Образцова А.А., Жуков А.Е., Махов И.С. Микродисковые лазеры с вынесенной контактной площадкой мостиковой конструкции, сформированные жидкостным химическим травлением. Физика и техника полупроводников. 2025. Т. 59. № 1. С. 37.. doi: 10.61011/FTP.2025.01.60498.7587
Makhov I., Komarov S., Fominykh N., Obraztsova A., Voitovich V., Derkach N., Melnichenko I., Shandyba N., Chernenko N., Solodovnik M., Lipovskii A., Shernyakov Y., Kalyuzhnyy N., Mintairov S., Kryzhanovskaya N., Zhukov A. Ultra-short stripe microlasers fabricated with a focused ion beam etching technique. Optics Letters. 2025. Vol. 50. No. 2. pp. 387-390.. doi: 10.1364/OL.544698
Obraztsova A., Makhov I., Melnichenko I., Ivanov K., Kryzhanovskaya N., Zhukov A.E. Whispering Gallery Mode Selection In Quantum Dot Microdisk Lasers Under Spatially Inhomogeneous Optical Pumping. Journal of Lightwave Technology. 2025. Vol. 43. No. 15. pp. 7278-7284.. doi: 10.1109/JLT.2025.3573805
Tatarinov D.A., Sapozhnikova E.V., Khmelevskaia D., Ju Y., Dolgintsev D.M., Bodyago E.V., Marunchenko A., Zhukov A.E., Zhong H., Scheblykin I., Pushkarev A.P. Composition tunable and stable spontaneous emission and lasing in Cd-alloyed perovskite microdisks. Chemical Communications. 2024. Vol. 60. No. 93. pp. 13730-13733.. doi: 10.1039/D4CC04488F
Kryzhanovskaya N.V., Blokhin S.A., Makhov I.S., Moiseev E.I., Nadtochiy A.M., Fominykh N.A., Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A., Guseva Y.A., Kulagina M.M., Zubov F.I., Kolodeznyi E.S., Маximov M.V., Zhukov A.E. Investigation of a p–i–n Photodetector with an Absorbing Medium Based on InGaAs/GaAs Quantum Well-Dots. Semiconductors. 2023. Vol. 57. No. 13. pp. 594-598.. doi: 10.1134/S1063782623050093
Kharchenko A.A., Nadtochii A.M., Serin A.A., Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A., Zhukov A.E., Maximov M.V., Breuer S. Bimodality in the Electroluminescence Spectra of InGaAs Quantum Well–Dot Nanostructures. Semiconductors. 2022. Vol. 56. No. 6. pp. 329-332.. doi: 10.1134/S106378262207003X
Махов И.С., Бекман А.А., Кулагина М.М., Гусева Ю.А., Крыжановская Н.В., Надточий А.М., Максимов М.В., Жуков А.Е. Двухуровневая лазерная генерация в инжекционных микродисках на основе квантовых точек InAs/InGaAs. Письма в Журнал технической физики. 2022. Т. 48. № 12. С. 40-43.. doi: 10.21883/PJTF.2022.12.52678.19242
Гордеев Н.Ю., Моисеев Э.И., Фоминых Н.А., Крыжановская Н.В., Бекман А.А., Корнышов Г.О., Зубов Ф.И., Шерняков Ю.М., Жуков А.Е., Максимов М.В. Температурные характеристики кольцевых лазеров с активной областью на основе InAs/InGaAs/GaAs-квантовых точек оптического диапазона 1.3 µm. Письма в Журнал технической физики. 2022. Т. 48. № 18. С. 36-40.. doi: 10.21883/PJTF.2022.18.53397.19316
Zubov F.I., Muretova M.E., Payusov A.S., Maximov M.V., Zhukov A.E., Asryan L.V. Parasitic Recombination in a Laser with Asymmetric Barrier Layers. Semiconductors. 2020. Vol. 54. No. 3. pp. 366-373.. doi: 10.1134/S1063782620030203
Maximov M.V., Nadtochiy A.M., Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A., Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E., Gordeev N.Y., Shernyakov Y.M., Payusov A.S., Zubov F.I., Nevedomskiy V.N., Rouvimov S.S., Zhukov A.E. Light emitting devices based on quantum well-dots. Applied Sciences. 2020. Vol. 10. No. 3. pp. 1038.. doi: 10.3390/app10031038
Kryzhanovskaya N.V., Bukatin A.S., Korenev A.A., Fetisova M.V., Filatov N.A., Maksimov M.V., Reduto I.V., Raskhodchikov A.V., Lipovskiy A.A., Zhukov A.E. Microdisk lasers for high-sensitive protein detection in microfluidic devices. Proceedings of SPIE. 2020. Vol. 11361. pp. 113610S.. doi: 10.1117/12.2555037
