Жуков Алексей Евгеньевич

Статья

Tatarinov D.A., Sapozhnikova E.V., Khmelevskaia D., Ju Y., Dolgintsev D.M., Bodyago E.V., Marunchenko A., Zhukov A.E., Zhong H., Scheblykin I., Pushkarev A.P. Composition tunable and stable spontaneous emission and lasing in Cd-alloyed perovskite microdisks. Chemical Communications. 2024. Vol. 60. No. 93. pp. 13730-13733.

Статья

Kryzhanovskaya N.V., Blokhin S.A., Makhov I.S., Moiseev E.I., Nadtochiy A.M., Fominykh N.A., Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A., Guseva Y.A., Kulagina M.M., Zubov F.I., Kolodeznyi E.S., Маximov M.V., Zhukov A.E. Investigation of a p–i–n Photodetector with an Absorbing Medium Based on InGaAs/GaAs Quantum Well-Dots. Semiconductors. 2023. Vol. 57. No. 13. pp. 594-598.

Статья

Махов И.С., Бекман А.А., Кулагина М.М., Гусева Ю.А., Крыжановская Н.В., Надточий А.М., Максимов М.В., Жуков А.Е. Двухуровневая лазерная генерация в инжекционных микродисках на основе квантовых точек InAs/InGaAs. Письма в Журнал технической физики. 2022. Т. 48. № 12. С. 40-43.

Статья

Kharchenko A.A., Nadtochii A.M., Serin A.A., Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A., Zhukov A.E., Maximov M.V., Breuer S. Bimodality in the Electroluminescence Spectra of InGaAs Quantum Well–Dot Nanostructures. Semiconductors. 2022. Vol. 56. No. 6. pp. 329-332.

Статья

Гордеев Н.Ю., Моисеев Э.И., Фоминых Н.А., Крыжановская Н.В., Бекман А.А., Корнышов Г.О., Зубов Ф.И., Шерняков Ю.М., Жуков А.Е., Максимов М.В. Температурные характеристики кольцевых лазеров с активной областью на основе InAs/InGaAs/GaAs-квантовых точек оптического диапазона 1.3 µm. Письма в Журнал технической физики. 2022. Т. 48. № 18. С. 36-40.

Статья

Zhukov A.E., Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E., Dragunova A.S., Tang M., Chen S., Liu H., Kulagina M.M., Kadinskaya S.A., Zubov F.I., Mozharov A.M., Maksimov M.V. InAs/GaAs quantum dot microlasers formed on silicon using monolithic and hybrid integration methods. Materials. 2020. Vol. 13. No. 10. pp. 2315.

Статья

Moiseev E., Maximov M.V., Kryzhanovskaya N.V., Simchuk O.I., Kulagina M.M., Kadinskaya S.A., Guina M., Zhukov A.E. Comparative Analysis of Injection Microdisk Lasers Based on InGaAsN Quantum Wells and InAs/InGaAs Quantum Dots. Semiconductors. 2020. Vol. 54. No. 2. pp. 263-267.

Статья

Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Zubov F.I., Maksimov M.V., Blokhin S.A., Kalyuzhnyy N.A., Mintairov S.A., Kulagina M.M., Ledentsov N., Ledentsov N.N., Zhukov A.E. Small-signal modulation and 10 Gb/s data transmission by microdisk lasers based on InGaAs/GaAs quantum well-dots. Proceedings of SPIE. 2020. Vol. 11356. pp. 1135608.

Статья

Cirlin G.E., Reznik R.R., Zhukov A.E., Khabibullin R.A., Marem’Yanin K.V., Gavrilenko V.I., Morozov S.V. Specific Growth Features of Nanostructures for Terahertz Quantum Cascade Lasers and Their Physical Properties. Semiconductors. 2020. Vol. 54. No. 9. pp. 1092-1095.

Статья

Zhukov A.E., Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E., Kulagina M.M., Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A., Nadtochiy A.M., Maximov M.V. Ultimate Lasing Temperature of Microdisk Lasers. Semiconductors. 2020. Vol. 54. No. 6. pp. 677-681.

