В. Оптическое отражение и электроотражение периодической системой квантовых ям GaAs/AlGaAs. Неделя науки СПбПУ: Материалы научной конференции с международным участием (Санкт-Петербург, 14-19 ноября 2016 г.). Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. 2016. С. 308-310.
Toropov N.A., Gladskikh P.V., Gladskikh I.A., Preobrazhenskiy V.V., Putyato M.A., Semyagin B., Kosarev A.N., Kondikov A.A., Chaldyshev V.V., Vartanyan T.A. Effect of silver nanoparticles on excitons in inas epitaxial quantum dots. Журнал прикладной спектроскопии. 2016. Vol. 83. No. 6-16. pp. 170-171.
Kondikov A.A., Tonkaev P.A., Chaldyshev V.V., Vartanyan T.A. Modeling of the optical properties of a two-dimensional system of small conductive particles. Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 738. No. 1. pp. 012059.
Кондиков А.А., Тонкаев П.А., Чалдышев В.В., Вартанян Т.А. Моделирование оптических свойств двумерной системы малых проводящих частиц. Неделя науки СПбПУ: Материалы научной конференции с международным участием (Санкт-Петербург, 14-19 ноября 2016 г.). Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. 2016. С. 316-318.
Тонкаев П.А., Кондиков А.А., Чалдышев В.В. Исследование и моделирование отражения света периодической системой квантовых ям GaAs/AlGaAs. Неделя науки СПбПУ: Материалы научного форума с международным участием (Санкт-Петербург, 30 ноября-05 декабря 2015 г.). Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. 2015. С. 316-318.
Кондиков А.А., Тонкаев П.А., Чалдышев В.В. Моделирование экситон-плазмонного взаимодействия в системах, состоящих из металлических частиц и полупроводниковых квантовых точек. Неделя науки СПбПУ: Материалы научного форума с международным участием (Санкт-Петербург, 30 ноября-05 декабря 2015 г.). Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. 2015. С. 267-268.
Неведомский В.Н., Берт Н.А., Чалдышев В.В., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. Пространственно-коррелированные двумерные массивы полупроводниковых и металлических квантовых точек в гетероструктурах на основе GaAs. Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 12. С. 1710-1713.
Большаков А.С., Чалдышев В.В., Бабичев А.В., Кудряшов Д.А., Гудовских А.С., Морозов И.А., Соболев М.С., Никитина Е.В. Исследование структур с множественными квантовыми ямами InAs/GaAs методом спектроскопии электроотражения. Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 11. С. 1448-1452.
Bolshakov A.S., Chaldyshev V.V., Lundin W.V., Sakharov A.V., Tsatsulnikov A.F., Yagovkina M.A., Zavarin E.E. Resonant Bragg structures based on III-nitrides. Journal of Materials Research. 2015. Vol. 30. No. 5. pp. 603-608.
Российская Федерация, Санкт-Петербург