Zhukov A.E., Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E., Kulagina M.M., Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A., Nadtochiy A.M., Maximov M.V. Ultimate Lasing Temperature of Microdisk Lasers. Semiconductors. 2020. Vol. 54. No. 6. pp. 677-681.. doi: 10.1134/S1063782620060172
Zhukov A.E., Zhukov A.E., Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Nadtochiy A.M., Dragunova A.S., Maximov M.V., Zubov F.I., Kadinskaya S.A., Berdnikov Y., Kulagina M.M., Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A. Impact of Self-heating and Elevated Temperature on Performance of Quantum Dot Microdisk Lasers. IEEE Journal of Quantum Electronics. 2020. Vol. 56. No. 5. pp. 1-8.. doi: 10.1109/JQE.2020.3009954
Maximov M.V., Gordeev N.Y., Shernyakov Y.M., Payusov A.S., Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A., Kornyshov G.O., Serin A.A., Usikova A.A., Gadzhiev I.M., Kulagina M.M., Nadtochiy A.M., Zhukov A.E. Optoelectronic devices with active region based on InGaAs/GaAs quantum well-dots. Proceedings of SPIE. 2020. Vol. 11356. pp. 113560A.. doi: 10.1117/12.2554728
Zhukov A.E., Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Dragunova A.S., Tang M., Chen S., Liu H., Kulagina M.M., Kadinskaya S.A., Zubov F.I., Mozharov A.M., Maximov M.V. InAs/GaAs quantum dot microlasers formed on silicon using monolithic and hybrid integration methods. Materials. 2020. Vol. 13. No. 10. pp. 2315.. doi: 10.3390/ma13102315
Cirlin G.E., Reznik R.R., Zhukov A.E., Khabibullin R.A., Marem’Yanin K.V., Gavrilenko V.I., Morozov S.V. Specific Growth Features of Nanostructures for Terahertz Quantum Cascade Lasers and Their Physical Properties. Semiconductors. 2020. Vol. 54. No. 9. pp. 1092-1095.. doi: 10.1134/S1063782620090298
Moiseev E., Maximov M.V., Kryzhanovskaya N.V., Simchuk O.I., Kulagina M.M., Kadinskaya S.A., Guina M., Zhukov A.E. Comparative Analysis of Injection Microdisk Lasers Based on InGaAsN Quantum Wells and InAs/InGaAs Quantum Dots. Semiconductors. 2020. Vol. 54. No. 2. pp. 263-267.. doi: 10.1134/S1063782620020177
Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Zubov F.I., Maksimov M.V., Blokhin S.A., Kalyuzhnyy N.A., Mintairov S.A., Kulagina M.M., Ledentsov N., Ledentsov N.N., Zhukov A.E. Small-signal modulation and 10 Gb/s data transmission by microdisk lasers based on InGaAs/GaAs quantum well-dots. Proceedings of SPIE. 2020. Vol. 11356. pp. 1135608.. doi: 10.1117/12.2554552
Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Зубов Ф.И., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Рочас С.С., Колодезный Е.С., Егоров А.Ю., Жуков А.Е. Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 mM на основе бесфосфорных гетероструктур. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 11. С. 20-23.. doi: 0.21883/PJTF.2019.11.47818.17778
Zhukov A.E., Moiseev E.I., Kryzhanovskaya N.V., Zubov F.I., Mozharov A.M., Kalyuzhnyy N.A., Mintairov S.A., Kulagina M.M., Blokhin S.A., Маximov M.V. Energy Consumption for High-Frequency Switching of a Quantum-Dot Microdisk Laser. Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 8. pp. 847-849.. doi: 10.1134/S1063785019080315
Reduto I., Fetisova M., Kryzhanovskaya N.V., Kotlyar K., Raskhodchikov А., Scherbak S.A., Guseva Y.A., Lipovskii A., Маximov M.V., Zhukov A.E. Lasing in III–V microdisk core–TiO2 shell lasers. Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics. 2019. Vol. 36. No. 8. pp. 2285-2291.. doi: 10.1364/JOSAB.36.002285
Надточий А.М., Минтаиров С.А., Калюжный Н.А., Шерняков Ю.М., Корнышов Г.О., Серин А.А., Паюсов А.С., Неведомский В.Н., Гордеев Н.Ю., Максимов М.В., Жуков А.Е. Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm. Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 4. С. 42-45.. doi: 10.21883/PJTF.2019.04.47337.17615