Статья

Maximov M.V., Nadtochiy A.M., Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A., Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E., Gordeev N.Y., Shernyakov Y.M., Payusov A.S., Zubov F.I., Nevedomskiy V.N., Rouvimov S.S., Zhukov A.E. Light emitting devices based on quantum well-dots. Applied Sciences. 2020. Vol. 10. No. 3. pp. 1038.

Статья

Kryzhanovskaya N.V., Bukatin A.S., Korenev A.A., Fetisova M.V., Filatov N.A., Maksimov M.V., Reduto I.V., Raskhodchikov A.V., Lipovskiy A.A., Zhukov A.E. Microdisk lasers for high-sensitive protein detection in microfluidic devices. Proceedings of SPIE. 2020. Vol. 11361. pp. 113610S.

Статья

Zhukov A.E., Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E., Nadtochiy A.M., Dragunova A.S., Maximov M.V., Zubov F.I., Kadinskaya S.A., Berdnikov Y., Kulagina M.M., Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A. Impact of Self-heating and Elevated Temperature on Performance of Quantum Dot Microdisk Lasers. IEEE Journal of Quantum Electronics. 2020. Vol. 56. No. 5. pp. 1-8.

Статья

Zubov F.I., Muretova M.E., Payusov A.S., Maximov M.V., Zhukov A.E., Asryan L.V. Parasitic Recombination in a Laser with Asymmetric Barrier Layers. Semiconductors. 2020. Vol. 54. No. 3. pp. 366-373.

Статья

Maximov M.V., Gordeev N.Y., Shernyakov Y.M., Payusov A.S., Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A., Kornyshov G.O., Serin A.A., Usikova A.A., Gadzhiev I.M., Kulagina M.M., Nadtochiy A.M., Zhukov A.E. Optoelectronic devices with active region based on InGaAs/GaAs quantum well-dots. Proceedings of SPIE. 2020. Vol. 11356. pp. 113560A.

Статья

Auth D., Korenev V.V., Savelyev A.V., Maximov M.V., Zhukov A.E., Breuer S. Indications on self mode-locking in a broad area single-section quantum dot laser. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1410. No. 1. pp. 012084.

Статья

Reduto I., Fetisova M., Kryzhanovskaya N.V., Kotlyar K., Raskhodchikov А., Scherbak S.A., Guseva Y.A., Lipovskii A., Маximov M.V., Zhukov A.E. Lasing in III–V microdisk core–TiO2 shell lasers. Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics. 2019. Vol. 36. No. 8. pp. 2285-2291.

Статья

Надточий А.М., Минтаиров С.А., Калюжный Н.А., Шерняков Ю.М., Корнышов Г.О., Серин А.А., Паюсов А.С., Неведомский В.Н., Гордеев Н.Ю., Максимов М.В., Жуков А.Е. Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 4. С. 42-45.

Статья

Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Zubov F.I., Mozharov A.M., Maximov M.V., Kalyuzhnyy N.A., Mintairov S.A., Guseva Y.A., Kulagina M.M., Blokhin S.A., Berdnikov Y.S., Zhukov A.E. Evaluation of energy-to-data ratio of quantum-dot microdisk lasers under direct modulation. Journal of Applied Physics. 2019. Vol. 126. No. 6. pp. 063107.

Статья

Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Зубов Ф.И., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Рочас С.С., Колодезный Е.С., Егоров А.Ю., Жуков А.Е. Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 mM на основе бесфосфорных гетероструктур. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 11. С. 20-23.

Статья

Dragunova A.S., Kryzhanovskaya N.V., Maximov M.V., Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A., Moiseev E., Mukhin I.S., Tikhomirov V.G., Zhukov A.E. Investigation of optical properties of In(Ga)As/GaAs mesa structures with active region based on quantum wells, quantum dots, and quantum well-dots. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1410. No. 1. pp. 012157.

