Поленок Е.Д., Берт Н.А., Иванов А.А., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Снигирёв Л.А., Ушанов В.И., Яговкина М., Чалдышев В.В. Брэгговский резонанс в системе слоев плазмонных наночастиц Bi в матрице GaAs. Физика твердого тела. 2025. Т. 67. № 1. С. 39-43.
Локализованный поверхностный плазмонный резонанс в квазиупорядоченном нанокомпозите Bi/GaAs
Иванов А., Чалдышев В.В., Заварин Е., Сахаров А., Лундин В., Цацульников А.Ф. Влияние беспорядка на оптические свойства резонансных брэгговских структур на основе III–N. Физика и техника полупроводников. 2024. Т. 58. № 11. С. 594-600.
Плазмонный резонанс упорядоченной системы наночастиц висмута в матрице арсенида галлия
Брэгговский резонанс в системе слоёв плазмонных наночастиц Bi в матрице GaAs
Брэгговский резонанс в слоях GaAs, дельта-легированных Bi
Поленок Е.Д., Чалдышев В.В., Берт Н.А., Иванов А.А., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Яговкина М., Ушанов В.И. Формирование квазидвумерных слоев наночастиц висмута в эпитаксиальных пленках арсенида галлия. Физика твердого тела. 2024. Т. 66. № 9. С. 1514-1519.
Снигирев Л.А., Берт Н.А., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Чалдышев В.В. Влияние промежуточного низкотемпературного нагрева на преципитацию в нестехиометрическом GaAs. Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 57. № 6. С. 507-512.
Снигирев Л.А., Мясоедов А.В., Берт Н.А., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Чалдышев В.В. Особенности микроструктуры наноразмерных преципитатов AsSb в LT-GaAsSb. Физика твердого тела. 2023. Т. 65. № 12. С. 2309-2316.
Снигирев Л.А., Ушанов В.И., Иванов А.А., Берт Н.А., Кириленко Д.А., Яговкина М., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Касаткин И.А., Чалдышев В.В. Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb-Al0.6Ga0.4As0.97Sb0.03. Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 57. № 1. С. 71-76.
Иванов А.А., Чалдышев В.В., Заварин Е., Сахаров А.В., Лундин В., Цацульников А. Резонансная брэгговская структура GaN/AlGaN. Известия Российской Академии наук. Серия физическая. 2023. Т. 87. № 6. С. 892-895.
Ivanov A., Chaldyshev V.V., Ushanov V.I., Zavarin E.E., Sakharov A.V., Lundin W.V., Tsatsulnikov A.F. Critical Disorder in InGaN/GaN Resonant Bragg Structures. Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2023. Vol. 87. No. 6. pp. 853–856.
Ivanov A., Chaldyshev V.V., Zavarin E.E., Sakharov A.V., Lundin W.V., Tsatsulnikov A.F. Resonant optical reflection from a GaN/(Al,Ga)N excitonic Bragg structure. Applied Physics Letters. 2023. Vol. 123. No. 12. pp. 121106.
Kosarev A.N., Chaldyshev V.V., Cherkashin N. Experimentally-Verified Modeling of InGaAs Quantum Dots. Nanomaterials. 2022. Vol. 12. No. 12. pp. 1967.
Семягин Б.Р., Колесников А.В., Путято М.А., Преображенский В.В., Попова Т.Б., Ушанов В.И., Чалдышев В.В. Выращивание слоев GaAs1-xBix методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 3. С. 279-284.
Bert N., Ushanov V.V., Snigirev L., Kirilenko D., Ulin V.P., Yagovkina M.A., Preobrazhenskii V.V., Putyato M., Semyagin B., Kasatkin I., Chaldyshev V.V. Metal-Semiconductor AsSb-Al0.6Ga0.4As0.97Sb0.03 Metamaterial. Materials. 2022. Vol. 15. No. 21. pp. 7597.
Косарев А.Н., Чалдышев В.В. Локализация носителей заряда в самоорганизованных квантовых точках INAS. Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 23. С. 51-54.
