Чалдышев Владимир Викторович

Чалдышев Владимир Викторович
доктор физико-математических наук
профессор (квалификационная категория "профессор практики"), физический факультет

Педагогический стаж

Общий стаж:
40 лет

Публикации

49
Статья
2023 год

Ivanov A., Chaldyshev V.V., Ushanov V.I., Zavarin E.E., Sakharov A.V., Lundin W.V., Tsatsulnikov A.F. Critical Disorder in InGaN/GaN Resonant Bragg Structures. Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2023. Vol. 87. No. 6. pp. 853–856.

Статья
2023 год

Снигирев Л.А., Берт Н.А., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Чалдышев В.В. Влияние промежуточного низкотемпературного нагрева на преципитацию в нестехиометрическом GaAs. Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 57. № 6. С. 507-512.

Статья
2023 год

Иванов А.А., Чалдышев В.В., Заварин Е., Сахаров А.В., Лундин В., Цацульников А. Резонансная брэгговская структура GaN/AlGaN. Известия Российской Академии наук. Серия физическая. 2023. Т. 87. № 6. С. 892-895.

Статья
2023 год

Снигирев Л.А., Мясоедов А.В., Берт Н.А., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Чалдышев В.В. Особенности микроструктуры наноразмерных преципитатов AsSb в LT-GaAsSb. Физика твердого тела. 2023. Т. 65. № 12. С. 2309-2316.

Статья
2023 год

Снигирев Л.А., Ушанов В.И., Иванов А.А., Берт Н.А., Кириленко Д.А., Яговкина М., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Касаткин И.А., Чалдышев В.В. Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb-Al0.6Ga0.4As0.97Sb0.03. Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 57. № 1. С. 71-76.

Статья
2023 год

Ivanov A., Chaldyshev V.V., Zavarin E.E., Sakharov A.V., Lundin W.V., Tsatsulnikov A.F. Resonant optical reflection from a GaN/(Al,Ga)N excitonic Bragg structure. Applied Physics Letters. 2023. Vol. 123. No. 12. pp. 121106.

Статья
2022 год

Семягин Б.Р., Колесников А.В., Путято М.А., Преображенский В.В., Попова Т.Б., Ушанов В.И., Чалдышев В.В. Выращивание слоев GaAs1-xBix методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 3. С. 279-284.

Статья
2022 год

Kosarev A.N., Chaldyshev V.V., Cherkashin N. Experimentally-Verified Modeling of InGaAs Quantum Dots. Nanomaterials. 2022. Vol. 12. No. 12. pp. 1967.

Статья
2022 год

Bert N., Ushanov V.V., Snigirev L., Kirilenko D., Ulin V.P., Yagovkina M.A., Preobrazhenskii V.V., Putyato M., Semyagin B., Kasatkin I., Chaldyshev V.V. Metal-Semiconductor AsSb-Al0.6Ga0.4As0.97Sb0.03 Metamaterial. Materials. 2022. Vol. 15. No. 21. pp. 7597.

Статья
2021 год

Kosarev A.N., Chaldyshev V.V. Carrier Localization by a Quantum Dot in a Quantum Well. Physical Review Applied. 2021. Vol. 16. No. 4. pp. A79.

Статья
2021 год

Косарев А.Н., Чалдышев В.В. Локализация носителей заряда в самоорганизованных квантовых точках INAS. Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 23. С. 51-54.

Статья
2021 год

Ivanov A., Chaldyshev V.V., Zavarin E.E., Sakharov A.V., Lundin W.V., Tsatsulnikov A.F. Resonant Reflection of Light from an Excitonic Optical Grating Formed by 100 InGaN Quantum Wells. Semiconductors. 2021. Vol. 55. No. Suppl.1. pp. S49-S53.

Статья
2020 год

Kosarev A., Chaldyshev V.V. Carrier localization in self-organized quantum dots: An interplay between quantum and solid mechanics. Applied Physics Letters. 2020. Vol. 117. No. 20. pp. 202103.