Статья

Zhukov A.E., Moiseev E.I., Kryzhanovskaya N.V., Zubov F.I., Mozharov A.M., Kalyuzhnyy N.A., Mintairov S.A., Kulagina M.M., Blokhin S.A., Маximov M.V. Energy Consumption for High-Frequency Switching of a Quantum-Dot Microdisk Laser. Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 8. pp. 847-849.

Статья

Talalaev V., Kryzhanovskaya N.V., Tomm J.W., Rutckaia V., Schilling J., Zhukov A.E. Dynamics of Broadband Lasing Cascade from a Single Dot-in-well InGaAs Microdisk. Scientific Reports. 2019. Vol. 9. No. 1. pp. 5635.

Статья

Nadtochiy A.M., Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A., Shernyakov Y.M., Kornyshov G.O., Serin A.A., Payusov A.S., Nevedomsky V.N., Gordeev N.Y., Maximov M.V., Zhukov A.E. Lasers Based on Quantum Well-Dots Emitting in the 980- and 1080-nm Optical Ranges. Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 2. pp. 163-166.

Статья

Korenev V.V., Savelyeva A.V., Dubrovskii V.G., Breuer S., Maximov M.V., Zhukov A.E. Modulation p-doping as the way to attain multi-state lasing in short-cavity InAs/InGaAs quantum dot lasers. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1124. No. 4. pp. 041001.

Статья

Reznik R.R., Kryzhanovskaya N.V., Zhukov A.E., Khrebtov A.I., Samsonenko Y.B., Morozov S.V., Cirlin G.E. Structural properties of multilayer heterostructure for quantum-cascade lasers grown by MBE growth. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1124. No. 2. pp. 022005.

Статья

Mao G., Wang Q., Chai Z., Cao J., Liu H., Ren X., Maleev N.A., Vasil'Ev A.P., Zhukov A.E., Ustinov V.M. Room temperature observation of optical modes in transferred rolled-up InGaAs/GaAs quantum dot microtube with AlGaAs confining layers. Materials Science in Semiconductor Processing. 2018. Vol. 79. pp. 20-23.

Статья

Асрян Л.В., Зубов Ф.И., Полубавкина Ю.С., Моисеев Э.И., Муретова М.Е., Крыжановская Н.В., Максимов М.В., Жуков А.Е. Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями. Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 12. С. 1518-1526.

Статья

Moiseev E.I., Kryzhanovskaya N.V., Maksimov M.V., Zubov F.I., Nadtochii A.M., Kulagina M.M., Zadiranov Y.M., Kaliuzhnyi N.A., Mintairov S.A., Zhukov A.E. Highly efficient injection microdisk lasers based on quantum well-dots. Optics Letters. 2018. Vol. 43. No. 19. pp. 4554-4557.

Статья

Максимов М.В., Надточий А.М., Шерняков Ю.М., Паюсов А.С., Васильев А.П., Устинов В.М., Сeрин А.А., Гордеев Н.Ю., Жуков А.Е. Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs. Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 10. С. 1191-1196.

Статья

Serin A.A., Payusov A.S., Shernyakov Y.M., Kalyuzhnyy N.A., Mintairov S.A., Gordeev N.Y., Zubov F.I., Maximov M.V., Zhukov A.E. Effect of carrier localization on performance of coupled large optical cavity diode lasers. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1124. No. 4. pp. 041005.

Статья

Иконников А.В., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Гавриленко В.И., Павлов А.Ю., Щаврук Н.В., Хабибулин Р.А., Резник Р.Р., Цырлин Г.Э., Зубов Ф.И., Жуков А.Е., Алферов Ж.И. Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах. Письма в Журнал технической физики. 2017. Т. 43. № 7. С. 86-94.

Статья

Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E., Polubavkina Y.S., Maximov M.V., Kulagina M.M., Troshkov S., Zadiranov Y.M., Lipovskii A.A., Baidus N.V., Dubinov A.A., Krasilnik Z., Novikov A., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Yurasov D.V., Zhukov A.E. Electrically pumped InGaAs/GaAs quantum well microdisk lasers directly grown on Si(100) with Ge/GaAs buffer. Optics express. 2017. Vol. 25. No. 4. pp. 16754-16760.