Ivanov A., Chaldyshev V.V., Zavarin E.E., Sakharov A.V., Lundin W.V., Tsatsulnikov A.F. Resonant Reflection of Light from an Excitonic Optical Grating Formed by 100 InGaN Quantum Wells. Semiconductors. 2021. Vol. 55. No. Suppl.1. pp. S49-S53.
Kosarev A.N., Chaldyshev V.V. Carrier Localization by a Quantum Dot in a Quantum Well. Physical Review Applied. 2021. Vol. 16. No. 4. pp. A79.
Ivanov A.A., Chaldyshev V.V., Zavarin E.E., Sakharov A.V., Lundin W.V., Tsatsulnikov A.F. Optical reflection spectra of resonant photonic structures based on a system of 100 InGaN quantum wells. Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1697. No. 1. pp. 012153.
Kosarev A., Chaldyshev V.V. Carrier localization in self-organized quantum dots: An interplay between quantum and solid mechanics. Applied Physics Letters. 2020. Vol. 117. No. 20. pp. 202103.
Bert N.A., Chaldyshev V.V., Cherkashin N.A., Nevedomskiy V.N., Preobrazhenskii V.V., Putyato M.A., Semyagin B.R., Ushanov V., Yagovkina M.A. Sb-rich nanoinclusions in an AlGaAsSb metamaterial. MRS Advances. 2019. Vol. 4. No. 5-6. pp. 277-284.
Bert N.A., Chaldyshev V.V., Cherkashin N.A., Nevedomskiy V.N., Preobrazhenskii V.V., Putyato M.A., Semyagin B.R., Ushanov V., Yagovkina M.A. Metallic AsSb nanoinclusions strongly enriched by Sb in AlGaAsSb metamaterial. Journal of Applied Physics. 2019. Vol. 125. No. 14. pp. 145106.
ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК InGaAs, В БЛИЖНЕМ ПОЛЕ ПЛАЗМОННЫХ НАНОЧАСТИЦ
Kosarev A.N., Chaldyshev V.V., Kondikov A.A., Vartanyan T.A., Toropov N.A., Gladskikh I.A., Gladskikh P.V., Akimov I., Bayer M., Preobrazhenskii V.V., Putyato M.A., Semyagin B.R. Epitaxial InGaAs Quantum Dots in Al0.29Ga0.71As Matrix: Intensity and Kinetics of Luminescence in the Near Field of Silver Nanoparticles. Optics and spectroscopy. 2019. Vol. 126. No. 5. pp. 492-496.
Kosarev A., Bert N., Nevedomskii V., Chaldyshev V.V., Preobrazhenskii V.V., Putyato M., Semyagin B. Photoluminescence from InAs Quantum Dots Buried Under Low-Temperature-Grown GaAs. Physica status solidi (b). 2019. Vol. 256. No. 5. pp. 1800479.
Maharjan N., Chaldyshev V.V., Nakarmi M.L. Resonant optical studies of GaAs/AlGaAs Multiple Quantum Well based Bragg Structures at excited states. MRS Advances. 2019. Vol. 4. No. 11-12. pp. 651-659.
Косарев А., Чалдышев В.В., Кондиков А.А., Вартанян Т.А., Торопов Н.А., Гладских И.А., Гладских П.В., Акимов И.И., Bayer M., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. Эпитаксиальные квантовые точки InGaAs в матрице Al0.29Ga0.71As: интенсивность и кинетика люминесценции в ближнем поле серебряных наночастиц. Оптика и спектроскопия. 2019. Т. 126. № 5. С. 573-577.
Chaldyshev V.V., Kundelev E.V., Poddubny A.N., Vasil’Ev A.P., Yagovkina M.A., Chend Y., Maharjan N., Liu Z., Nakarmi M.L., Shakya N.M. Optical Properties of AlGaAs/GaAs Resonant Bragg Structure at the Second Quantum State. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 4. pp. 447-451.