Dragunova A.S., Kryzhanovskaya N.V., Maximov M.V., Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A., Moiseev E., Mukhin I.S., Tikhomirov V.G., Zhukov A.E. Investigation of optical properties of In(Ga)As/GaAs mesa structures with active region based on quantum wells, quantum dots, and quantum well-dots. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1410. No. 1. pp. 012157.. doi: 10.1088/1742-6596/1410/1/012157
Auth D., Korenev V.V., Savelyev A.V., Maximov M.V., Zhukov A.E., Breuer S. Indications on self mode-locking in a broad area single-section quantum dot laser. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1410. No. 1. pp. 012084.. doi: 10.1088/1742-6596/1410/1/012084
Talalaev V., Kryzhanovskaya N.V., Tomm J.W., Rutckaia V., Schilling J., Zhukov A.E. Dynamics of Broadband Lasing Cascade from a Single Dot-in-well InGaAs Microdisk. Scientific Reports. 2019. Vol. 9. No. 1. pp. 5635.. doi: 10.1038/s41598-019-41307-w
Nadtochiy A.M., Mintairov S.A., Kalyuzhnyy N.A., Shernyakov Y.M., Kornyshov G.O., Serin A.A., Payusov A.S., Nevedomsky V.N., Gordeev N.Y., Maximov M.V., Zhukov A.E. Lasers Based on Quantum Well-Dots Emitting in the 980- and 1080-nm Optical Ranges. Technical Physics Letters. 2019. Vol. 45. No. 2. pp. 163-166.. doi: 10.1134/S1063785019020305
Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Zubov F.I., Mozharov A.M., Maximov M.V., Kalyuzhnyy N.A., Mintairov S.A., Guseva Y.A., Kulagina M.M., Blokhin S.A., Berdnikov Y.S., Zhukov A.E. Evaluation of energy-to-data ratio of quantum-dot microdisk lasers under direct modulation. Journal of Applied Physics. 2019. Vol. 126. No. 6. pp. 063107.. doi: 10.1063/1.5108556
Асрян Л.В., Зубов Ф.И., Полубавкина Ю.С., Моисеев Э.И., Муретова М.Е., Крыжановская Н.В., Максимов М.В., Жуков А.Е. Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями. Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 12. С. 1518-1526.. doi: 10.21883/FTP.2018.12.46768.8876
Reznik R.R., Kryzhanovskaya N.V., Zhukov A.E., Khrebtov A.I., Samsonenko Y.B., Morozov S.V., Cirlin G.E. Structural properties of multilayer heterostructure for quantum-cascade lasers grown by MBE growth. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1124. No. 2. pp. 022005.. doi: 10.1088/1742-6596/1124/2/022005
Максимов М.В., Надточий А.М., Шерняков Ю.М., Паюсов А.С., Васильев А.П., Устинов В.М., Сeрин А.А., Гордеев Н.Ю., Жуков А.Е. Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs. Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 10. С. 1191-1196.. doi: 10.21883/FTP.2018.10.46460.8883
Mao G., Wang Q., Chai Z., Cao J., Liu H., Ren X., Maleev N.A., Vasil'Ev A.P., Zhukov A.E., Ustinov V.M. Room temperature observation of optical modes in transferred rolled-up InGaAs/GaAs quantum dot microtube with AlGaAs confining layers. Materials Science in Semiconductor Processing. 2018. Vol. 79. pp. 20-23.. doi: 10.1016/j.mssp.2018.01.017
Korenev V.V., Savelyeva A.V., Dubrovskii V.G., Breuer S., Maximov M.V., Zhukov A.E. Modulation p-doping as the way to attain multi-state lasing in short-cavity InAs/InGaAs quantum dot lasers. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1124. No. 4. pp. 041001.. doi: 10.1088/1742-6596/1124/4/041001
Serin A.A., Payusov A.S., Shernyakov Y.M., Kalyuzhnyy N.A., Mintairov S.A., Gordeev N.Y., Zubov F.I., Maximov M.V., Zhukov A.E. Effect of carrier localization on performance of coupled large optical cavity diode lasers. Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1124. No. 4. pp. 041005.. doi: 10.1088/1742-6596/1124/4/041005
