Лещенко Егор Дмитриевич

Лещенко Егор Дмитриевич

Должность: ассистент (квалификационная категория "ассистент")

Подразделение: факультет лазерной фотоники и оптоэлектроники

Повышение квалификации:

1. Стажировка LUT Winter School 2018 Финляндия

Список трудов:

  1. Composition and crystal structure of gold catalyzed ternary nanowires [Тип: Тезисы, Год: 2019]
  2. Leshchenko E.D., Dubrovskii V.G., Johansson J. Nucleation-limited composition of Al1-xInxAs nanowires. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1199. pp. 012022. [Тип: Статья, Год: 2019]
  3. Johansson J., Leshchenko E.D. Zinc blende and wurtzite crystal structure formation in gold catalyzed InGaAs nanowires. Journal of Crystal Growth. 2019. Vol. 509. pp. 118-123. [Тип: Статья, Год: 2019]
  4. Influence of elastic stresses on the formation of axial heterostructures in catalytic ternary III-V nanowires [Тип: Тезисы, Год: 2019]
  5. Koryakin A.A. ., Leshchenko E.D., Dubrovskii V.G. Modeling the formation of InP/GaxIn(1-x)P axial nanowire heterostructures. Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1410. No. 1. pp. 012058. [Тип: Статья, Год: 2019]
  6. Koryakin A.A. ., Leshchenko E.D., Dubrovskii V.G. Effect of elastic stresses on the formation of axial heterojunctions in ternary AIIIBV nanowires. Physics of the solid state. 2019. Vol. 61. No. 12. pp. 2459-2463. [Тип: Статья, Год: 2019]
  7. Корякин А.А., Лещенко Е.Д., Дубровский В.Г. Влияние упругих напряжений на формирование осевых гетеропереходов в трехкомпонентных нитевидных нанокристаллах AIIIBV. Физика твердого тела. 2019. Т. 61. № 12. С. 2437-2441. [Тип: Статья, Год: 2019]
  8. Hakkarainen T., Piton M.R., Fiordaliso E., Leshchenko E.D., Koelling S., Bettini J., Vinicius Avanco Galeti H., Koivusalo E., Gobato Y.G., Rodrigues A.D., Lupo D., Koenraad P.M., Leite E.R., Dubrovskii V.G., Guina M. Te incorporation and activation as n-type dopant in self-catalyzed GaAs nanowires. Physical review materials. 2019. Vol. 3. No. 8. pp. 086001. [Тип: Статья, Год: 2019]
  9. Tuning the composition of a ternary solid material nucleating from a quaternary liquid melt [Тип: Тезисы, Год: 2019]
  10. Leshchenko E.D., Kuyanov P., Laperr R., Dubrovskii V.G. Tuning the morphology of self-assisted GaP nanowires. Nanotechnology. 2018. Vol. 29. No. 22. pp. 225603. [Тип: Статья, Год: 2018]
  11. Leshchenko E.D., Ghasemi M., Dubrovskii V.G., Johansson J. Nucleation-limited composition of ternary III-V nanowires forming from quaternary gold based liquid alloys. CrystEngComm. 2018. Vol. 20. No. 12. pp. 1649-1655. [Тип: Статья, Год: 2018]
  12. Leshchenko E.D., Kuyanov P., Lapierre R.R., Dubrovskii V.G. Modeling the morphology of self-assisted GaP nanowires grown by molecular beam epitaxy. Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018. 2018. pp. 381. [Тип: Статья, Год: 2018]
  13. Composition of ternary III-V nanowires nucleating from quaternary liquid melts [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  14. Modeling the morphology of self-assisted GaP nanowires grown by molecular beam epitaxy [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  15. Tuning the morphology of Ga-catalyzed GaP nanowires in gas source molecular beam epitaxy [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  16. Nucleation limited composition of ternary nanowires [Тип: Тезисы, Год: 2018]
  17. Dopant distribution in Ga-assisted GaAs nanowires [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  18. Dastjerdi M., Fiordaliso E., Leshchenko E.D., Akhtari-Zavareh A., Kasama T., Aagesen M., Dubrovskii V.G., Lapierre R.R. Three-fold symmetric doping mechanism in GaAs nanowires. Nano Letters. 2017. Vol. 17. No. 10. pp. 5875–5882. [Тип: Статья, Год: 2017]
  19. Inhomogeneous Be doping in GaAs nanowires [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  20. Лещенко Е.Д., Дубровский В.Г. Неоднородное распределение легирующей примеси в AIII-BV нитевидных нанокристаллах. Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. № 11. С. 1480-1483. [Тип: Статья, Год: 2017]
  21. Leshchenko E.D., Dubrovskii V.G. Doping profiles during nanowire growth via the vapor-liquid-solid mechanism. Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 917. No. 3. pp. 032025. [Тип: Статья, Год: 2017]
  22. Narrowing the size distribution of self-catalyzed III-V nanowires [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  23. The dopant profiles in GaAs nanowires [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  24. Leshchenko E.D., Dubrovskii V.G. Inhomogeneous Dopant Distribution in III-V Nanowires. Semiconductors. 2017. Vol. 51. No. 11. pp. 1427-1430. [Тип: Статья, Год: 2017]
  25. Профиль распределения Be в GaAs нитевидных нанокристаллах [Тип: Тезисы, Год: 2017]
  26. Лещенко Е.Д., Турчина М.А., Дубровский В.Г. Начальный этап автокаталитического роста нитевидных нанокристаллов GaAs. Письма в Журнал технической физики. 2016. Т. 42. № 15. С. 95-102. [Тип: Статья, Год: 2016]