ОПТИКА СВЯЗАННЫХ РЕЗОНАНСНЫХ СИСТЕМ: ЭКСИТОН В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧКАХ И ПЛАЗМОН В МЕТАЛЛИЧЕСКИХ НАНОЧАСТИЦАХ
Arteev D.S., Sakharov A.V., Lundin W.V., Zavarin E.E., Usov S.O., Chaldyshev V.V., Bolshakov A.S., Yagovkina M.A., Tsatsulnikov A.F. Resonant Bragg structures with GaN/AlGaN Quantum Wells. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1038. No. 1. pp. 012119.
Ushanov V., Chaldyshev V.V., Preobrazhenskii V.V., Putyato M.A., Semyagin B.R. Diffusion Blurring of GaAs Quantum Wells Grown at Low Temperature. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 13. pp. 1704-1707.
Poltavtsev S.V., Solovev I.A., Akimov I., Chaldyshev V.V., Lundin W.V., Sakharov A.V., Tsatsulnikov A.F., Yakovlev D.R., Bayer M. Long coherent dynamics of localized excitons in (In,Ga)N/GaN quantum wells. Physical Review B. 2018. Vol. 98. No. 19. pp. 195315.
Ushanov V., Chaldyshev V.V., Preobrazhenskiy V.V., Putyato M.A., Semyagin B.R. Resonant Optical Reflection from AsSb–AlGaAs Metamaterials and Structures. Semiconductors. 2018. Vol. 52. No. 4. pp. 468-472.
УСИЛЕНИЕ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ЗА СЧЕТ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЛОКАЛИЗОВАННЫХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ПЛАЗМОНОВ В ЧАСТИЦАХ Ag С ЭКСИТОНАМИ В САМООРГАНИЗОВАННЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧКАХ InAs
Chen Y., Maharjan N., Liu Z., Nakarmi M.L., Chaldyshev V.V., Kundelev E.V., Poddubny A.N., Vasil'Ev A.P., Yagovkina M.A., Shakya N.M. Resonant optical properties of AlGaAs/GaAs multiple-quantum-well based Bragg structure at the second quantum state. Journal of Applied Physics. 2017. Vol. 121. No. 10. pp. 103101.
Тонкаев П.А., Чалдышев В.В. Оптическая решетка экситонов в системе сдвоенных квантовых ям GaAs/AlGaAs при комнатной температуре. Наука и инновации в технических университетах: Материалы Одиннадцатого Всероссийского форума студентов, аспирантов и молодых ученых, Санкт-Петербург, 25-27 октября 2017 г.. 2017. С. 84-85.
Тонкаев П.А., Чалдышев В.В. Оптические свойства периодической системы квантовых ям GaAs/AlGaAs. Неделя науки СПбПУ: Материалы научного форума с международным участием (Санкт-Петербург, 13-19 ноября 2017 г.). Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. 2017. С. 302-305.
Торопов Н.А., Гладских И.А., Гладских П.В., Косарев А.Н., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Чалдышев В.В., Вартанян Т.А. Поглощение и фотолюминесценция эпитаксиальных квантовых точек в ближнем поле серебряных наноструктур. Оптический журнал. 2017. Т. 84. № 7. С. 37-40.
Experimental investigation of plasmon–exciton coupling in MBE InAs quantum dots and silver nanoparticles
Kosarev A.N., Chaldyshev V.V., Toropov N.A., Gladskih I.A., Gladskikh P.V., Baryshnikova K.V., Preobrazhenskiy V.V., Putyato M.A., Semyagin B.R., Vartanyan T.A. Fabrication and characterization of coupled ensembles of epitaxial quantum dots and metal nanoparticles supporting localized surface plasmons. Proceedings of SPIE. 2017. Vol. 10346. pp. 1034613.
Отражение оптической решеткой экситонов в системе квантовых ям GaAs/AlGaAs
Bolshakov A.S., Chaldyshev V.V., Zavarin E.E., Sakharov A.V., Lundin W.V., Tsatsulnikov A.F., Yagovkina M.A. Room temperature exciton-polariton resonant reflection and suppressed absorption in periodic systems of InGaN quantum wells. Journal of Applied Physics. 2017. Vol. 121. No. 13. pp. 133101.