Moiseev E.I., Kryzhanovskaya N.V., Maksimov M.V., Zubov F.I., Nadtochii A.M., Kulagina M.M., Zadiranov Y.M., Kaliuzhnyi N.A., Mintairov S.A., Zhukov A.E. Highly efficient injection microdisk lasers based on quantum well-dots. Optics Letters. 2018. Vol. 43. No. 19. pp. 4554-4557.. doi: 10.1364/OL.43.004554
Kryzhanovskaya N.V., Polubavkina Y.S., Scherbak S.A., Moiseev E., Zhurikhina V.V., Zubov F.I., Lipovskii A.A., Kulagina M.M., Troshkov S.I., Zadiranov Y.M., Маximov M.V., Zhukov A.E. 3.5-mu m radius race-track microlasers operating at room temperature with 1.3-mu m quantum dot active region. Journal of Applied Physics. 2017. Vol. 121. No. 4. pp. 043104.. doi: 10.1063/1.4974968
Korenev V.V., Savelyev A.V., Маximov M.V., Zubov F.I., Shernyakov Y.M., Kulagina M.M., Zhukov A.E. Effect of modulation p-doping level on multi-state lasing in InAs/InGaAs quantum dot lasers having different external loss. Applied Physics Letters. 2017. Vol. 111. No. 13. pp. 132103.. doi: 10.1063/1.5004268
Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E., Polubavkina Y.S., Maximov M.V., Kulagina M.M., Troshkov S., Zadiranov Y.M., Lipovskii A.A., Baidus N.V., Dubinov A.A., Krasilnik Z., Novikov A., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Yurasov D.V., Zhukov A.E. Electrically pumped InGaAs/GaAs quantum well microdisk lasers directly grown on Si(100) with Ge/GaAs buffer. Optics Express. 2017. Vol. 25. No. 4. pp. 16754-16760.. doi: 10.1364/OE.25.016754
Иконников А.В., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Гавриленко В.И., Павлов А.Ю., Щаврук Н.В., Хабибулин Р.А., Резник Р.Р., Цырлин Г.Э., Зубов Ф.И., Жуков А.Е., Алферов Ж.И. Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах. Письма в Журнал технической физики. 2017. Т. 43. № 7. С. 86-94.. doi: 10.21883/PJTF.2017.07.44473.16602
Mintairov S.A., Kaliuzhnyi N.A., Maximov M.V., Nadtochii A.M., Zhukov A.E. InGaAs quantum well-dots based GaAs subcell with enhanced photocurrent for multijunction GaInP/GaAs/Ge solar cells. Semiconductor Science and Technology. 2017. Vol. 32. No. 1. pp. 015006.. doi: 10.1088/1361-6641/32/1/015006
Reznik R.R., Kryzhanovskaya N.V., Zubov F.I., Zhukov A.E., Khabibullin R.A., Morozov S.V., Cirlin G.E. MBE growth, structural and optical properties of multilayer heterostructures for quantum-cascade lasers. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 917. No. 5. pp. 052012.. doi: 10.1088/1742-6596/917/5/052012
Зубов Ф.И., Крыжановская Н.В., Моисеев Э.И., Полубавкина Ю.С., Симчук О.И., Кулагина М.М., Задиранов Ю.М., Трошков С.И., Липовский А.А., Максимов М.В., Жуков А.Е. Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство. Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 10. С. 1425-1428.
Kryzhanovskaia N.V., Maximov M.V., Zhukov A.E., Nadtochii A.M., Moiseev E.I., Shostak I.I., Kulagina M.M., Vashanova K.A., Zadiranov Y.M., Troshkov S.I., Nevedomsky V.M., Ruvimov S.A., Lipovskii A.A., Kaliuzhnyi N.A., Mintairov S. Single-Mode Emission from 4-9-?m Microdisk Lasers with Dense Array of InGaAs Quantum Dots. Journal of Lightwave Technology. 2015. Vol. 33. No. 1. pp. 171-175.. doi: 10.1109/JLT.2014.2382173
Mintairov S.A., Kaliuzhnyi N.A., Lantratov V.M., Maximov M.V., Nadtochii A.M., Ruvimov S.A., Zhukov A.E. Hybrid InGaAs quantum well – quantum dot nanostructures for light-emitting and photo-voltaic applications. Nanotechnology. 2015. Vol. 26. No. 38. pp. 385202.. doi: 10.1088/0957-4484/26/38/385202
Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Kettler T., Gordeev N.Y., Maximov M.V., Shernyakov Y.M., Kryzhanovskaya N.V., Zhukov A.E., Semenova E.S., Vasil'Ev A.P., Ustinov V.M., Fiol G., Kuntz M., Posilovic K., Lochmann A., Schulz O., Reissmann L., Kovsh A.R., Mikhrin S.S., Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Bimberg D. Competition of different recombination channels in metamorphic 1.5 µm range quantum dot lasers on GaAs substrate. AIP Conference Proceedings. 2007. Vol. 893. No. 1. pp. 1413-1414.. doi: 10.1063/1.2730434
Ledentsov N.N., Shchukin V.A., Kettler T., Posilovic K., Bimberg D., Karachinsky L.Y., Gladyshev A.G., Maximov M.V., Novikov I.I., Shernyakov Y.M., Zhukov A.E., Ustinov V.M., Kovsh A.R. MBE-grown metamorphic lasers for applications at telecom wavelengths. Journal of Crystal Growth. 2007. Vol. 301-302. pp. 914-922.. doi: 10.1016/j.jcrysgro.2006.09.035
Karachinsky L.Y., Kettler T., Novikov I.I., Shernyakov Y.M., Gordeev N.Y., Maximov M.V., Kryzhanovskaya N.V., Zhukov A.E., Semenova E.S., Vasil'Ev A.P., Ustinov V.M., Fiol G., Kuntz M., Lochmann A., Schulz O., Reissmann L., Posilovic K., Kovsh A.R., Mikhrin S.S., Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Bimberg D. Metamorphic 1.5 µm-range quantum dot lasers on a GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology. 2006. Vol. 21. No. 5. pp. 691-696.. doi: 10.1088/0268-1242/21/5/022
Kettler T., Karachinsky L.Y., Ledentsov N.N., Shchukin V.A., Fiol G., Kuntz M., Lochmann A., Schulz O., Reissmann L., Posilovic K., Bimberg D., Novikov I.I., Shernyakov Y.M., Gordeev N.Y., Maximov M.V., Kryzhanovskaya N.V., Zhukov A.E., Semenova E.S., Vasil'Ev A.P., Ustinov V.M., Kovsh A.R. Degradation-Robust Single Mode CW Operation of 1.46 µm Metamorphic Quantum Dot Lasers on GaAs Substrate. Applied Physics Letters. 2006. Vol. 89. No. 4. pp. 041113.. doi: 10.1063/1.2236291
Ledentsov N.N., Kovsh A.R., Shchukin V.A., Mikhrin S.S., Krestnikov I.L., Kozhukhov A.V., Karachinsky L.Y., Maximov M.V., Novikov I.I., Shernyakov Y.M., Soshnikov I.P., Zhukov A.E., Musikhin Y.G., Ustinov V.M., Zakharov N.D., Werner P., Kettler T., Posilovic K., Bimberg D., Hu M., Nguyene H.K., Song K., Zah C. 1.3-1.5 µm quantum dot lasers on foreign substrates: growth using defect reduction technique, high-power CW operation, and degradation resistance. Proceedings of SPIE. 2006. Vol. 6133. pp. 61330S.. doi: 10.1117/12.641483
Ledentsov N.N., Kovsh A.R., Shchukin V.A., Mikhrin S.S., Krestnikov I.L., Kozhukhov A.V., Karachinsky L.Y., Maximov M.V., Novikov I.I., Shernyakov Y.M., Soshnikov I.P., Zhukov A.E., Portnoi E.L., Ustinov V.M., Gerthsen D., Bhattacharya P., Zakharov N.F., Werner P., Hopfer F., Kuntz M., Bimberg D. QD Lasers: Physics and Applications. Proceedings of SPIE. 2005. Vol. 5624. pp. 335-344.. doi: 10.1117/12.570284
Karachinsky L.Y., Kettler T., Gordeev N.Y., Novikov I.I., Maximov M.V., Shernyakov Y.M., Kryzhanovskaya N.V., Zhukov A.E., Semenova E.S., Vasil'Ev A.P., Ustinov V.M., Ledentsov N.N., Kovsh A.R., Shchukin V.A., Mikhrin S.S., Lochmann A., Schulz O., Reissmann L., Bimberg D. High-Power Singlemode CW Operation of 1.5 µm-Range Quantum Dot GaAs-based Laser. Electronics Letters. 2005. Vol. 41. No. 8. pp. 478-480.. doi: 10.1049/el:20050536
Karachinsky L.Y., Kettler T., Gordeev N.Y., Novikov I.I., Maximov M.V., Shernyakov Y.M., Kryzhanovskaya N.V., Zhukov A.E., Semenova E.S., Vasil'Ev A.P., Ustinov V.M., Ledentsov N.N., Kovsh A.R., Shchukin V.A., Mikhrin S.S., Lochmann A., Schulz O., Reissmann L., Bimberg D. Continuous-wave Lasing of Single-Mode Metamorphic Quantum Dot Lasers for the 1.5-µm Spectral Region. Semiconductors. 2005. Vol. 39. No. 12. pp. 1415-1419.. doi: 10.1134/1.2140316
Российская Федерация, Санкт-Петербург
Российская Федерация
Российская Федерация, Санкт-Петербург