Статья
2020 год

Ivanov A.A., Chaldyshev V.V., Zavarin E.E., Sakharov A.V., Lundin W.V., Tsatsulnikov A.F. Optical reflection spectra of resonant photonic structures based on a system of 100 InGaN quantum wells. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1697. No. 1. pp. 012153.

Статья
2019 год

Bert N.A., Chaldyshev V.V., Cherkashin N.A., Nevedomskiy V.N., Preobrazhenskii V.V., Putyato M.A., Semyagin B.R., Ushanov V., Yagovkina M.A. Metallic AsSb nanoinclusions strongly enriched by Sb in AlGaAsSb metamaterial. Journal of Applied Physics. 2019. Vol. 125. No. 14. pp. 145106.

Статья
2019 год

Bert N.A., Chaldyshev V.V., Cherkashin N.A., Nevedomskiy V.N., Preobrazhenskii V.V., Putyato M.A., Semyagin B.R., Ushanov V., Yagovkina M.A. Sb-rich nanoinclusions in an AlGaAsSb metamaterial. MRS Advances. 2019. Vol. 4. No. 5-6. pp. 277-284.

Статья
2019 год

Косарев А., Чалдышев В.В., Кондиков А.А., Вартанян Т.А., Торопов Н.А., Гладских И.А., Гладских П.В., Акимов И.И., Bayer M., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. Эпитаксиальные квантовые точки InGaAs в матрице Al0.29Ga0.71As: интенсивность и кинетика люминесценции в ближнем поле серебряных наночастиц. Оптика и спектроскопия. 2019. Т. 126. № 5. С. 573-577.

Тезисы
2019 год

ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК InGaAs, В БЛИЖНЕМ ПОЛЕ ПЛАЗМОННЫХ НАНОЧАСТИЦ

Статья
2019 год

Kosarev A.N., Chaldyshev V.V., Kondikov A.A., Vartanyan T.A., Toropov N.A., Gladskikh I.A., Gladskikh P.V., Akimov I., Bayer M., Preobrazhenskii V.V., Putyato M.A., Semyagin B.R. Epitaxial InGaAs Quantum Dots in Al0.29Ga0.71As Matrix: Intensity and Kinetics of Luminescence in the Near Field of Silver Nanoparticles. Optics and spectroscopy. 2019. Vol. 126. No. 5. pp. 492-496.

Статья
2019 год

Maharjan N., Chaldyshev V.V., Nakarmi M.L. Resonant optical studies of GaAs/AlGaAs Multiple Quantum Well based Bragg Structures at excited states. MRS Advances. 2019. Vol. 4. No. 11-12. pp. 651-659.

Статья
2019 год

Kosarev A., Bert N., Nevedomskii V., Chaldyshev V.V., Preobrazhenskii V.V., Putyato M., Semyagin B. Photoluminescence from InAs Quantum Dots Buried Under Low-Temperature-Grown GaAs. Physica status solidi (b). 2019. Vol. 256. No. 5. pp. 1800479.

Статья
2018 год

Ushanov V., Chaldyshev V.V., Preobrazhenskii V.V., Putyato M.A., Semyagin B.R. Diffusion Blurring of GaAs Quantum Wells Grown at Low Temperature. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 13. pp. 1704-1707.

Статья
2018 год

Chaldyshev V.V., Kundelev E.V., Poddubny A.N., Vasil’Ev A.P., Yagovkina M.A., Chend Y., Maharjan N., Liu Z., Nakarmi M.L., Shakya N.M. Optical Properties of AlGaAs/GaAs Resonant Bragg Structure at the Second Quantum State. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 4. pp. 447-451.