Статья

Reznik R.R., Kryzhanovskaya N.V., Zubov F.I., Zhukov A.E., Khabibullin R.A., Morozov S.V., Cirlin G.E. MBE growth, structural and optical properties of multilayer heterostructures for quantum-cascade lasers. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 917. No. 5. pp. 052012.

Статья

Mintairov S.A., Kaliuzhnyi N.A., Maximov M.V., Nadtochii A.M., Zhukov A.E. InGaAs quantum well-dots based GaAs subcell with enhanced photocurrent for multijunction GaInP/GaAs/Ge solar cells. Semiconductor Science and Technology. 2017. Vol. 32. No. 1. pp. 015006.

Статья

Korenev V.V., Savelyev A.V., Маximov M.V., Zubov F.I., Shernyakov Y.M., Kulagina M.M., Zhukov A.E. Effect of modulation p-doping level on multi-state lasing in InAs/InGaAs quantum dot lasers having different external loss. Applied Physics Letters. 2017. Vol. 111. No. 13. pp. 132103.

Статья

Kryzhanovskaya N.V., Polubavkina Y.S., Scherbak S.A., Moiseev E., Zhurikhina V.V., Zubov F.I., Lipovskii A.A., Kulagina M.M., Troshkov S.I., Zadiranov Y.M., Маximov M.V., Zhukov A.E. 3.5-mu m radius race-track microlasers operating at room temperature with 1.3-mu m quantum dot active region. Journal of Applied Physics. 2017. Vol. 121. No. 4. pp. 043104.

Статья

Зубов Ф.И., Крыжановская Н.В., Моисеев Э.И., Полубавкина Ю.С., Симчук О.И., Кулагина М.М., Задиранов Ю.М., Трошков С.И., Липовский А.А., Максимов М.В., Жуков А.Е. Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство. Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 10. С. 1425-1428.

Статья

Mintairov S.A., Kaliuzhnyi N.A., Lantratov V.M., Maximov M.V., Nadtochii A.M., Ruvimov S.A., Zhukov A.E. Hybrid InGaAs quantum well – quantum dot nanostructures for light-emitting and photo-voltaic applications. Nanotechnology. 2015. Vol. 26. No. 38. pp. 385202.

Статья

Kryzhanovskaia N.V., Maximov M.V., Zhukov A.E., Nadtochii A.M., Moiseev E.I., Shostak I.I., Kulagina M.M., Vashanova K.A., Zadiranov Y.M., Troshkov S.I., Nevedomsky V.M., Ruvimov S.A., Lipovskii A.A., Kaliuzhnyi N.A., Mintairov S. Single-Mode Emission from 4-9-?m Microdisk Lasers with Dense Array of InGaAs Quantum Dots. Journal of Lightwave Technology. 2015. Vol. 33. No. 1. pp. 171-175.

Статья

Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Kettler T., Gordeev N.Y., Maximov M.V., Shernyakov Y.M., Kryzhanovskaya N.V., Zhukov A.E., Semenova E.S., Vasil'Ev A.P., Ustinov V.M., Fiol G., Kuntz M., Posilovic K., Lochmann A., Schulz O., Reissmann L., Kovsh A.R., Mikhrin S.S., Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Bimberg D. Competition of different recombination channels in metamorphic 1.5 µm range quantum dot lasers on GaAs substrate. AIP Conference Proceedings. 2007. Vol. 893. No. 1. pp. 1413-1414.

Статья

Ledentsov N.N., Shchukin V.A., Kettler T., Posilovic K., Bimberg D., Karachinsky L.Y., Gladyshev A.G., Maximov M.V., Novikov I.I., Shernyakov Y.M., Zhukov A.E., Ustinov V.M., Kovsh A.R. MBE-grown metamorphic lasers for applications at telecom wavelengths. Journal of Crystal Growth. 2007. Vol. 301-302. pp. 914-922.