Toropov N.A., Gladskikh I.A., Gladskikh P.V., Kosarev A.N., Preobrazhenskii V.V., Putyato M.A., Semyagin B.R., Chaldyshev V.V., Vartanyan T.A. Absorption and photoluminescence of epitaxial quantum dots in the near field of silver nanostructures. Journal of Optical Technology. 2017. Vol. 84. No. 7. pp. 459-461.
Tonkaev P.A., Kondikov A.A., Chaldyshev V.V. Research of resonant light reflection by a periodic system of GaAs/AlGaAs quantum wells. Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 738. No. 1. pp. 012060.
Kondikov A.A., Tonkaev P.A., Chaldyshev V.V., Vartanyan T.A. Modeling of the optical properties of a two-dimensional system of small conductive particles. Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 738. No. 1. pp. 012059.
Toropov N.A., Gladskikh P.V., Gladskikh I.A., Preobrazhenskiy V.V., Putyato M.A., Semyagin B., Kosarev A.N., Kondikov A.A., Chaldyshev V.V., Vartanyan T.A. Effect of silver nanoparticles on excitons in inas epitaxial quantum dots. Журнал прикладной спектроскопии. 2016. Vol. 83. No. 6-16. pp. 170-171.
Тонкаев П.А., Кондиков А.А., Чалдышев В.В. Оптическое отражение и электроотражение периодической системой квантовых ям GaAs/AlGaAs. Неделя науки СПбПУ: Материалы научной конференции с международным участием (Санкт-Петербург, 14-19 ноября 2016 г.). Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. 2016. С. 308-310.
Влияние близкорасположенных наночастиц Ag на фотолюминесценцию квантовых точек InAs в GaAs
Кондиков А.А., Тонкаев П.А., Чалдышев В.В., Вартанян Т.А. Моделирование оптических свойств двумерной системы малых проводящих частиц. Неделя науки СПбПУ: Материалы научной конференции с международным участием (Санкт-Петербург, 14-19 ноября 2016 г.). Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. 2016. С. 316-318.
Coupling of Localized Surface Plasmons to Excitons in Self-Organized InAs Quantum Dots
Кондиков А.А., Тонкаев П.А., Чалдышев В.В. Моделирование экситон-плазмонного взаимодействия в системах, состоящих из металлических частиц и полупроводниковых квантовых точек. Неделя науки СПбПУ: Материалы научного форума с международным участием (Санкт-Петербург, 30 ноября-05 декабря 2015 г.). Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. 2015. С. 267-268.
Тонкаев П.А., Кондиков А.А., Чалдышев В.В. Исследование и моделирование отражения света периодической системой квантовых ям GaAs/AlGaAs. Неделя науки СПбПУ: Материалы научного форума с международным участием (Санкт-Петербург, 30 ноября-05 декабря 2015 г.). Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. 2015. С. 316-318.
Неведомский В.Н., Берт Н.А., Чалдышев В.В., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. Пространственно-коррелированные двумерные массивы полупроводниковых и металлических квантовых точек в гетероструктурах на основе GaAs. Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 12. С. 1710-1713.
Большаков А.С., Чалдышев В.В., Бабичев А.В., Кудряшов Д.А., Гудовских А.С., Морозов И.А., Соболев М.С., Никитина Е.В. Исследование структур с множественными квантовыми ямами InAs/GaAs методом спектроскопии электроотражения. Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 11. С. 1448-1452.
Bolshakov A.S., Chaldyshev V.V., Lundin W.V., Sakharov A.V., Tsatsulnikov A.F., Yagovkina M.A., Zavarin E.E. Resonant Bragg structures based on III-nitrides. Journal of Materials Research. 2015. Vol. 30. No. 5. pp. 603-608.
Российская Федерация, Санкт-Петербург
Российская Федерация, Санкт-Петербург