Тезисы
2018 год

УСИЛЕНИЕ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ЗА СЧЕТ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЛОКАЛИЗОВАННЫХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ПЛАЗМОНОВ В ЧАСТИЦАХ Ag С ЭКСИТОНАМИ В САМООРГАНИЗОВАННЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧКАХ InAs

Тезисы
2018 год

ОПТИКА СВЯЗАННЫХ РЕЗОНАНСНЫХ СИСТЕМ: ЭКСИТОН В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧКАХ И ПЛАЗМОН В МЕТАЛЛИЧЕСКИХ НАНОЧАСТИЦАХ

Статья
2018 год

Arteev D.S., Sakharov A.V., Lundin W.V., Zavarin E.E., Usov S.O., Chaldyshev V.V., Bolshakov A.S., Yagovkina M.A., Tsatsulnikov A.F. Resonant Bragg structures with GaN/AlGaN Quantum Wells. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1038. No. 1. pp. 012119.

Статья
2018 год

Ushanov V., Chaldyshev V.V., Preobrazhenskiy V.V., Putyato M.A., Semyagin B.R. Resonant Optical Reflection from AsSb–AlGaAs Metamaterials and Structures. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 4. pp. 468-472.

Статья
2018 год

Poltavtsev S.V., Solovev I.A., Akimov I., Chaldyshev V.V., Lundin W.V., Sakharov A.V., Tsatsulnikov A.F., Yakovlev D.R., Bayer M. Long coherent dynamics of localized excitons in (In,Ga)N/GaN quantum wells. Physical Review B. 2018. Vol. 98. No. 19. pp. 195315.

Тезисы
2017 год

Experimental investigation of plasmon–exciton coupling in MBE InAs quantum dots and silver nanoparticles

Статья
2017 год

Bolshakov A.S., Chaldyshev V.V., Zavarin E.E., Sakharov A.V., Lundin W.V., Tsatsulnikov A.F., Yagovkina M.A. Room temperature exciton-polariton resonant reflection and suppressed absorption in periodic systems of InGaN quantum wells. Journal of Applied Physics. 2017. Vol. 121. No. 13. pp. 133101.

Статья
2017 год

Toropov N.A., Gladskikh I.A., Gladskikh P.V., Kosarev A.N., Preobrazhenskii V.V., Putyato M.A., Semyagin B.R., Chaldyshev V.V., Vartanyan T.A. Absorption and photoluminescence of epitaxial quantum dots in the near field of silver nanostructures. Journal of Optical Technology. 2017. Vol. 84. No. 7. pp. 459-461.

Статья
2017 год

Kosarev A.N., Chaldyshev V.V., Toropov N.A., Gladskih I.A., Gladskikh P.V., Baryshnikova K.V., Preobrazhenskiy V.V., Putyato M.A., Semyagin B.R., Vartanyan T.A. Fabrication and characterization of coupled ensembles of epitaxial quantum dots and metal nanoparticles supporting localized surface plasmons. Proceedings of SPIE. 2017. Vol. 10346. pp. 1034613.

Статья
2017 год

Chen Y., Maharjan N., Liu Z., Nakarmi M.L., Chaldyshev V.V., Kundelev E.V., Poddubny A.N., Vasil'Ev A.P., Yagovkina M.A., Shakya N.M. Resonant optical properties of AlGaAs/GaAs multiple-quantum-well based Bragg structure at the second quantum state. Journal of Applied Physics. 2017. Vol. 121. No. 10. pp. 103101.

Статья
2017 год

Тонкаев П.А., Чалдышев В.В. Оптическая решетка экситонов в системе сдвоенных квантовых ям GaAs/AlGaAs при комнатной температуре. Наука и инновации в технических университетах: Материалы Одиннадцатого Всероссийского форума студентов, аспирантов и молодых ученых, Санкт-Петербург, 25-27 октября 2017 г.. 2017. С. 84-85.

Статья
2017 год

Тонкаев П.А., Чалдышев В.В. Оптические свойства периодической системы квантовых ям GaAs/AlGaAs. Неделя науки СПбПУ: Материалы научного форума с международным участием (Санкт-Петербург, 13-19 ноября 2017 г.). Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. 2017. С. 302-305.

Статья
2017 год

Торопов Н.А., Гладских И.А., Гладских П.В., Косарев А.Н., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Чалдышев В.В., Вартанян Т.А. Поглощение и фотолюминесценция эпитаксиальных квантовых точек в ближнем поле серебряных наноструктур. Оптический журнал. 2017. Т. 84. № 7. С. 37-40.