Статья

Kettler T., Karachinsky L.Y., Ledentsov N.N., Shchukin V.A., Fiol G., Kuntz M., Lochmann A., Schulz O., Reissmann L., Posilovic K., Bimberg D., Novikov I.I., Shernyakov Y.M., Gordeev N.Y., Maximov M.V., Kryzhanovskaya N.V., Zhukov A.E., Semenova E.S., Vasil'Ev A.P., Ustinov V.M., Kovsh A.R. Degradation-Robust Single Mode CW Operation of 1.46 µm Metamorphic Quantum Dot Lasers on GaAs Substrate. Applied Physics Letters. 2006. Vol. 89. No. 4. pp. 041113.

Статья

Ledentsov N.N., Kovsh A.R., Shchukin V.A., Mikhrin S.S., Krestnikov I.L., Kozhukhov A.V., Karachinsky L.Y., Maximov M.V., Novikov I.I., Shernyakov Y.M., Soshnikov I.P., Zhukov A.E., Musikhin Y.G., Ustinov V.M., Zakharov N.D., Werner P., Kettler T., Posilovic K., Bimberg D., Hu M., Nguyene H.K., Song K., Zah C. 1.3-1.5 µm quantum dot lasers on foreign substrates: growth using defect reduction technique, high-power CW operation, and degradation resistance. Proceedings of SPIE. 2006. Vol. 6133. pp. 61330S.

Статья

Karachinsky L.Y., Kettler T., Novikov I.I., Shernyakov Y.M., Gordeev N.Y., Maximov M.V., Kryzhanovskaya N.V., Zhukov A.E., Semenova E.S., Vasil'Ev A.P., Ustinov V.M., Fiol G., Kuntz M., Lochmann A., Schulz O., Reissmann L., Posilovic K., Kovsh A.R., Mikhrin S.S., Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Bimberg D. Metamorphic 1.5 µm-range quantum dot lasers on a GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology. 2006. Vol. 21. No. 5. pp. 691-696.

Статья

Karachinsky L.Y., Kettler T., Gordeev N.Y., Novikov I.I., Maximov M.V., Shernyakov Y.M., Kryzhanovskaya N.V., Zhukov A.E., Semenova E.S., Vasil'Ev A.P., Ustinov V.M., Ledentsov N.N., Kovsh A.R., Shchukin V.A., Mikhrin S.S., Lochmann A., Schulz O., Reissmann L., Bimberg D. Continuous-wave Lasing of Single-Mode Metamorphic Quantum Dot Lasers for the 1.5-µm Spectral Region. Semiconductors. 2005. Vol. 39. No. 12. pp. 1415-1419.

Статья

Ledentsov N.N., Kovsh A.R., Shchukin V.A., Mikhrin S.S., Krestnikov I.L., Kozhukhov A.V., Karachinsky L.Y., Maximov M.V., Novikov I.I., Shernyakov Y.M., Soshnikov I.P., Zhukov A.E., Portnoi E.L., Ustinov V.M., Gerthsen D., Bhattacharya P., Zakharov N.F., Werner P., Hopfer F., Kuntz M., Bimberg D. QD Lasers: Physics and Applications. Proceedings of SPIE. 2005. Vol. 5624. pp. 335-344.

Статья

Karachinsky L.Y., Kettler T., Gordeev N.Y., Novikov I.I., Maximov M.V., Shernyakov Y.M., Kryzhanovskaya N.V., Zhukov A.E., Semenova E.S., Vasil'Ev A.P., Ustinov V.M., Ledentsov N.N., Kovsh A.R., Shchukin V.A., Mikhrin S.S., Lochmann A., Schulz O., Reissmann L., Bimberg D. High-Power Singlemode CW Operation of 1.5 µm-Range Quantum Dot GaAs-based Laser. Electronics Letters. 2005. Vol. 41. No. 8. pp. 478-480.