Тезисы
2017 год

Отражение оптической решеткой экситонов в системе квантовых ям GaAs/AlGaAs

Статья
2016 год

Тонкаев П.А., Кондиков А.А., Чалдышев В.В. Оптическое отражение и электроотражение периодической системой квантовых ям GaAs/AlGaAs. Неделя науки СПбПУ: Материалы научной конференции с международным участием (Санкт-Петербург, 14-19 ноября 2016 г.). Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. 2016. С. 308-310.

Тезисы
2016 год

Влияние близкорасположенных наночастиц Ag на фотолюминесценцию квантовых точек InAs в GaAs

Статья
2016 год

Kondikov A.A., Tonkaev P.A., Chaldyshev V.V., Vartanyan T.A. Modeling of the optical properties of a two-dimensional system of small conductive particles. Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 738. No. 1. pp. 012059.

Статья
2016 год

Tonkaev P.A., Kondikov A.A., Chaldyshev V.V. Research of resonant light reflection by a periodic system of GaAs/AlGaAs quantum wells. Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 738. No. 1. pp. 012060.

Тезисы
2016 год

Coupling of Localized Surface Plasmons to Excitons in Self-Organized InAs Quantum Dots

Статья
2016 год

Toropov N.A., Gladskikh P.V., Gladskikh I.A., Preobrazhenskiy V.V., Putyato M.A., Semyagin B., Kosarev A.N., Kondikov A.A., Chaldyshev V.V., Vartanyan T.A. Effect of silver nanoparticles on excitons in inas epitaxial quantum dots. Журнал прикладной спектроскопии. 2016. Vol. 83. No. 6-16. pp. 170-171.

Статья
2016 год

Кондиков А.А., Тонкаев П.А., Чалдышев В.В., Вартанян Т.А. Моделирование оптических свойств двумерной системы малых проводящих частиц. Неделя науки СПбПУ: Материалы научной конференции с международным участием (Санкт-Петербург, 14-19 ноября 2016 г.). Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. 2016. С. 316-318.

Статья
2015 год

Неведомский В.Н., Берт Н.А., Чалдышев В.В., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. Пространственно-коррелированные двумерные массивы полупроводниковых и металлических квантовых точек в гетероструктурах на основе GaAs. Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 12. С. 1710-1713.

Статья
2015 год

Тонкаев П.А., Кондиков А.А., Чалдышев В.В. Исследование и моделирование отражения света периодической системой квантовых ям GaAs/AlGaAs. Неделя науки СПбПУ: Материалы научного форума с международным участием (Санкт-Петербург, 30 ноября-05 декабря 2015 г.). Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. 2015. С. 316-318.

Статья
2015 год

Большаков А.С., Чалдышев В.В., Бабичев А.В., Кудряшов Д.А., Гудовских А.С., Морозов И.А., Соболев М.С., Никитина Е.В. Исследование структур с множественными квантовыми ямами InAs/GaAs методом спектроскопии электроотражения. Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 11. С. 1448-1452.

Статья
2015 год

Bolshakov A.S., Chaldyshev V.V., Lundin W.V., Sakharov A.V., Tsatsulnikov A.F., Yagovkina M.A., Zavarin E.E. Resonant Bragg structures based on III-nitrides. Journal of Materials Research. 2015. Vol. 30. No. 5. pp. 603-608.

Статья
2015 год

Кондиков А.А., Тонкаев П.А., Чалдышев В.В. Моделирование экситон-плазмонного взаимодействия в системах, состоящих из металлических частиц и полупроводниковых квантовых точек. Неделя науки СПбПУ: Материалы научного форума с международным участием (Санкт-Петербург, 30 ноября-05 декабря 2015 г.). Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. 2015. С. 267-268.

Повышение квалификации

Повышение квалификации
2021 год
Образовательная деятельность и цифровые технологии в современном университете

Российская Федерация, Санкт-Петербург

Повышение квалификации
2020 год
Инструменты разработки контента и организации электронного обучения

Российская Федерация, Санкт-Петербург